安徽省自然科学基金(KJ2010B472)
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
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- 相关机构：芜湖职业技术学院安徽大学更多>>
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- 部分重叠双栅MOSFET特性的研究
- 2012年
- 研究一种具有部分重叠双栅结构MOSFET器件模型,并将其与类似的分裂双栅结构MOSFET及普通栅结构MOSFET器件进行比较,利用MEDICI软件对该结构进行仿真.通过仿真可知:部分重叠双栅MOSFET器件通过沟道电场的调节,可降低短沟效应和等效栅电容、提高击穿电压,跨导可由栅压调节,阈值电压随沟道缩短而下降的变化率在文中讨论的3种结构中最小.
- 韩名君赵阳柯导明
- 关键词：短沟效应栅电容
- 基于功耗约束的电容交叉耦合低噪声放大器被引量：1
- 2013年
- 本文在TSMC0.18μm CMOS工艺下,采用差分电路结构,通过功耗约束的噪声优化方法设计了一个2GHz下的CMOS无线射频接收模块低噪声放大器。本文使用限定功耗的噪声优化方法设计放大器的器件参数,并且在电感负反馈cascode LNA的基础上引入一对交叉耦合的电容,消除了寄生电容的影响。通过EAD工具ADS2009软件对电路进行仿真,仿真结果表明本文所设计的低噪声放大器在1.8V供电下的主要参数为23.23dB的增益、0.778dB的噪声指数及11.5mw的功率消耗。
- 韩名君陈素芹葛胜升
- 关键词：CMOS低噪声放大器
