湖南省研究生科研创新项目(JGY201223)
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 相关作者：赵鹤平肖立娟李长山郝嘉伟叶伏秋更多>>
- 相关机构：吉首大学更多>>
- 发文基金：湖南省研究生科研创新项目国家自然科学基金湖南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 共溅射法制备Cu掺杂ZnO薄膜结构及性能的研究被引量：1
- 2014年
- 采用直流与射频双靶共溅射的方法在玻璃衬底上制备Cu掺杂的ZnO薄膜,并研究了Cu的溅射功率以及氧分压对薄膜结构和光电性能的影响,利用X射线衍射仪(XRD)、紫外可见光分光光度计(UV-VIS)以及霍尔测试仪(HALL8800)分别对样品的结构、光学特性以及电学特性进行表征,结果表明,薄膜的结晶质量随Cu溅射功率的增大有所提高,超过一定范围开始降低,而透过率则一直减小,增大氧分压可以改善样品的透过率。Cu的掺入使薄膜发生了由n型向p型的转变,且富氧条件下有利于这种转变。
- 郝嘉伟叶伏秋肖立娟李长山赵鹤平
- 关键词：ZNO薄膜CU掺杂光电性能P型
- 缓冲层和退火气氛对Cu掺杂ZnO薄膜稀磁性的影响
- 2014年
- 采用直流与射频双靶共溅射的方法在石英衬底上制备Cu掺杂的ZnO薄膜。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、霍尔测试仪(HALL8800)以及超导量子干涉仪(SQUID)分别对样品的结构、表面形貌、电学特性和磁性进行表征,研究了AZO缓冲层以及不同气氛下退火处理对薄膜磁性的影响。结果表明,加入缓冲层的样品结晶质量有所改善,但不利于磁性的产生;空气退火使样品中氧空位大量减少,同时磁性减弱;真空退火使样品中氧空位得以保留,磁性增强,氧空位缺陷对磁性的产生有很大贡献。样品中载流子浓度不高,电阻率较大,载流子浓度对样品磁性的影响不明显。
- 郝嘉伟赵鹤平肖立娟李长山
- 关键词：稀磁半导体ZNO薄膜CU掺杂缓冲层退火
