陕西省教育厅科研计划项目(08JK287)
- 作品数：12 被引量：36H指数：4
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- 相关机构：渭南师范学院西北工业大学陕西理工大学更多>>
- 发文基金：陕西省教育厅科研计划项目渭南师范学院科研基金国家自然科学基金更多>>
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- Nd及其与Fe,Mn共掺杂ZnO薄膜的结构与发光特性被引量：4
- 2008年
- 采用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备了未掺杂ZnO薄膜和Nd及其与Fe,Mn共掺杂ZnO薄膜.通过XRD分析表明,未掺杂ZnO薄膜沿c轴择优生长,掺杂ZnO薄膜偏离了正常生长,薄膜为纳米多晶结构.应用AFM观测所有薄膜的表面形貌,掺杂使ZnO薄膜表面粗糙.室温光致发光谱显示,薄膜出现了395nm的强紫光和495 nm的弱绿光带.Nd掺杂ZnO薄膜的PL谱线峰值强度减弱,Nd与Fe,Mn共掺杂ZnO薄膜的PL谱线峰值强度增强,分析了掺杂引起PL峰强度变化的原因.
- 文军陈长乐
- 关键词：ZNO薄膜掺杂射频磁控溅射光致发光
- 超晶格量子阱中束缚态的能级结构
- 2011年
- 超晶格是指由两种不同晶体材料交替生长的具有周期性结构的多层薄膜,两种材料的"势垒-势阱"结构就是量子阱.通过使用理想的无限深势阱模型和三角势阱模型,讨论了超晶格中单量子阱束缚态的能级结构和态密度,得到了体系的本征能量与本征函数的表达式.沿超晶格生长方向能量量子化,量子化能量构成了一系列子能带(微带),体系电子态密度与能量无关.
- 文军
- 关键词：超晶格能级结构
- Zn_(0.98)Nd_(0.02)O室温拉曼特性和伏安特性被引量：1
- 2012年
- 通过固相反应工艺制备了Zn0.98Nd0.02O纳米颗粒,射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备了Zn0.98Nd0.02O薄膜。应用XRD、AFM以及拉曼光谱等手段,分析了Zn0.98Nd0.02O纳米颗粒与薄膜的结构,并测试了Zn0.98Nd0.02O薄膜的室温伏安特性。表明Nd掺杂没有改变ZnO纤锌矿结构,Zn0.98Nd0.02O颗粒为纳米多晶粉末态,其薄膜为沿(100)、(101)方向生长的纳米多晶结构,表面形貌粗糙。拉曼光谱分析表明,Zn0.98Nd0.02O颗粒的局部应力增大,晶格畸变缺陷增加,缺陷态比较复杂,导致拉曼峰发生频移。Zn0.98Nd0.02O薄膜的室温I-V曲线表明了Zn0.98Nd0.02O薄膜的非线性导电特性。其非线性导电特性源于,薄膜中的载流子受外加电场在薄膜中所产生热激发进入导带导电,环境光中能量高于ZnO带隙的光子引起的光电导效应,以及薄膜中纳米粒子间的隧穿导电。在光辐照作用下,提高了薄膜内浅施主缺陷浓度,降低了薄膜的表面电阻率,增强了Zn0.98Nd0.02O薄膜的导电能力。
- 文军
- 关键词：ND掺杂ZNOX射线衍射拉曼散射伏安特性
- 铜掺杂氧化锌纳米颗粒的制备及其室温拉曼光谱被引量：1
- 2013年
- 通过溶胶-凝胶法制备了Cu掺杂ZnO,采用XRD研究了样品结构,测试了样品的室温拉曼散射特性.XRD分析表明,Cu掺入了ZnO晶格中,掺杂没有改变ZnO六方纤锌矿结构,所制备的样品为纳米多晶粉态,Cu以替位原子的形式存在于ZnO晶格中.Cu掺杂ZnO的晶化程度与焙烧温度有关,合理的焙烧温度为600℃.室温拉曼光谱显示:Cu掺杂ZnO具有与纯ZnO相同的A1,B1,E1,E2等晶格振动模.随着Cu掺杂浓度的增加,晶格畸变,应力增加,点缺陷增多,拉曼谱峰宽化,峰强度减小,晶粒细化,晶化程度降低.由于Cu掺入ZnO晶格,产生了其他不具有拉曼活性的新模式,在拉曼光谱中反映不出来.
