您的位置: 专家智库 > >

国家自然科学基金(61078039)

作品数:7 被引量:28H指数:4
相关作者:祁志美李金洋要彦清吴建杰逯丹凤更多>>
相关机构:中国科学院电子学研究所集成光电子学国家重点联合实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国科学院“百人计划”国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 3篇机械工程
  • 3篇理学
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 4篇铌酸锂
  • 3篇光学
  • 3篇波导
  • 2篇偏振
  • 2篇离子刻蚀
  • 2篇刻蚀
  • 2篇集成光学
  • 2篇光学器件
  • 2篇反应离子
  • 2篇反应离子刻蚀
  • 2篇干涉仪
  • 1篇电光
  • 1篇生化
  • 1篇生化检测
  • 1篇特性分析
  • 1篇自组装
  • 1篇钛扩散
  • 1篇钛扩散铌酸锂
  • 1篇铌酸
  • 1篇铌酸锂波导

机构

  • 6篇中国科学院电...
  • 1篇集成光电子学...

作者

  • 6篇祁志美
  • 3篇李金洋
  • 2篇逯丹凤
  • 2篇吴建杰
  • 2篇要彦清
  • 1篇刘瑞鹏
  • 1篇张蓉君
  • 1篇张喆

传媒

  • 2篇物理学报
  • 2篇光学学报
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理化学学报
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 2篇2012
  • 2篇2011
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
基于偏振光波导分光光谱技术原位研究纳米金-细胞色素c自组装过程被引量:4
2011年
时间分辨偏振光波导分光光谱技术是一种用于研究表面分子吸附动力学的强大工具.利用该技术实时、原位监测纳米金与细胞色素c的静电自组装过程,发现随着吸附层数的增加,纳米金粒子吸附层产生的局域等离子体共振(LSPR)吸收峰发生了红移,而且在横磁(TM)模式下的红移比横电(TE)模式下的红移更快;细胞色素c在纳米金表面的吸附导致LSPR吸收峰的峰位和强度在TM模式下显著红移和升高,相比之下,TE模式下的LSPR吸收峰无明显变化.对实验数据的分析验证了纳米金在细胞色素c单分子层表面的吸附动力学行为遵循扩散控制模型,细胞色素c在纳米金单粒子层表面的吸附动力学行为遵循Langmuir等温吸附模型,进一步估算了细胞色素c在纳米金表面的吸附速率常数、脱附速率常数和吸附自由能.
张蓉君祁志美张喆
关键词:纳米金粒子细胞色素C自组装
钛扩散铌酸锂脊形波导理论分析与初步制备被引量:6
2013年
铌酸锂脊形波导最近引起了广泛研究兴趣,它通常采用刻蚀钛扩散或质子交换铌酸锂条形波导或平板波导的方法制作而成。对由这两种方法制备的钛扩散铌酸锂脊形波导在1550nm波长处的横电基模光场分布进行了仿真分析。结果指出,当钛扩散条件相同时,通过刻蚀钛扩散铌酸锂平板波导得到的脊形结构在横向和纵向上对导模均具有更好的束缚能力。这种脊形波导的制作工艺相对简单,它对导模的强束缚有利于减小铌酸锂电光调制器尺寸和提高光电重叠积分因子。实验制备了钛扩散铌酸锂平板波导,并基于微机电系统(MEMS)工艺在其表面制作出Cr膜马赫-曾德尔干涉计(MZI)阵列图案,然后在SF6气氛中对平板波导进行反应离子刻蚀,初步得到了铌酸锂脊形波导MZI阵列。扫描电镜分析结果显示制得的脊形波导横截面呈梯形状,两侧面较粗糙,脊高约670nm。
李金洋要彦清吴建杰祁志美
关键词:光学器件铌酸锂反应离子刻蚀脊形波导
铌酸锂基集成光波导马赫-曾德尔干涉仪的设计、制备及其特性的初步测试被引量:9
2011年
设计了具有推挽调制电极和消逝场敏感窗口的铌酸锂(LiNbO3)基集成光波导马赫-曾德尔干涉仪(MZI)。利用标准微光机电系统(MOEMS)加工工艺结合高温钛内扩散法制备出三维单模LiNbO3光波导MZI阵列芯片,并对芯片进行了端面抛光,实现了光纤-波导端面输入和输出耦合,并初步调查了干涉仪芯片的相位调制特性,结果表明,在633 nm波长下其半波调制电压为5.61 V,干涉条纹对比度为0.62。当干涉仪芯片被用于生化探测时,这种电光调制功能可用于调节干涉仪芯片的初始相位差和识别其相位差的变化方向。
陈方刘瑞鹏祁志美
关键词:集成光学马赫-曾德尔干涉仪传感器铌酸锂光波导
铌酸锂干法刻蚀的研究进展被引量:3
2012年
