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射频溅射ZnO作为GaN厚膜生长缓冲层的工艺研究: 2011年; 采用射频磁控溅射法制备出了适用于HVPE-GaN厚膜生长的ZnO缓冲层,利用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)和光致发光(PL)等分析方法表征了ZnO缓冲层以及HVPE-GaN厚膜的晶体性能。实验结果表明,采用溅射功率为60W、氩气压强为2.0Pa、蓝宝石衬底为室温条件下的溅射工艺获得了(0002)单一取向、晶界清晰、晶粒尺寸均一的ZnO薄膜,以它为缓冲层获得的GaN厚膜XRD的(0002)衍射峰半高宽(FWHM)为265secarc,室温PL谱未见明显黄光发射带。; 王如杨瑞霞张俊玲徐永宽; 关键词：晶格失配射频磁控溅射

HP-LEC法InP单晶生长的引晶、放肩过程研究被引量：1: 2013年; 摘要：利用自制高压单晶炉内采用高压液封直拉技术（HP—LEC）研究了〈100〉InP晶体生长过程中引晶和放肩阶段的控制等因素对单晶生长的影响。采用平放肩工艺进行了3～4英寸（1英寸=2．54cm）InP单晶的生长。通过多次实验，可重复生长出直径80～110mm、长62～112mm的3～4英寸InP单晶锭。介绍了平放肩工艺技术特点和应用效果。经过统计和分析，认为InP晶体生长中放肩阶段的孪晶产生由多种因素造成，不存在所谓的“临界放肩角”。通过热场调整和工艺控制，可以用较低的提拉速度在较短时间内生长出3～4英寸头部；通过等径控制，可以生长出无孪晶或挛晶较少的高质量InP单晶。; 李玉茹黄清芳李晓岚邵会民史艳磊孙聂枫; 关键词：INP单晶孪晶

InP晶片位错密度分布测量被引量：2: 2011年; 采用国际通用的方法,测定了不同类型的用高压LEC法生长的InP单晶样品的整片位错分布,直观显示位错密度在晶片上的分布情况,分析了EPD分布结果和原因,说明单晶生长工艺和掺杂剂等因素对其产生影响。从数值看,一般掺S的材料位错密度较低,随着掺杂浓度的增加位错密度明显降低,晶片的均匀性也越好。掺Fe的材料位错密度一般,但随着掺杂量的增大位错密度升高,晶片的位错分布也不均匀。非掺杂材料的位错一般较多,但均匀性较好。通过工艺改进可以明显降低位错,为今后进一步开展晶体完整性研究、改进工艺、提高单晶质量打下了良好的基础。; 潘静杨瑞霞骆新江李晓岚杨帆孙聂枫; 关键词：LEC法

An 8-18 GHz broadband high power amplifier: 2011年; An 8-18 GHz broadband high power amplifier(HPA) with a hybrid integrated circuit(HIC) is designed and fabricated.This HPA is achieved with the use of a 4-fingered micro-strip Lange coupler in a GaAs MMIC process.In order to decrease electromagnetic interference,a multilayer AlN material with good heat dissipation is adopted as the carrier of the power amplifier.When the input power is 25 dBm,the saturated power of the continuous wave(CW) outputted by the power amplifier is more than 39 dBm within the frequency range of 8-13 GHz,while it is more than 38.6 dBm within other frequency ranges.We obtain the peak power output,39.4 dBm,at the frequency of 11.9 GHz.In the whole frequency band,the power-added efficiency is more than 18%.When the input power is 18 dBm,the small signal gain is 15.7±0.7 dB.The dimensions of the HPA are 25×15×1.5 mm^3.; 王立发杨瑞霞吴景峰李彦磊; 关键词：高功率放大器 GHZ 混合集成电路输入功率兰格耦合器

富磷熔体生长InP单晶的均匀性研究被引量：2: 2014年; 采用原位磷注入合成法在高压单晶炉内合成富磷的磷化铟(InP)熔体,并利用液封直拉法(LEC)生长出了掺硫及掺铁单晶材料。分别用快速扫描光荧光谱技术(PL-Mapping)、扫描电镜和傅里叶红外光谱对富磷单晶样品进行了研究。结果表明,在富磷条件下拉制的InP单晶会出现孔洞,致使在孔洞周围及远离区域晶体结晶质量和晶格常数存在差异,并且孔洞的存在会造成杂质分布的不均匀性。由于孔洞附近区域具有较高浓度的缺陷,而缺陷对杂质的吸引作用致使孔洞附近区域杂质浓度较远离孔洞区域有所增加。; 杨帆杨瑞霞陈爱华孙聂枫刘志国李晓岚潘静; 关键词：磷化铟

