吉林省科技厅青年科研基金(20080170)
- 作品数：3 被引量：5H指数：2
- 相关作者：姜德龙向嵘端木庆铎王新李野更多>>
- 相关机构：长春理工大学中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
- 发文基金：吉林省科技厅青年科研基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信理学更多>>
- 氧化硅薄膜的制备和性质研究被引量：2
- 2010年
- 在室温条件下,采用反应磁控溅射方法,在硅衬底上制备氧化硅薄膜。研究了制备过程中不同氧气含量时氧化硅薄膜的生长速率、薄膜中的O/Si原子比例、表面粗糙度、薄膜的介电性能。发现薄膜的生长速率和介电常数随溅射时氧气含量的增加先增大后减小;薄膜中的O/Si原子比例随氧气含量的增加先增大,后来变化不明显,且很难达到或超过理想比例(2∶1);薄膜的粗糙度随氧气含量的增加先减小,后来基本保持不变。
- 王新向嵘李野王国政姜德龙端木庆铎田景全
- 关键词：磁控溅射氧化硅生长速率介电常数
- 玻璃和柔性衬底上氧化铟锡薄膜特性的对比研究被引量：2
- 2009年
- 对采用磁控溅射方法生长在玻璃和柔性聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)塑料上的氧化铟锡(ITO)薄膜的结构、光学和电学特性进行了对比研究。在两种不同的衬底上均得到了不分相的、高质量的多晶ITO薄膜,其中生长在玻璃衬底上的ITO薄膜(002)衍射峰的半峰宽为0.24°,生长在PET衬底上的为0.28°。两种样品在可见光区都具有很高的透过率,其中玻璃衬底上生长的薄膜的透过率约为92%,PET上生长的薄膜的透过率高达87%。两种薄膜均具有良好的导电性,玻璃衬底上薄膜的电阻率为4.2×10-4Ω.cm,柔性PET衬底上薄膜的电阻率为4.7×10-4Ω.cm。实验结果证明,完全可以采用磁控溅射的方法在柔性衬底上生长出高质量的ITO薄膜。
- 王新向嵘任新光李野姜德龙端木庆铎
- 关键词：氧化铟锡磁控溅射X射线衍射透光率电阻率
- 膜层厚度对蓝宝石衬底上生长的ITO薄膜性质的影响被引量：1
- 2009年
- 采用磁控溅射的方法在蓝宝石衬底上制备了氧化铟锡(ITO)透明氧化物薄膜;研究了不同厚度薄膜的结构、光学和电学特性。经X射线衍射(XRD)测量,发现在蓝宝石衬底上生长的ITO薄膜呈现了较高的(222)择优取向;随着膜层厚度的增加,该衍射峰对应的2θ衍射角逐渐向大角度方向移动,同时该衍射峰的半峰全宽逐渐减小,平均晶粒尺寸增大。经光学透射光谱测量,发现随着膜层厚度的增加,光学透过率逐渐减小。膜层厚度为0.2μm时,可见光透过率超过80%,当膜层厚度为0.8μm时,可见光透过率下降到60%。电学测量结果表明,随着膜层厚度的增加,薄膜电阻率逐渐减小。膜层厚度为0.2μm时,电阻率为9×10-4Ω·cm,膜层厚度为0.8μm时,电阻率为5.5×10-4Ω·cm。
- 王新向嵘李野王国政付申成端木庆铎姜德龙吴奎
- 关键词：氧化铟锡磁控溅射X射线衍射电阻
