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Ca_2P_xSi_(1-x)能带结构及光学性质的第一性原理计算被引量：1: 2014年; 采用基于第一性原理的贋势平面波方法,对不同P掺杂浓度正交相Ca2Si的几何结构、能带结构、态密度和光学性质进行计算,比较不同浓度P掺杂的几何结构、电子结构和光学性质。对不同P含量下Ca2PxSi1-x的几何结构比较研究得出:随着P浓度增加Ca2PxSi1-x的晶格常数a、c减小,b增加,体积减小;掺杂浓度对电子结构的影响主要体现在P掺杂Ca2Si使得费米面向导带偏移,且随着掺杂浓度的增加而更深入地嵌入导带中,费米面附近由Ca-d Si-p及P-p电子构成的导带和价带均向低能方向移动,带隙随着掺杂浓度的增大而增大;掺杂浓度对光学性质同样有较大的影响,Ca2PxSi1-x的静态介电函数、折射率随着P掺杂浓度的增加而增加,而反射谱随着P掺杂浓度的增加而减小。适当的P掺杂能够提高Ca2Si对光的吸收系数和折射率,降低光的反射,提高了Ca2Si的光电转换效率。; 岑伟富杨吟野范梦慧骆最芬; 关键词：电子结构光学性质第一性原理

(100)应变对正交相Ca_2P_(0.25)Si_(0.75)能带结构及光学性质的影响: 2014年; 采用第一性原理赝势平面波方法对（100）应变下正交相Ca2P0.25Si0.75的能带结构及光学性质进行模拟计算.计算结果表明：（100）面在晶格发生100％～116％张应变时,带隙随着应变增加而减小;在晶格发生96％～100％压应变时,带隙随着张应变的增加而增加;88％～96％压应变时,带隙随着压应变的增加而减小;当压应变大于88％后转变为间接带半导体.当施加应变后光学性质发生显著的变化：随着压应变的增加静态介电常数、折射率逐渐减小,张应变则反之.施加压应变反射向低能方向偏移,施加张应变反射向高能方向偏移,但施加应变对反射区域的影响不显著.施压应变吸收谱、光电导率的变化与介电函数和折射率相反.综上所述,应变可以改变Ca2P0.25Si0.75的电子结构和光学常数,是调节Ca2P0.25Si0.75光电传输性能的有效手段.; 岑伟富杨吟野范梦慧姚娟黄金保; 关键词：光学性质第一性原理

(111)应变对立方相Ca_2P_(0.25)Si_(0.75)能带结构及光学性质的影响被引量：1: 2014年; 采用第一性原理赝势平面波方法对（111）应变下立方相Ca2P0.25Si0.75的能带结构及光学性质进行模拟计算，全面分析了应变对其能带结构、光学性质的影响。计算结果表明：在-8％～0％压应变范围内，随着应变的逐渐增大导带向低能方向移动，价带向高能方向移动，带隙逐渐减小，但始终为直接带隙；在O％～2％张应变范围内，随着应变的增加，带隙逐渐增大，应变为2％时直接带隙达到最大Eg=0．60441eV；当张应变为4％,Ca2P0.25Si0.75变为间接带隙半导体。Ca2P0.25Si0.75的介电常数和折射率随着张应变的增加而增加；施加-2％-0％压应变时，介电常数和折射率逐渐减小，到达一2％时达到最小值，此后随着压应变的增加介电常数和折射率逐渐增大。施加压应变时吸收谱和反射谱随着应变的增大而减小，施加张应变时吸收谱和反射谱随着应变的增大而增大。应变可以改变立方相Ca2P0.25Si0.75的电子结构和光学常数，是调节其光电传输性能的有效手段。; 岑伟富杨吟野范梦慧姚娟杨文帮黄金保; 关键词：光学性质第一性原理

P掺杂正交相Ca_2Si电子结构及光学性质的第一性原理计算被引量：8: 2014年; 采用基于密度泛函理论第一性原理超软贋势平面波方法系统计算了Ca2Si及P掺杂Ca2Si的电子结构、光学性质,分析了P掺杂对Ca2Si的能带结构、电子态密度、光学性质的影响.计算结果表明:掺入P后Ca2Si的能带向低能方向偏移,禁带宽带为0.557 95eV,价带主要由Si的3p,P的3p以及Ca的4s、3d电子构成,导带主要由Ca的3d电子贡献.通过能带结构和态密度分析了P掺杂正交相Ca2Si的复介电函数、折射率、反射谱、吸收谱和能量损失函数,结果表明P掺杂增强了Ca2Si的光利用率,说明掺杂能够有效改变材料电子结构和光电性能,为Ca2Si材料光电性能的开发、应用提供理论依据.; 岑伟富杨吟野范梦慧邵树琴; 关键词：电子结构光学性质第一性原理掺杂