- 文军
- 关键词：溶胶-凝胶拉曼散射
- RF溅射稀土掺杂ZnO薄膜的结构与发光特性被引量：5
- 2008年
- 通过射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备了未掺杂和La、Nd掺杂ZnO薄膜。XRD分析表明,ZnO薄膜具有c轴择优生长,La、Nd掺杂ZnO薄膜为纳米多晶薄膜。AFM观测,La、Nd掺杂ZnO薄膜表面形貌较为粗糙。从薄膜的室温光致光谱中看到,所有薄膜都出现了395nm的强紫光峰和495nm的弱绿光峰,La掺杂ZnO薄膜的峰强度增大,Nd掺杂ZnO薄膜的峰强度减弱,分析了掺杂引起PL峰强度变化的原因。
- 文军陈长乐
- 关键词：ZNO薄膜稀土掺杂射频磁控溅射光致发光
- La掺杂氧化锌纳米颗粒的室温拉曼特性被引量：2
- 2010年
- 通过固相反应工艺制备了La掺杂ZnO,采用X射线衍射研究了ZnO∶La的结构,测试了其室温拉曼散射特性.XRD结果表明,La掺入ZnO晶格中,ZnO∶La具有六方纤锌矿结构的纳米多晶态,La以替位原子或间隙原子的形式存在于ZnO晶格中.拉曼光谱分析表明,ZnO∶La具有与纯ZnO相同的A1,B1,E1,E2等晶格振动模.由于掺杂的La3+和Zn2+的半径和电荷量不相等,ZnO∶La晶格畸变,局部应力增大,点缺陷增多,载流子浓度改变,ZnO∶La拉曼峰宽化,峰形状不对称,峰位置移动.
- 文军
- 关键词：LA掺杂ZNOX射线衍射拉曼散射
- 衬底温度对Zn_(0.85)Mg_(0.13)Al_(0.02O)薄膜结构和发光特性的影响
- 2009年
- 采用射频磁控溅射方法,在Si(111)基片上制备出Zn0.85Mg0.13Al0.02O薄膜。X射线衍射(XRD)证实Zn0.85Mg0.13Al0.02O薄膜为单相六角钎锌矿结构,衬底温度从室温升高到500℃,薄膜沿c轴择优生长。原子力显微镜(AFM)测量显示薄膜表面粗糙度随衬底温度的升高由9.32nm增加到19.94nm。荧光光谱仪(PL)测量显示薄膜在397nm附近有强的紫光发射,在486nm处有弱的蓝光峰,随衬底温度的升高紫峰强度提高15倍。在可见光范围内,薄膜平均透过率随衬底温度的升高由75%增加到95%,薄膜光学带隙分别为3.18,3.18和3.19eV。分析表明紫峰来自于自由激子复合,蓝峰由俘获在施主能级Zn填隙中的电子与俘获在受主能级Zn空位中的空穴复合而产生发光。
- 潘峰陈长乐文军金克新罗炳成韩立安陈钊
- 关键词：衬底温度光致发光
- Zn0.98Nd0.02O薄膜的结构与室温导电特性
- 通过射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备了Zn0.98Nd0.02O薄膜。薄膜的结构和表面形貌通过XRD分析和AFM观测,表明Nd掺杂没有改变ZnO纤锌矿结构,Zn0.98Nd0.02O薄膜为沿(100)、(101...
- 文军
- 关键词：ND掺杂ZNO薄膜X射线衍射原子力显微镜导电特性
- 文献传递
- 玻璃衬底和Si衬底制备的Zn0.96Nd0.04O薄膜的结构研究
- 2009年
- 通过射频磁控溅射技术在玻璃衬底和Si（111）村底上制备了Zn0.96Nd0.04O薄膜。XRD分析表明，Zn0.96Nd0.04O薄膜是具有C轴择优生长的纳米多晶薄膜，Nd以替位原子的形式存在于ZnO晶格，Nd掺杂没有改变ZnO晶格结构。从AFM图中看出，薄膜表面形貌较为粗糙，Si衬底薄膜的晶粒具有规律且晶粒尺寸大于玻璃衬底。
- 文军
- 关键词：ND掺杂ZNO薄膜AFM
- 钕、镧掺杂氧化锌薄膜的制备及形貌被引量：5
- 2009年
- 通过射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备了Nd,La掺杂的ZnO薄膜.应用XRD分析了所制备薄膜的微结构,Nd,La掺入了ZnO晶格,没有改变ZnO薄膜的结构,薄膜为沿(100),(101)方向生长的纳米多晶结构.通过AFM观测与分析表明,Nd,La掺杂ZnO薄膜的表面形貌粗糙,呈现拱形.Nd3+离子与La3+离子4f轨道上电子数不同可能是Nd,La掺杂ZnO薄膜生长差异的主要原因.
- 文军
- 关键词：ZNO薄膜镧掺杂XRDAFM
