国际科技合作与交流专项项目(2009DFB50470)
- 作品数：10 被引量：11H指数：2
- 相关作者：沈强张联盟王传彬郭冬云黄攀更多>>
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- 相关领域：一般工业技术化学工程电气工程理学更多>>
- Sol-gel法制备Si基Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)铁电薄膜
- 2011年
- 采用Sol-gel法分别在Si(100)和Si(111)衬底上制备Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)(BNT)铁电薄膜。研究了衬底、退火温度、退火保温时间和薄膜厚度等因素对BNT铁电薄膜结晶和微观结构的影响。在500℃退火的BNT薄膜已经结晶形成层状钙钛矿相;升高退火温度(500～800℃)、延长保温时间(30～150min)、增加薄膜厚度(170～850nm),都有利于BNT薄膜晶粒长大,其中退火温度和薄膜厚度是影响晶粒长大的关键因素;每次涂覆的厚度大约是85nm。与Si(100)衬底相比,由于Si(111)与BNT薄膜具有更好的晶格匹配,因此BNT薄膜在Si(111)衬底上更容易结晶。
- 刘长永刘长永王传彬郭冬云张联盟
- 关键词：SOL-GEL法
- 钛酸铋薄膜的磁控溅射及其退火处理被引量：1
- 2011年
- 采用射频磁控溅射技术,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了钛酸铋(Bi4Ti3O12,简称BIT)薄膜。研究了衬底温度及后续退火处理对薄膜结构和表面形貌的影响。结果表明:适宜的衬底温度为200℃。随着退火温度(650~800℃)的升高,BIT薄膜的结晶性变好,晶粒尺寸增大,c轴取向增强。当退火温度达到850℃时,开始出现焦绿石相;700~800℃为适宜的退火温度,在此条件下得到的BIT薄膜结晶良好,尺寸均匀,表面平整致密。
- 黄攀王传彬沈强张联盟
- 关键词：磁控溅射退火处理
- Ho掺杂对Bi_(4-x)Ho_xTi_3O_(12)陶瓷结构与铁电性能的影响被引量：1
- 2012年
- 以Ho为掺杂元素,采用热压烧结方法制备Bi4-xHoxTi3O12陶瓷,重点研究了Ho掺杂量对其物相组成、致密度、微观结构和铁电性能的影响.首先以Bi2O3、TiO2和Ho2O3微粉为原料,利用固相反应在900℃合成出主晶相为Bi4Ti3O12的Bi4-xHoxTi3O12(x=0～0.8)粉体;然后,将合成粉体在850℃、30 MPa条件下热压烧结,当Ho掺杂量x=0～0.4得到了物相单一、整体致密(>99%)的Bi4-xHoxTi3O12陶瓷.随Ho掺杂量的增加,Bi4-xHoxTi3O12陶瓷的剩余极化强度呈现先增大后减小的趋势,主要与氧空位浓度和不同掺杂浓度引起的掺杂位置的不同有关.在Ho掺杂量x=0.4时,其剩余极化强度最大(2Pr=13.92μC/cm2),远大于未掺杂的Bi4Ti3O12陶瓷,说明适量Ho掺杂能有效改善其铁电性能.
- 王传彬傅力沈强张联盟
- 关键词：固相反应热压烧结铁电性能
- 钛酸铋陶瓷靶材的热压烧结被引量：3
- 2010年
- 纯相、高致密度、结晶良好的陶瓷靶材是物理气相沉积薄膜的前提。采用热压烧结方法制备钛酸铋(Bi4Ti3O12)陶瓷靶材,重点研究了制备工艺对靶材的物相、微观结构和致密度的影响。以Bi2O3和TiO2微粉为原料,采用固相反应法,在800℃合成出纯相的Bi4Ti3O12粉体;加入过量3wt%的Bi2O3,可以有效防止烧结过程中因Bi挥发所产生的杂相,得到纯相的Bi4Ti3O12陶瓷;采用热压烧结方法,进一步实现了Bi4Ti3O12粉体的致密烧结,确定了适宜的制备条件为850℃,30MPa,2h,在该条件下制备的Bi4Ti3O12陶瓷致密度达到99%,晶粒呈片层状,大小约2～4μm,可满足靶材制备薄膜的需求。
- 傅力王传彬黄攀沈强张联盟
- 关键词：BI4TI3O12陶瓷靶材热压烧结
- 镧系元素(Eu,Ho和Er)掺杂对BiFeO_3粉末晶格结构的影响被引量：1
- 2010年
- 采用Sol-gel法制备出Bi1-xLnxFeO3(BLnF;x=0、0.05、0.10、0.15、0.20;Ln=Eu,Ho和Er)系列粉末,利用XRD分析了其晶格结构。结合容忍因子的变化分析了3种元素掺杂对BiFeO3晶格结构的影响规律,以及掺杂离子半径变化对BiFeO3晶格结构的影响趋势。结果表明,在450～550℃烧结可以得到纯相的BiFeO3粉末,烧结温度过高,容易形成Bi2Fe4O9杂相;掺杂量增加,晶格参数减小;掺杂离子半径减小,晶格参数减小;Eu、Ho和Er元素掺杂量低于0.10时,可以得到纯相的BLnF,掺杂量超过0.10后,晶格结构的稳定性变差,容易形成杂相。
- 郭冬云刘长永王传彬沈强张联盟
- 关键词：SOL-GEL法晶格结构掺杂
- Sol-gel法制备Bi0.85Nd0.15FeO3多铁性薄膜被引量：2
- 2010年
- 利用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出Bi0.85Nd0.15FeO3薄膜.研究退火温度对其晶相形成的影响,发现在450℃退火时,Bi0.85Nd0.15FeO3晶相开始形成,但是结晶较差,而且存在杂相;在500—600℃退火可以获得单相Bi0.85Nd0.15FeO3薄膜,退火温度升高有利于其结晶.对600℃退火的Bi0.85Nd0.15FeO3薄膜的介电、铁电和电磁性能进行了测试.在测试频率为1MHz时,其介电常数和介电损耗分别为145,0.032;饱和磁化强度大约为44.8emu/cm3;剩余极化值(2Pr)大约是16.6μC/cm2.
