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国家自然科学基金(61204056)

作品数:4 被引量:13H指数:3
相关作者:宁永强秦莉王立军刘云李秀山更多>>
相关机构:中国科学院大学中国科学院长春光学精密机械与物理研究所中国科学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金江苏省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇腔面
  • 3篇面发射
  • 3篇激光
  • 3篇激光器
  • 3篇垂直腔
  • 3篇垂直腔面
  • 3篇垂直腔面发射
  • 2篇偏振
  • 2篇面发射激光器
  • 2篇发射激光器
  • 2篇垂直腔面发射...
  • 1篇电流
  • 1篇电流注入
  • 1篇亚波长
  • 1篇偏振分析
  • 1篇偏振控制
  • 1篇面发射半导体...
  • 1篇金属光栅
  • 1篇功率
  • 1篇光栅

机构

  • 3篇中国科学院长...
  • 3篇中国科学院大...
  • 1篇中国科学院

作者

  • 3篇刘云
  • 3篇王立军
  • 3篇秦莉
  • 3篇宁永强
  • 2篇张星
  • 2篇贾鹏
  • 2篇李秀山
  • 1篇陈泳屹
  • 1篇崔锦江
  • 1篇张建伟
  • 1篇张建
  • 1篇张祥伟

传媒

  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇中国激光
  • 1篇发光学报
  • 1篇Chines...

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2013
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
利用亚波长矩形金属光栅稳定980nm高功率垂直腔面发射激光器偏振(英文)被引量:3
2013年
利用亚波长矩形金属光栅的偏振特性,在垂直腔面发射激光器的有源区引入各向异性增益从而达到控制其偏振的目的。光栅参数设计基于均匀介质理论和抗反射理论,光栅设计周期为186 nm,占空比为0.5,并且光栅制作于GaAs盖层来对TE偏振光提供额外的反射率。经过设计分析对p-DBRs的对数进行了缩减,并且将光栅条之间的盖层区域刻蚀掉,刻蚀深度为1μm左右。盖层刻蚀的结果使电流注入的方向严格沿着光栅条线性注入的有源区,从而增加了非均匀增益并提高了偏振比。通过多物理场有限元分析软件对器件进行了模拟分析,结果基本上符合设计要求。通过优化工艺步骤,最终得到了550μm孔径器件的输出功率为780 mW,并且偏振比达到4.8的结果。
张祥伟宁永强秦莉刘云王立军
关键词:垂直腔面发射激光器金属光栅偏振控制
非对称电流注入对矩形台面激光器的偏振分析被引量:5
2015年
为了获得高稳定性的偏振光,研制了氧化孔区域为70 mm×10 mm的非对称电流注入的矩形台面垂直腔面发射激光器(ACIR-VCSEL)。在室温下,注入连续直流电流,实验测试得到ACIR-VCSEL的斜率效率为0.483 W/A,微分串联电阻为23.5 W。在电流注入过程中,ACIR-VCSEL以稳定的平行于长边的偏振光输出,功率偏振比始终大于5。当电流为15 m A时,功率偏振比的最大值为14。在相同的测试条件下,氧化孔径大小同为70 mm×10 mm的环形电流注入矩形台面VCSEL(RCIR-VCSEL)的斜率效率为0.568 W/A,微分串联电阻为18.1 W,偏振功率比值最大值为9,最小值为2.6。RCIR-VCSEL与ACIR-VCSEL的输出特性相比,虽然RCIR-VCSEL比ACIR-VCSEL的斜率效率高,串联微分电阻小,但是ACIR-VCSEL的偏振稳定性和最大偏振比值比RCIR-VCSEL增强。
李秀山宁永强崔锦江张星贾鹏黄佑文钟础宇秦莉刘云王立军
关键词:激光器垂直腔面发射激光器偏振
浅面浮雕矩形台面垂直腔面发射半导体激光器被引量:6
2014年
为实现垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)大功率窄线宽输出,设计了浅面浮雕矩形台面结构的垂直腔面发射激光器(SR VCSEL)。电流密度分布会影响模式的分布,模拟结果表明,矩形台面VCSEL相比于圆形台面VCSEL,在有源区面积增大的情况下,电流密度分布不变。在矩形台面VCSEL出光孔表面刻蚀浅面浮雕后,高阶模式比基模的阈值增益的变化大,基模对高阶模式的抑制增强。理论结果表明,矩形浅面浮雕结构的VCSEL能够实现对高阶模式的抑制,测试结果得到连续输出为5.87mW,光谱宽度为0.1nm,功率偏振度为10,横向模式抑制比超过30dB的窄线宽输出。
李秀山宁永强贾鹏陈泳屹张星张建伟张建刘云秦莉王立军
关键词:激光器半导体激光器
The improved output performance of a broad-area vertical-cavity surface-emitting laser with an optimized electrode diameter
2013年
The output performance of a 980-nm broad-area vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) is improved by optimizing the p-electrode diameter in this study. Based on a three-dimensional finite-element method, the current density distribution within the active region of the VCSEL is optimized through the appropriate adjustment of the p-electrode diameter, and uniform current-density distribution is achieved. Then, the effects of this optimization are studied experimentally. The L-I-V characteristics under different temperatures of the VCSELs with different p-electrode diameters are investigated, and better temperature stability is demonstrated in the VCSEL with an optimized p-electrode diameter. The far-field measurements show that with an injected current of 2 A, the far-field divergence angle of the VCSEL with an optimized p-electrode diameter is 9°, which is much lower than the far-field angle of the VCSEL without this optimization. Also the VCSEL with an optimized p-electrode diameter shows a better near-field distribution.
张星宁永强秦莉佟存柱刘云王立军
共1页<1>
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