(001)应变对正交相Ca_2P_(0.25)Si_(0.75)能带结构及光学性质的影响被引量：1: 2015年; 为了研究(001)应变对正交相Ca2P0.25Si0.75能带结构及光学性质的影响,采用第一性原理贋势平面波方法对(001)应变下正交相Ca2P0.25Si0.75的能带结构及光学性质进行了模拟计算.计算结果表明:晶格(001)面发生100%~116%张应变时,带隙随着应变增加而减小;在晶格发生88%~100%压应变时,带隙随着张应变的增加而增加;84%~88%压应变时,带隙随着压应变的增加而减小.当施加应变后光学性质发生显著的变化:随着压应变的增加,静态介电常数、折射率逐渐减小,张应变则增大.施加压应变反射向高能方向偏移,施加张应变反射向低能方向偏移,但施加应变对反射区域的影响不显著.施压应变吸收谱、光电导率的变化与介电函数和折射率相反.综上所述,(001)应变改变了Ca2P0.25Si0.75的电子结构和光学常数,是调节Ca2P0.25Si0.75光电传输性能的有效手段.; 岑伟富杨吟野范梦慧杨文帮姚娟; 关键词：光学性质第一性原理

(111)应变对正交相Ca_2P_(0.25)Si_(0.75)能带结构及光学性质影响的理论研究被引量：1: 2015年; 采用第一性原理平面波贋势方法对（111）应变下正交相Ca2P0.25Si0.75的能带结构及光学性质进行模拟计算.计算结果表明：（111）面在晶格发生100%-104%张应变时,带隙随着应变增加而增大;在晶格发生104%-112%压应变时,带隙随着张应变的增加而减小;88%-100%压应变时,带隙随着压应变的增加而减小;当压应变达到88%后转变为导体.当施加应变后光学性质发生显著的变化,随着压应变的增加静态介电常数、折射率逐渐减小,张应变则反之.施加压应变反射向高能方向偏移,施加张应变反射向低能方向偏移.施压应变吸收谱增大,施加张应变吸收谱变小.综上所述,应变可以改变Ca2P0.25Si0.75的电子结构和光学常数,是调节Ca2P0.25Si0.75光电传输性能的有效手段.; 岑伟富杨吟野范梦慧姚娟杨恒张再军; 关键词：光学性质第一性原理

(110)应变对立方相Ca_2P_(0.25)Si_(0.75)能带结构及光学性质的影响被引量：3: 2015年; 采用第一性原理贋势平面波方法对（110）应变下立方相Ca_2P_（0.25）Si_（0.75）的能带结构及光学性质进行模拟计算,全面分析了应变对Ca_2P_（0.25）Si_（0.75）能带结构、光学性质的影响.计算结果表明：在92%～100%压应变范围内随着应变的逐渐增大导带向低能方向移动,价带向高能方向移动,带隙呈线性逐渐减小,但始终为直接带隙;在100%～102%张应变范围内随着应变的增加,带隙呈逐渐增大,应变达到102%直接带隙最大Eg=0.54378 e V;在102%～104%应变范围内随着应变的增加,带隙逐渐减小;当应变大于104%带隙变为间接带隙且带隙随着应变增大而减小.施加应变Ca_2P_（0.25）Si_（0.75）的介电常数、折射率均增大;施加压应变吸收系数增加,反射率减小;施加张应变吸收系数减小,反射率增加.综上所述,应变可以改变Ca_2P_（0.25）Si_（0.75）的电子结构和光学常数,是调节Ca_2P_（0.25）Si_（0.75）光电传输性能的有效手段.; 岑伟富杨吟野范梦慧姚娟杨文帮黄金保; 关键词：光学性质第一性原理

有源电力滤波器谐波检测方法综述被引量：10: 2011年; 综述了目前已有的谐波检测方法,对目前流行的谐波检测新方法如小波变换、瞬时无功功率理论和神经网络等的原理及发展现状进行了叙述,简要概括了各种谐波检测方法的特点。; 张庆曾正杨吟野孙妍玮; 关键词：有源电力滤波器谐波检测电能质量

(100)应变对立方相Ca_2P_(0.25)Si_(0.75)光电特性的影响被引量：1: 2014年; 采用基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理赝势平面波方法对（100）应变下立方相Ca2P0.25Si0.75的能带结构及光学性质进行了模拟计算。计算结果表明：在90%~100%的压应变范围,立方相Ca2P0.25Si0.75的带隙随着压应变增加逐渐减小;在100%~102%张应变范围,带隙随着张应变增加逐渐增大,张应变为102%时,带隙达到最大,Eg=0.513 9 eV;当张应变大于102%,立方相Ca2P0.25Si0.75转化为间接带隙半导体。在102%~120%应变范围,带隙随着应变增大而减小。当施加应变后立方相Ca2P0.25Si0.75的光学性质发生显著变化：增加压应变,立方相Ca2P0.25Si0.75的介电常数、折射率及吸收系数逐渐增加;增加张应变,反射率增加。因此,采用（100）应变可调制立方相Ca2P0.25Si0.75的能带结构和光学常数,是一种有效调节其光电传输性能的手段。; 岑伟富杨吟野范梦慧杨文帮姚娟; 关键词：光学性质第一性原理

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教育部科学技术研究重点项目(210200)

文献类型

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机构

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