- 郭冬云李超王传彬沈强张联盟Tu RongGoto Takashi
- 关键词：SOL-GEL法铁电性能铁磁性能
- 气压对射频磁控溅射Bi4Ti3O12薄膜的影响
- 2011年
- 在不同溅射气压下，采用射频磁控溅射技术在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了钛酸铋（Bi4Ti3O12）薄膜。在较低的气压（0.45-0.8Pa）下，得到了单相的Bi4Ti3O12薄膜；在较高气压（1.0-1.8Pa）下，薄膜中出现Bi2Ti2O7焦绿石相；随着气压的增加，薄膜的沉积速率和晶粒尺寸先增大后减小，表面粗糙度也逐渐增加；在适宜的气压（0.6Pa）下，得到的Bi4Ti3O12薄膜物相单一、表面平整致密、结晶良好。
- 黄攀彭健王传彬
- 关键词：射频磁控溅射溅射气压
- Sol-gel法制备Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3铁电薄膜被引量：1
- 2010年
- 利用Sol—gel工艺在Pt／Ti／SiO2／si衬底上制备了Pb（Zr0.53Ti0.47）O3（PZT）薄膜，研究了退火温度、保温时间和薄膜厚度对其晶相、微观结构和铁电性能的影响。在500℃退火处理的PZT薄膜开始形成钙钛矿相；在550℃退火处理的PZT薄膜基本形成钙钛矿相结构；升高退火温度（500-850℃）、延长保温时间（30～150min）、增加薄膜厚度（120-630nm）都有利于PZT晶粒的长大。在650～750℃退火的PZT薄膜具有较好的铁电性能，保温时间对PZT薄膜的铁电性能影响不大，PZT薄膜的厚度为200-300nm时可以得到比较好的铁电性能。在退火温度750℃、保温时间30min条件下退火处理厚310nm的PZT薄膜，其剩余极化值（2Pr）和矫顽电场（2Ec）分别是72μC／cm^2、158kV/cm。
- 郭冬云毛薇秦岩黄志雄王传彬沈强张联盟
- 关键词：薄膜厚度铁电性能
- BaTi_2O_5铁电陶瓷的放电等离子烧结被引量：2
- 2011年
- 利用放电等离子烧结技术制备了一种新型的无铅铁电材料BaTi2O5,重点研究了烧结温度对其物相、致密度和微观结构等的影响,以期获得单一物相、高致密度、大尺寸的BaTi2O5铁电陶瓷。结果表明:随着烧结温度的升高,BaTi2O5铁电陶瓷的致密度逐渐增大;烧结温度1050℃时,可获得物相单一的BaTi2O5陶瓷,但当烧结温度≥1100℃时,BaTi2O5出现相分解,分解为BaTiO3和Ba6Ti17O40;确定了适宜的制备条件为:温度1050℃,压力40MPa,时间10min。在该条件下制备的BaTi2O5铁电陶瓷物相单一、结构致密。
- 彭健王传彬李凌沈强张联盟
- 关键词：放电等离子烧结
- Sol-gel法制备BaTiO_3、BaTi_2O_5和BaTi_4O_9粉末
- 2012年
- 采用Sol-gel法合成了BaTiO3、BaTi2O5和BaTi4O9粉末,利用XRD和SEM研究了它们的晶相和微观结构。在较低温度烧结得到的粉末都存在一定量的杂相,随着烧结温度的升高,杂相逐渐消失。在1000℃以上温度烧结,可以得到单相BaTiO3和BaTi2O5粉末,而单相BaTi4O9粉末则在1300℃以上温度烧结得到。随着n(Ba)/n(Ti)减小,所得单相的烧结温度逐渐升高。随着烧结温度的升高,BaTiO3、BaTi2O5和BaTi4O9粉末的晶粒逐渐长大。800℃以上温度烧结得到的四方BaTiO3钙钛矿相粉末主要由方形和圆形的晶粒组成;1100℃烧结得到的单斜BaTi2O5相粉末主要由近似菱形的晶粒组成;在1200℃烧结得到的正交BaTi4O9相粉末基本由长形的晶粒组成。
- 龚义平刘长永刘长永王传彬郭冬云张联盟
- 关键词：溶胶-凝胶法烧结温度
