国家重点实验室开放基金(SKt0401)
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
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- 用于光纤通信的硅光电探测器的研制被引量：1
- 2006年
- 根据光纤入户(FTTH)的应用特点,选用外延层厚度和电阻率各不相同的三种硅外延片,研制了用于FTTH的P IN硅光电探测器,并与硅单晶材料的PN结光电二极管进行了全程比对。测量结果表明,P IN探测器的暗电流可达1-0 11A量级,响应时间为2 ns。分析了Ⅰ层厚度和电阻率对探测器件暗电流、结电容和响应时间的影响及引起特性差别的原因,为设计能满足光纤通信要求的光电探测器提供了依据。
- 徐永泽陈炳若
- 关键词：光纤通信硅光电探测器PIN光电二极管上升时间暗电流
- 便携式双色验钞器的设计与研制
- 2005年
- 对商品验钞器的现状和存在的问题进行了分析,提出了合理的解决方案.在理论分析的基础上,设计并研制出一种便携式双色验钞器,该装置以紫光发光二极管(LED)和红外半导体激光二极管(LD)作为双色光源,照射人民币的荧光标志产生不同的荧光效应,紫光激发的图案用肉眼可以清晰分辨,而红外光的激发图案为绿色光斑.该装置设计了自动报警系统,提高了验钞的可靠性.
- 杜鹏搏陈炳若
- 关键词：验钞
- GaN蓝光LED电极接触电阻的优化被引量：2
- 2006年
- 通过分析LED的工作电压和晶圆上两相邻N电极间电阻来讨论快速退火(RTA)和表面处理对GaN基蓝光LED接触电极的影响。研究了p-GaN表面处理对Ni/Au与p-GaN接触电阻的影响。结果表明,用KOH清洗p-GaN表面比用HCl清洗更能有效地改善Ni/Au与p-GaN的接触电阻。讨论了在氧和氮混合气氛下两种退火温度对P电极接触电阻的影响,当退火温度从570℃升到620℃时接触电阻升高。研究了氮气氛下不同退火温度和时间对LED电极接触的影响,发现在480℃下连续退火对N接触有利,但却使P接触变差,而450℃、10 min的氮气氛退火能同时得到较好P接触和N接触。
- 裴风丽陈炳若陈长清
- 关键词：GAN基蓝光LED接触电阻RTA表面处理
