国家自然科学基金(11250005150502)
- 作品数：1 被引量：2H指数：1
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- 体块氧化锌单晶的生长
- ＜正＞选用KOH助熔剂系统,运用自发成核方法,分别采用铁、银、镍坩埚,在450-650℃,保温8-192h,生长出了不同颜色,不同形状的晶体。铁坩埚中生长的晶体为2mm左右棕色针形晶体聚集簇,极易碎。银坩埚中生长出了直径...
- 张素芳姚淑华王继扬
- 文献传递
- 体块氧化锌单晶生长的研究进展被引量：2
- 2009年
- 氧化锌(ZnO)是一种极其重要的半导体材料,具有宽带隙(3.37eV)和高激子结合能(60meV),适合制作短波长发光二极管和激光二极管。综述了体块ZnO单晶的主要生长方法:化学气相输运法、水热法、助溶剂法的原理和优缺点;着重探讨了水热法和助溶剂法的生长参数及所生长ZnO单晶的特征;结合KOH+H2O体系,论述了助熔剂法的反应机理。介绍了体块ZnO单晶中存在的缺陷及其对ZnO性质的影响。
- 张素芳姚淑华王继扬宋伟
- 关键词：水热法助熔剂法
