重庆市科技攻关计划(2000-6214)
- 作品数：9 被引量：67H指数：3
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- 相关领域：一般工业技术理学电气工程金属学及工艺更多>>
- 全固态电致变色智能窗的研究进展
- 2008年
- 电致变色材料被认为是最有开发前景的智能材料之一，本文结合本实验室的研究成果，简要介绍了电致变色智能窗的结构及变色原理，着重阐述了WO3电致变色材料和固态电解质的最新研究动态，展望了电致变色材料及其器件的应用前景。
- 覃丽禄黄佳木
- 关键词：电致变色固态电解质智能窗
- 工艺参数对磁控溅射TaO_x薄膜离子导体性能的影响被引量：1
- 2005年
- 采用射频反应磁控溅射工艺,以纯钽为靶材,在 WO_3/ITO/Glass 基材上制备 TaO_x 薄膜,研究氧含量、溅射功率等制备工艺参数对 TaO_x 薄膜性能的影响。用三位电极法和透射光谱等方法检测薄膜的离子导电性能,结果表明:所得的 TaO_x 薄膜主要为非晶态,在一定范围内,在较低的溅射功率和较低的氧含量实验条件下制备的 TaO_x 薄膜具有较好的离子导电性能。
- 黄佳木吕佳张新元覃丽禄
- 关键词：离子导体磁控溅射
- 磁控溅射WO_x-Ti(Mo,Ni,V)薄膜的电致变色性能被引量：1
- 2007年
- 采用反应磁控溅射工艺分别制备掺杂Ti、Mo、Ni、V的WOx薄膜,研究了掺杂对其电致变色性能的影响机理。实验结果表明,适量的掺杂可以提高薄膜的电致变色性能,Mo的掺杂可以调节光谱吸收范围,Ni、V的掺杂可以提高记忆存储能力,Ti的掺杂可以延长循环寿命;磁控溅射制备的掺杂WOx薄膜均为非晶态。
- 黄佳木徐爱娇蔡明
- 关键词：电致变色磁控溅射
- 室温直流磁控溅射氮化钛薄膜研究被引量：18
- 2005年
- 利用直流磁控溅射在室温下沉积出性能优良的氮化钛薄膜,研究了N2流量和偏压对氮化钛薄膜性能和结构的影响,并采用扫描隧道显微镜(STM)技术对其表面形貌进行了较为详细的研究。结果表明,随着N2流量的增加,薄膜的结构从四边型混合结构转变为面心立方NaCl型结构,最后变为无定型结构,薄膜结构的变化也使薄膜的硬度随之发生变化;施加负偏压不仅能让薄膜中缺陷减少,使膜层变得更致密,而且还能优化氮化钛晶粒,从而获得性能优良的薄膜。从TiN薄膜的表面形貌图可知,薄膜表面平整,缺陷很少,晶粒排列非常致密,且空位及表面缺陷较少。
- 黄佳木徐成俊张兴元王亚平
- 关键词：氮化钛工艺参数表面形貌
- ZnO:Al(ZAO)透明导电薄膜的制备及其特性被引量：38
- 2002年
- 笔者采用射频磁控溅射工艺、以氧化锌铝陶瓷靶为靶材制备透明导电ZAO薄膜,系统研究了各工艺参数,如氧流量、工作气压、温度、射频功率和退火条件等对其结构和光电特性的影响。实验结果表明:在纯氩气中且衬底温度为300℃时制备的ZAO薄膜经热处理后电阻率降至8.7104 W·cm,可见光透过率在85%以上。X射线衍射谱表明ZAO晶粒具有六角纤锌矿结构且呈c轴择优取向,晶粒垂直于衬底方向柱状生长。
- 黄佳木董建华张新元
- 关键词：导电薄膜射频磁控溅射光电特性
- 磁控溅射WO_x电致变色薄膜的结构被引量：6
- 2004年
- 采用直流反应磁控溅射工艺,以纯钨靶为靶材在ITO玻璃上制备电致变色WOx薄膜,运用XRD衍射方法和扫描隧道显微镜(STM)测试手段对薄膜的晶体结构和微观表面形貌进行了分析,探讨了WOx薄膜的电致变色性能和微观结构之间的关系。实验分析结果发现:磁控溅射得到的WOx薄膜主要是非晶态的,而其在着色状态和退色状态下亦呈非晶特性;电致变色反应使薄膜的颜色发生了可逆变化,必然地也使结构发生了可逆变化。Li+的进出,虽然没有使组成WOx的基本结构发生大的变化,但其微观表面形貌发生较大差异,因为原子团簇的堆积方式向较规则的低能态堆积方式转变。
- 黄佳木施萍萍
- 关键词：电致变色直流反应磁控溅射八面体
- 工艺参数对WO_x薄膜电致变色特性和结构的影响被引量：1
- 2003年
- 采用直流反应磁控溅射工艺,以纯钨靶为靶材在铟锡氧化物玻璃上制备电致变色WOx薄膜,研究了氧含量、溅射功率及溅射环境温度等工艺条件对其电致变色特性和结构的影响。实验结果表明:磁控溅射得到的WOx薄膜主要是非晶态的,在一定范围内,较低的氧含量,较高的溅射功率,较高的溅射环境温度下制备的WOx薄膜有较好的电致变色特性。
- 黄佳木施萍萍张新元
- 关键词：氧化钨磁控溅射透光率
- 室温溅射沉积ZnO:Al薄膜的工艺被引量：3
- 2004年
- ZnO:Al薄膜是一种N型宽带隙半导体材料,由于其大的载流子浓度和光学禁带宽度而表现出优良的光电特性。采用射频磁控溅射工艺,在室温下用氧化锌铝陶瓷靶(3wt%Al2O3)溅射沉积透明导电ZnO:Al薄膜,研究了各工艺参数,如氧流量、工作气压和射频功率对其光电特性的影响。实验结果表明:通氧量与靶材中含氧比例存在紧密联系,本实验在氧流量为0sccm,射频功率400W,Ar气为0.7Pa,溅射时间为2.5h的条件下,制备的ZAO薄膜最小方块电阻为65Ω/□,薄膜表面略显黄色。
- 黄佳木董建华张兴元
- 关键词：ZNO:AL薄膜磁控溅射光电特性
- Zr掺杂TaO_x薄膜离子导体性能的研究
- 2006年
- 采用射频反应磁控溅射工艺,以纯钽、锆为靶材,在WO3/ITO/玻璃基材上制备TaOx:Zr薄膜。研究锆掺入量、掺杂方式、溅射功率等制备工艺参数对TaOx薄膜性能的影响。用三位电极法和透射光谱等方法检测薄膜的离子导电性能。结果表明:TaOx:Zr薄膜主要为非晶态,在150 W的掺杂溅射功率和10 min的相对掺杂时间的实验条件下,所制备的TaOx:Zr薄膜有良好的离子导电性能,透光率约为90%。
- 黄佳木吕佳张新元覃丽璐
- 关键词：无机非金属材料离子导体磁控溅射掺杂
