国家高技术研究发展计划(SQ2007AA03Z431230)
- 作品数：6 被引量：17H指数：2
- 相关作者：沈光地郭伟玲崔碧峰李晓波邓琛更多>>
- 相关机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划北京市人才强教计划项目国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 功率LED热特性分析被引量：7
- 2009年
- 随着LED功率的升高,热应力对LED的影响越来越显著,过高的结温不但会使器件寿命急剧衰减,还会严重影响LED的峰值波长,光功率,光通量等诸多性能参数。因此精确掌握LED器件的温升规律便成为了提高设备工作可靠性和芯片结构设计的关键所在。本文通过标准电学法对不同颜色的1W功率LED及不同功率的GaN基白光LED的结温和热阻进行了测量,实验结果表明:同种结构LED的温度系数K虽然离散但比较接近,不同结构LED芯片K明显不同;在相同衬底材料,相同芯片结构条件下,LED芯片结温会随芯片功率的增大而升高。并首次进行了变电流下不同功率LED芯片的结温和热阻测量,发现无论功率大小,结温均随热电流的增大而上升,功率越大,上升幅度也越大。随着LED两端所加电流的增大,3W白光LED的热阻呈上升趋势,而1W白光LED的热阻随电流增加基本不变。
- 毛德丰郭伟玲高国沈光地
- 关键词：光电子热阻功率发光二极管
- 量子阱激光器的阈值电流与腔长关系
- 2010年
- 一般激光器的阈值电流会随着腔长增加而增大,但是最近发现单量子阱激光器的阈值电流在很大的腔长范围内保持恒定。造成这样现象的原因是由于激光器有源区不掺杂和采用了线形渐变折射率导引机制的量子阱激光器结构,这样可以有效的减少载流子泄漏和非辐射复合,因此激光器内损耗很小,阈值增益主要由腔面损耗决定,致使阈值电流在很大的腔长范围内保持恒定。
- 段天利崔碧峰王智群沈光地
- 关键词：阈值电流阈值增益
- 大功率980 nm InGaAs/InGaAsP/InGaP激光器热特性被引量：2
- 2009年
- 利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)生长了无铝980 nm InGaAs/InGaAsP/InGaP单量子阱(SQW)激光器,测试了含铝的InGaAs/GaAs/AlGaAs和无铝的InGaAs/InGaAsP/InGaP两种不同材料的980 nmInGaAs SQW激光器在30～70℃范围内的P-I-V特性曲线,对比分析了两种材料系980 nm激光器输出光功率、阈值电流、斜率效率和激射波长随温度的变化,并对InGaAs/InGaAsP/InGaP激光器进行了可靠性实验。
- 裘利平郭伟玲罗丹崔碧峰张蕾沈光地
- 关键词：激光器大功率激光器热特性无铝
- 超薄膜腐蚀自停止技术的缺陷分析被引量：1
- 2009年
- 作为气动红外探测器密封微电容检测腔的核心部件,要求敏感薄膜必须无孔,平整。浓硼硅腐蚀自停止技术制备超薄膜时,扩散前待扩硼区经常会存在各种表面微缺陷,导致扩硼后,再进行反向腐蚀形成的超薄膜会出现微腐蚀孔。利用小孔扩散模型和流体力学中小孔的热壅塞理论详细计算了缺陷的结构尺寸对缺陷底端局部硼浓度的影响。当缺陷半径r0垲姨Dt,其底端的局部硼浓度会远远低于浓硼硅腐蚀自停止的临界浓度5×1019/cm3,从而在下一步的反向腐蚀出膜过程中,表面有缺陷的扩硼区出现微腐蚀孔的几率大大增加。最后,针对膜区域出现的微腐蚀孔,提出了几种解决方案。
- 李晓波徐晨戴天明邓琛沈光地
- 新型双波长激光器热学特性研究被引量：1
- 2009年
- 制备了一种新型双波长和单波长隧道再生半导体激光器,测试了两种激光器在25-105℃温度范围内的P-I特性曲线,对比分析了两种激光器输出光功率、阈值电流、斜率效率随温度的变化。测试结果表明,新型双波长隧道再生激光器有高输出功率、高斜率效率以及双激射波长等优点;高掺杂隧道结的引入以及双有源区的器件结构导致其热特性略差于单波长半导体激光器。
- 裘利平郭伟玲刘莹崔碧峰张蕾沈光地
- 关键词：半导体激光器双波长隧道结热特性
- 提高发光二极管出光效率的新方法被引量：6
- 2009年
- 利用高分子共混物的微相分离和自组装原理,制备出具有纳米微孔的PMMA薄膜,以此为掩膜对发光二极管(LED)表面进行湿法腐蚀,得到表面微结构,并研究了腐蚀时间对表面形貌的影响。测试结果表明,当微孔直径在500nm左右、腐蚀深度约140nm时,所得到的表面微结构能使LED在20mA的注入电流下光功率平均提高18%。
- 邓琛徐晨徐丽华邹德恕蒋文静戴天明李晓波沈光地
- 关键词：自组装发光二极管(LED)出光效率