GaN厚膜中的质子辐照诱生缺陷研究被引量：3: 2013年; 本文采用正电子湮没谱研究质子辐照诱生缺陷,实验发现:能量为5MeV的质子辐照在GaN厚膜中主要产生的是Ga单空位,没有双空位或者空位团形成;在10K测试的低温光致发光谱中,带边峰出现了"蓝移",辐照后黄光带的发光强度减弱,说明黄光带的起源与Ga空位(VGa)之间不存在必然的联系,各激子发光峰位置没有改变,仅强度随质子注量发生变化;样品(0002)面双晶XRD扫描曲线的半峰宽在辐照后明显增大,说明质子辐照对晶格的周期性产生了影响,薄膜晶体质量下降.; 张明兰杨瑞霞李卓昕曹兴忠王宝义王晓晖; 关键词：GAN 质子辐照

磷化铟单晶退火及热应力分布的研究被引量：8: 2013年; 磷化铟单晶生长是一种液相转变为固相的过程,晶体生长过程中的热场条件直接影响晶体的热应力、电学均匀性、位错密度、晶片的几何参数。通过实验和理论分析研究热场条件对InP晶体生长的影响,通过晶锭退火、晶片退火、位错测量、应力测量等实验研究、分析位错密度与残余热应力的关系和减除热应力的方法。在InP晶体生长阶段,熔体温度、炉内气体压强、氧化硼厚度、熔体及晶体的形状、炉体结构、加热功率等都是影响晶体生长过程中热场分布的因素。这些因素共同导致晶体内部产生径向和轴向温度梯度,从而产生热应力。晶体长时间处于温度梯度很小的高温状态,能使其应力得到释放并且内部的晶格畸变也会发生变化。通过后期适当的高温热处理可以使晶体内部残余热应力得到释放。采用金相显微镜观察InP样片观察到的位错呈现"十"字状分布,中心和边缘位错低,两者之间的"十"字部分位错高,与晶片残余应力分布基本保持一致。晶体生长过程中,热应力大于临界剪切应力导致的晶格滑移使InP的晶格结构产生畸变,导致晶体内部形成位错。; 黄清芳王阳刘志国杨瑞霞孙同年孙聂枫; 关键词：INP 单晶热应力位错

非接触四波混频技术测试InP单晶: 2011年; 利用四波混频(FWM)技术测试了非掺杂、掺Fe半绝缘InP单晶的光电特性,对载流子的产生、复合和输运等过程进行了研究,分析了深陷阱在载流子的产生与输运中的作用,并给予了解释。利用光栅衰减动力学得到在不同激发水平下非平衡自由载流子的扩散系数和复合时间。通过分析衍射效率和激发能量之间的相互关系,测定了缺陷的电学特性,即它们在光照下的传输和对载流子传输的贡献。这种技术可以通过测量时间和空间上的载流子分布,进而利用光学技术测试半导体材料的光电特性。; 潘静孙聂枫朱嘉祯杨瑞霞李晓岚杨帆骆新江; 关键词：磷化铟晶体四波混频

InP晶片位错密度的测量与分析: 2013年; 采用湿法腐蚀方法研究了HCl,H3PO4和HBr等不同腐蚀液在显示<100>InP晶片位错中的作用,及腐蚀温度、腐蚀时间、光照条件等因素对腐蚀速率和腐蚀效果的影响,最后统计3英寸(1英寸=2.54 cm)<100>InP晶片位错密度分布,分析其位错产生原因。经过实验表明,单一的HCl或H3PO4腐蚀剂无法显示出<100>InP晶片的位错坑,而单一的HBr能够很好地显示出四方形的位错坑。在<100>InP晶片的混合位错腐蚀液中,HBr占主导作用,HCl及H3PO4起辅助作用。在腐蚀过程中提供光照或者提高腐蚀温度都可以明显提高腐蚀速率。在光照条件下,半导体会激发出空穴-电子对,在半导体表面增加载流子可以有效提高反应速率,从而提高腐蚀速率。化学反应速率常数k随温度升高呈指数升高,所以提高腐蚀温度可以有效提高腐蚀速率。InP晶片位错主要是由晶体内部热应力引起的。; 李岚黄清芳刘志国杨瑞霞李晓岚孙聂枫; 关键词：磷化铟湿法腐蚀腐蚀速率

InP单晶的磁光和热电效应被引量：1: 2011年; 对同一原生非掺杂InP单晶进行了一系列物理测试分析，研究了材料的光电导率与温度的依从关系，在295～318K内，温度系数为-3×10^-4eV／K，测得的室温禁带宽度为1．3392eV。禁带宽度Eg的磁性系数为8．6×10^-4eV／T，材料的磁光特性测量结果为1．8T。由此数据可得，约化电子有效质量mr·为0．067m0。由热电功率测量结果可得室温塞贝克系数为565μV／K。由此值以及霍尔测量值，可计算出状态密度有效质量md·为0．0757m0。由该值和上面提到的约化电子有效质量可得到InP样品的价带电子有效质量mv·为0．591m。。; 潘静李晓岚杨瑞霞孙聂枫; 关键词：磷化铟

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