国防科技工业技术基础科研项目(ZNDX2008195)
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
- 相关作者：徐慧王辉张丹陈灵娜更多>>
- 相关机构：中南大学更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国防科技工业技术基础科研项目湖南省科技计划项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学更多>>
- B-N链对锯齿型石墨烯纳米带电子结构的影响被引量：2
- 2012年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了边缘对称和反对称的锯齿型石墨烯纳米带的电子结构,考察了B-N链掺在不同位置时的影响。研究结果表明:B-N原子链有向边缘迁移的现象,并且其掺杂在石墨烯纳米带中央时对体系电子结构的改变很小,而掺杂在边缘时会使体系在费米能级附近的能带结构发生显著的变化。边缘被B-N链取代的石墨烯纳米带的能隙被打开,并产生了明显的自旋非简并现象。这些现象的出现归因于掺杂体系中边缘电子态的重新分布。
- 王辉徐慧
- 关键词：电子结构
- 空位缺陷对zigzag型石墨烯纳米带电子结构的影响被引量：1
- 2012年
- 为了了解空位缺陷对zigzag型石墨烯纳米带电子结构的影响,采用基于密度泛函理论的第一性原理,计算含不同空位碳原子数的缺陷zigzag型石墨烯纳米带的电子结构。研究结果表明:含缺陷的zigzag型石墨烯纳米带都呈现出类金属性的电子结构特征,其电子结构与缺失碳原子的含量及缺陷位置附近碳原子的饱和度密切相关;缺陷的存在会引入缺陷能级,当缺失的碳原子数为奇数时,费米面附近存在3条能级;当缺失的碳原子数为偶数时,费米面附近只有2条能级;随着空位缺陷的增加,缺陷处碳原子的不饱和度也增加,从而费米能附近的态密度峰出现相应衰减。
- 徐慧张丹陈灵娜
- 关键词：空位缺陷电子结构
