您的位置: 专家智库 > >

国家自然科学基金(61274106)

作品数:6 被引量:22H指数:3
相关作者:郭红霞王信张晋新崔江维郭旗更多>>
相关机构:西北核技术研究所中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 4篇单粒子
  • 4篇单粒子效应
  • 4篇异质结
  • 4篇异质结双极晶...
  • 4篇锗硅
  • 4篇锗硅异质结双...
  • 4篇双极晶体管
  • 4篇晶体管
  • 2篇电荷
  • 2篇电荷收集
  • 1篇三维数值模拟
  • 1篇偏置
  • 1篇重离子
  • 1篇激光
  • 1篇激光微束
  • 1篇集电极
  • 1篇RESPON...
  • 1篇SI
  • 1篇SIGE_H...
  • 1篇SINGLE

机构

  • 4篇西北核技术研...
  • 4篇中国科学院新...
  • 3篇中国科学院大...
  • 2篇西安交通大学
  • 1篇电子科技大学

作者

  • 4篇张晋新
  • 4篇王信
  • 4篇郭红霞
  • 3篇文林
  • 3篇郭旗
  • 3篇崔江维
  • 2篇邓伟
  • 2篇席善斌
  • 2篇李培
  • 1篇肖尧
  • 1篇范雪
  • 1篇唐杜
  • 1篇贺朝会

传媒

  • 3篇物理学报
  • 1篇Journa...
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇Chines...

年份

  • 2篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
不同偏置影响锗硅异质结双极晶体管单粒子效应的三维数值仿真研究被引量:5
2014年
针对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT),采用半导体器件三维计算机模拟工具,建立单粒子效应三维损伤模型,研究不同偏置状态对SiGe HBT单粒子效应的影响.分析比较不同偏置下重离子入射器件后,各端口电流瞬变峰值和电荷收集量随时间的变化关系,获得SiGe HBT单粒子效应与偏置的响应关系.结果表明:不同端口对单粒子效应响应的最劣偏置不同,同一端口电荷收集量和瞬变电流峰值的最劣偏置也有所差异.载流子输运方式变化和外加电场影响是造成这种现象的主要原因.
张晋新贺朝会郭红霞唐杜熊涔李培王信
关键词:锗硅异质结双极晶体管单粒子效应
锗硅异质结双极晶体管单粒子效应加固设计与仿真被引量:3
2015年
本文设计了一种通过在版图布局中引入伪集电极的方法来提高锗硅异质结双极晶体管(Si Ge HBT)抗单粒子性能的方法.利用半导体器件模拟工具,针对加固前后的Si Ge HBT开展了单粒子效应仿真模拟,分析了伪集电极对Si Ge HBT电荷收集机理的影响.结果表明,引入的伪集电极形成的新的集电极-衬底结具有较大的反偏能力,加固后Si Ge HBT伪集电极通过扩散机理,大量收集单粒子效应产生的电荷,有效地减少了实际集电极的电荷收集量,发射极、基极电荷收集量也有不同程度的降低,加固设计后Si Ge HBT的单粒子效应敏感区域缩小,有效的提高了Si Ge HBT器件抗单粒子效应辐射性能.此项工作的开展为Si Ge HBT电路级单粒子效应抗辐射加固设计打下良好的基础.
李培郭红霞郭旗文林崔江维王信张晋新
关键词:锗硅异质结双极晶体管单粒子效应
重离子导致的锗硅异质结双极晶体管单粒子效应电荷收集三维数值模拟被引量:10
2013年
针对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGeHBTs),采用半导体器件模拟工具,建立SiGeHBT单粒子效应三维损伤模型,研究影响SiGeHBT单粒子效应电荷收集的关键因素.分析比较重离子在不同位置入射器件时,各电极的电流变化和感生电荷收集情况,确定SiGeHBT电荷收集的敏感区域.结果表明,集电极/衬底结内及附近区域为集电极和衬底收集电荷的敏感区域,浅槽隔离内的区域为基极收集电荷的敏感区域,发射极收集的电荷可以忽略.此项工作的开展为下一步采用设计加固的方法提高器件的抗辐射性能打下了良好的基础.
张晋新郭红霞郭旗文林崔江维席善斌王信邓伟
关键词:锗硅异质结双极晶体管单粒子效应电荷收集
Single-event response of the SiGe HBT in TCAD simulations and laser microbeam experiment被引量:2
2015年
In this paper the single-event responses of the silicon germanium heterojunction bipolar transistors(SiGe HBTs) are investigated by TCAD simulations and laser microbeam experiment. A three-dimensional(3D) simulation model is established, the single event effect(SEE) simulation is further carried out on the basis of Si Ge HBT devices, and then, together with the laser microbeam test, the charge collection behaviors are analyzed, including the single event transient(SET) induced transient terminal currents, and the sensitive area of SEE charge collection. The simulations and experimental results are discussed in detail and it is demonstrated that the nature of the current transient is controlled by the behaviors of the collector–substrate(C/S) junction and charge collection by sensitive electrodes, thereby giving out the sensitive area and electrode of SiGe HBT in SEE.
李培郭红霞郭旗张晋新肖尧魏莹崔江维文林刘默寒王信
3-D simulation of angled strike heavy-ion induced charge collection in silicon–germanium heterojunction bipolar transistors被引量:2
2014年
This paper presents 3-D simulation of angled strike heavy-ion induced charge collection in domestic silicon-germanium heterojunction bipolar transistors (SiGe HBTs). 3D damaged model of SiGe HBTs single-event effects (SEE) is built by TCAD simulation tools to research ions angled strike dependence. We select several different strike angles at variously typical ions strike positions. The charge collection mechanism for each terminal is identified based on analysis of the device structure and simulation results. Charge collection induced by angled strike ions presents a complex situation. Whether the location of device ions enters, as long as ions track through the sensitive volume, it will cause vast charge collection. The amount of charge collection of SiGe HBT is not only related to length of ions track in sensitive volume, but also influenced by STI and distance between ions track and electrodes. The simulation model is useful to research the practical applications of SiGe HBTs in space, and provides a theoretical basis for the further radiation hardening.
张晋新郭红霞文林郭旗崔江维王信邓伟郑齐文范雪肖尧
锗硅异质结晶体管单粒子效应激光微束模拟被引量:5
2013年
对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)进行了单粒子效应激光微束辐照试验,观测SiGeHBT单粒子效应的敏感区域,测试不同外加电压和不同激光能量下SiGe HBT集电极瞬变电流和电荷收集情况,并结合器件结构对试验结果进行分析。试验结果表明:国产SiGe HBT位于集电极/衬底结内的区域对单粒子效应敏感,波长为1064nm的激光在能量约为1.5nJ时诱发SiGe HBT单粒子效应,引起电流瞬变。入射激光能量增强,电流脉冲增大,电荷收集量增加;外加电压增大,电流脉冲的波峰增大;SiGe HBT的单粒子效应与外加电压大小和入射激光能量都相关,电压主要影响瞬变电流的峰值,而电荷收集量主要依赖于入射激光能量。
张晋新郭红霞文林郭旗崔江维范雪肖尧席善斌王信邓伟
关键词:锗硅异质结双极晶体管单粒子效应激光微束电荷收集
共1页<1>
聚类工具0