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SnO_2纳米线表面形貌影响因素研究: 2012年; 采用化学气相沉积法在经硝酸镍水溶液处理过的硅衬底上,通过控制生长条件,制备出了二氧化锡的几种纳米结构。利用扫描电子显微镜(SEM)对样品的表面形貌进行了表征,并在此基础上对CVD过程中影响产物形貌的各因素进行了讨论分析,为实现SnO2纳米线的可控生长提供了工艺参数。; 杨焕银郭红力马拥军裴重华; 关键词：二氧化锡纳米线

C/SnO_2纳米管芯复合结构的原位生长及生长机理: 2013年; 采用化学气相沉积(CVD)方法在经表面活性剂处理过的Si(100)衬底上原位合成了C/SnO2纳米复合结构。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能量色散谱(EDS)、透射电子显微镜(TEM)等分析仪器分别对所制备样品的形貌、成分及微结构进行表征。研究发现:制备产物为非晶态碳纳米管复合物。该碳纳米管复合物呈现出管芯复合结构,成分为碳纳米管包覆的结晶良好的SnO2纳米线,且其生长方向沿(200)晶面。并在此基础上分析讨论了其生长机理,推测这种C/SnO2纳米管芯复合结构的生长是同步进行的,同时表面活性剂的碳化对形成碳纳米管有着重要作用。; 杨焕银郭红力马拥军裴重华; 关键词：原位生长

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重庆市教委科研基金(kj121317)