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浙江省教育厅科研计划(Y200908500)

作品数：1 被引量：1H指数：1
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇单片
  • 1篇单片集成
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅
  • 1篇灵敏度
  • 1篇敏度

机构

  • 1篇浙江工业大学

作者

  • 1篇章旌红
  • 1篇施朝霞

传媒

  • 1篇浙江工业大学...

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
单片集成pH值传感芯片的设计和研究被引量：1
2011年
基于标准0.6μm CMOS工艺设计了单片集成pH值传感芯片.传感单元MOS管采用多层悬浮栅结构,氮化硅钝化层作为氢离子敏感层.片上信号处理电路恒定传感单元MOS管的源漏电压和源漏电流,控制传感单元输出电压与溶液pH值呈线性关系.传感芯片采用离子敏传感单元和参考单元的差分拓扑结构,减少电路的固定模式噪声.pH值传感芯片经实测在pH值1~13范围内的平均灵敏度为35.8 mV/pH.
施朝霞章旌红
关键词：氮化硅灵敏度
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共1页<1>
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