重庆市教委科研基金(040810)
- 作品数：6 被引量：12H指数：3
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- 磁控溅射制备参数对ZnO:Al电学性能的影响被引量：1
- 2006年
- ZnO:Al(ZAO)透明导电薄膜是一种n型半导体,有高的载离子浓度和大的光学禁带宽度,具有优异的电学和光学性能,有极广的应用前景.本文介绍了ZAO薄膜的广泛用途和今后研究的趋势,并着重分析了磁控溅射制备参数对电学性能的影响.
- 殷胜东马勇籍勇亮
- 关键词：ZAO薄膜电学性能磁控溅射
- 透明导电薄膜ZnO∶Al的组织结构分析
- 2006年
- Zno∶Al(ZAO)透明导电薄膜具有高的载离子浓度和大的光学禁带宽度,因而具有优异的电学和光学性能,极具应用价值.本文研究了ZAO薄膜的微观组织结构、化学成分、及其应用前景.
- 殷胜东马勇王楠
- 关键词：ZAO薄膜化学成份
- 薄膜厚度对ZAO透明导电膜性能的影响被引量：3
- 2007年
- 采用直流反应磁控溅射法,用Al含量为2%的Zn/Al合金靶材,室温下在玻璃衬底上制备了ZAO透明导电薄膜样品.在其他参数不变的情况下,由不同溅射时间得到不同的薄膜厚度,研究了薄膜的结构性质、光学和电学性质随薄膜厚度的变化关系.制备的ZnO:Al薄膜具有(002)面的单一择优取向的多晶六角纤锌矿结构,电阻率为5.1×10-4Ω.cm,平均透射率达到88%.
- 靳铁良殷胜东
- 关键词：直流反应磁控溅射ZAO薄膜厚度光电性能
- 掺杂ZnO气敏特性的研究进展被引量：4
- 2007年
- ZnO是一种新型的、性能优良的半导体材料。本文介绍了ZnO的制备和掺杂研究进展及其气敏机理,并指出了今后的发展趋势。
- 穆建国马勇张召涛刘润华
- 关键词：ZNO掺杂气敏特性
- 磁控溅射制备参数对ZnO∶Al光学性能的影响被引量：3
- 2006年
- ZnO∶A l(ZAO)透明导电薄膜是一种n型半导体,有高的载离子浓度和大的光学禁带宽度,具有优异的电学和光学性能,有极广的应用前景.着重分析了磁控溅射制备参数对光学性能的影响.
- 殷胜东马勇殷霖
- 关键词：ZAO薄膜光学性能磁控溅射
- 气流场强度对直流磁控溅射ZAO薄膜性能的影响被引量：3
- 2007年
- 用含2%Al的Zn/Al合金靶材,在不同气流场强度下使用直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ZAO(ZnO∶Al)透明导电薄膜样品。定义气流场强度等于总气流量除以总气压。结果表明:气流场强度的大小对ZAO薄膜的表面形貌和电导率有较大影响,对可见光的透射率影响不大。在Ar气压强为0.3Pa,流量为22sccm,O2气压强为0.08Pa,流量为10sccm,气流场强度约为84sccm/Pa时制备ZAO薄膜的最低电阻率为4.2×10-4Ω.cm,可见光透射率为90%。
- 殷胜东马勇靳铁良
- 关键词：ZAO薄膜直流反应磁控溅射电导率透射率
