电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金(D0200401030108KD0022)
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
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- HRXRD研究SiN盖帽层在Si中引入的应变
- 2010年
- 为了研究SiN盖帽层在Si中引入应变的机理与控制,利用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术分析了Si中应变的各向异性以及与盖帽层厚度的关系。研究发现,盖帽层厚度低于300nm时,应变量与厚度呈近线性关系,随后增加趋缓,最终达到一饱和值;同时,应变在不同晶向表现出明显的各向异性,表层应变Si与未应变Si衬底在(004)晶面上的衍射峰重叠在一起,而(111)晶面的2个衍射峰可明显地被分离,且倾角对Si衬底衍射峰半高宽具有明显的展宽。
- 杨洪东于奇王向展李竞春罗谦姬洪
- 关键词：氮化硅
- 局部双轴应变SiGe材料的生长与表征
- 2011年
- 利用分子束外延(MBE)对双轴应变SiGe局部区域外延生长和表征进行了研究.图形窗口边界采用多晶Si侧墙,多层SiGe薄膜分段温度生长.采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、X射线双晶衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和位错密度测试等多种实验技术,结果表明:薄膜表面窗口内双轴应变SiGe薄膜厚度和Ge组分得到精确控制,垂直应变度达到1.175%,其表面粗糙度为0.45nm,SiGe位错密度为1.2×103cm-2.由于采用多晶Si侧墙,外延材料表面没有发现窗口边缘处明显位错堆积.实验证实,采用该技术生长的局部双轴应变SiGe薄膜质量良好,基本满足SiGe BiCMOS器件制备要求.
- 李竞春杨洪东杨阳全冯溪
- 关键词：位错
