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国家重点基础研究发展计划(2006CB302703)

作品数:1 被引量:0H指数:0
相关作者:孟庆伟付爽胡龙龙范仲勇丁士进更多>>
相关机构:复旦大学更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家科技重大专项更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 4篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇低介电常数
  • 1篇紫外
  • 1篇紫外辐照
  • 1篇力学性能
  • 1篇介电
  • 1篇介电常数
  • 1篇辐照
  • 1篇PROCES...
  • 1篇PVD
  • 1篇SU-8
  • 1篇ZNO
  • 1篇ZNO_TH...
  • 1篇BASED
  • 1篇BUFFER...
  • 1篇CHARAC...
  • 1篇DEPOSI...
  • 1篇DEVELO...
  • 1篇DEVICE...
  • 1篇超低介电常数
  • 1篇力学性

机构

  • 1篇复旦大学

作者

  • 1篇丁士进
  • 1篇范仲勇
  • 1篇胡龙龙
  • 1篇付爽
  • 1篇孟庆伟

传媒

  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2011
  • 4篇2008
1 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
Physical and optical properties of ZnO thin films grown by DC sputtering deposition
The effects of the deposition condition of DC sputtering on the properties of ZnO thin films were systematic i...
Tao ChenShu-Yi LiuChristophe DetavernierR.L.Van MeirhaegheXin-Ping Qu
Process Characterization for Strained Si on SOI CMOS Devices
Although the strained-Si channel engineering seems to be rather compatible with the existing mainstream CMOS p...
Ran Liu
Development of novel SU-8 based nanoimprint lithography
We present two kinds of novel nanoimprint lithography techniques based on SU-8 photoresist with single layer a...
Shen-Qi XieBing-Rui LuJing WanRong YangYifang ChenXin-Ping QuRan Liu
Improvement of the crystallinity and optical properties of sol-gel ZnO thin film by a PVD ZnO buffer layer
The effect of the ZnO homo-buffer layer on the structural,optical and electrical properties of the Sol-gel ZnO...
Shu-Yi LiuTao ChenYu-Long JiangGuo-Ping RuBing-Zong Li and Xin-Ping Qu
紫外辐照对超低介电常数SiCOH薄膜组成与机械性能的影响
2011年
采用紫外光辐照超低介电常数多孔SiCOH薄膜,研究不同照射时间对薄膜结构和性能的影响。采用动态纳米压入技术测量薄膜的力学性能,发现随照射时间增加,薄膜的模量(Er)和硬度(H)不断提高。当辐照时间增至6h时,薄膜力学强度分别达到Er约7.4GPa,H约1.0GPa。傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、X射线光电子能谱(XPS)分析表明紫外辐照处理能够使薄膜样品中发生键的断裂与重新结合,从而改变了薄膜骨架的交联密度和刚性,进而提高力学性能。但介电性能并未受到明显影响,紫外辐照6h后,k值仅从2.0增至2.2。
付爽胡龙龙孟庆伟丁士进范仲勇
关键词:紫外辐照力学性能低介电常数
共1页<1>
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