概述了近年来国内外对铌酸锂(LN)晶体干法刻蚀技术的研究进展。根据刻蚀原理和特点,现有的LN干法刻蚀技术可分为等离子体刻蚀、激光微加工技术和Ti扩散电化学刻蚀。对各刻蚀方法及其研究进展进行了总结,分析了不同干法刻蚀方法之间的区别和联系,并对各方法中存在的问题进行了探讨。其中等离子体刻蚀技术由于其良好的图形转移特性,得到了最广泛的应用;激光微加工技术在制备光子晶体结构和微光栅结构中具有独特的优势;Ti扩散电化学刻蚀LN为制备大尺寸的LN基结构指明了新的方向。
要彦清李金洋吴建杰陈方祁志美
关键词:集成光学光学器件铌酸锂干法刻蚀反应离子刻蚀
高灵敏度集成光偏振干涉仪特性及生化传感应用研究被引量:1
2012年
利用射频溅射技术在平面单模玻璃波导表面局部淀积一层Ta_2O_5梯度薄膜,形成复合光波导芯片,结合棱镜耦合法制备了一种集成光偏振干涉传感器.基于四层平板波导模型理论分析了复合光波导表面折射率灵敏度S_(RI)与Ta_2O_5梯度薄膜等效厚度T_(eq)的关系,结合实验测定的S_(RI)得出了本工作中所使用Ta_2O_5梯度薄膜的T_(eq)≈33.021 nm,进一步得出芯片吸附层厚度灵敏度S_(ad)≈(2.412×2π)nm^(-1).利用该复合波导偏振干涉仪结合Lorentz-Lorenz有效介质理论测得了市售食用白醋中醋酸的浓度,并以市售牛栏山二锅头洒为例进行了白酒掺水和掺甲醇的测试,结果表明,白酒掺水或甲醇前后的折射率改变量与掺杂量成准线性变化关系;原位实时监测了丁酰胆碱酯酶的动态吸附过程及细胞色素c/聚苯乙烯磺酸钠的分子自组装过程,并利用测得的位相差变化结合芯片吸附层厚度灵敏度S_(ad)获得了蛋白质表面覆盖度.
逯丹凤祁志美
关键词:高灵敏度生化检测
铌酸锂波导电光重叠积分因子的波长依赖特性分析被引量:8
2014年
通过测量铌酸锂(LN)单模波导在不同波长下的半波电压,结合半波电压与电光重叠积分因子的依赖关系,实验发现了LN单模波导电光重叠积分因子随波长增大而迅速减小.另一方面,通过数值求解法分别得出了LN单模波导在不同波长的导模场分布和调制电场分布以及二者的重叠积分因子,在理论上获得了与实验数据十分近似的结果.进一步的仿真分析指出LN单模波导电光重叠积分因子随波长增大而减小的规律主要来自于导模的光场中心随波长增大逐渐远离波导表面,向低电场强度区域靠近.这种电光重叠积分因子的波长依赖特性是导致LN波导半波电压随波长增大而非线性上升的原因之一,它将为基于LN波导的器件的设计和优化提供重要参考.
李金洋逯丹凤祁志美
关键词:铌酸锂波导半波电压
Reactive ion etching of Ti-diffused LiNbO_3 slab waveguides
2013年
Reactive ion etching(RIE) of LiNbO_3(LN) in SF_6 plasma atmosphere was studied for optimizing the preparation conditions for LN ridge waveguides.The samples to be etched are Ti-diffused LN slab waveguides overlaid with a chromium film mask that has a Mach-Zehnder interferometer(MZI) array pattern.The experimental results indicate that the LN-etching rate(R_(LN)) and the Cr-etching rate(R_(Cr)) as well as the rate ratio R_(LN)/R_(Cr) increase with either increasing the radio-frequency(RF) power at a given SF_6 flow rate or increasing the SF_6 flow rate at a fixed RF power.The maximum values of R_(LN) = 43.2 nm/min and R_(LN)/R_(Cr) = 3.27 were achieved with 300 W RF power and 40 sccm SF_6 flow.When the SF_6 flow rate exceeds 40 sccm,an increase in the flow rate causes the etching rates and the rate ratio to decrease.The scanning electron microscope images of the LN ridge prepared after~20 min etching show that the ridge height is 680 nm and the sidewall slope angle is about 60°.
吴建杰李金洋要彦清祁志美
共1页<1>
聚类工具0