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国家自然科学基金(10675080)

作品数:7 被引量:9H指数:2
相关作者:闵嘉华梁小燕张继军赵岳桑文斌更多>>
相关机构:上海大学中国科学技术大学华瑞科学仪器上海有限公司更多>>
发文基金:国家自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金更多>>
相关领域:理学电子电信核科学技术更多>>

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 3篇理学
  • 1篇核科学技术

主题

  • 4篇晶体
  • 3篇CDZNTE...
  • 2篇有限元
  • 2篇有限元分析
  • 2篇有限元分析法
  • 2篇数值模拟
  • 2篇AU
  • 2篇CDZNTE
  • 2篇材料科学基础...
  • 2篇值模拟
  • 1篇电极
  • 1篇电极接触
  • 1篇电学性能
  • 1篇性能比较
  • 1篇英文
  • 1篇原子
  • 1篇原子核
  • 1篇正电子
  • 1篇正电子寿命
  • 1篇深能级

机构

  • 6篇上海大学
  • 1篇中国科学技术...
  • 1篇华瑞科学仪器...

作者

  • 6篇闵嘉华
  • 4篇梁小燕
  • 3篇张继军
  • 3篇桑文斌
  • 3篇赵岳
  • 2篇周晨莹
  • 2篇王长君
  • 2篇王焱
  • 1篇夏义本
  • 1篇叶邦角
  • 1篇顾莹
  • 1篇秦凯丰
  • 1篇王林军
  • 1篇钱永彪
  • 1篇李辉
  • 1篇戴灵恩
  • 1篇施朱斌
  • 1篇胡冬妮
  • 1篇李刚

传媒

  • 2篇无机材料学报
  • 2篇功能材料与器...
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇功能材料
  • 1篇Nuclea...

年份

  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2008
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
垂直布里奇曼法生长CdZnTe晶体的径向溶质偏析之有限元分析法模拟被引量:3
2011年
运用有限元分析软件Comsol Multiphys-ics,结合晶体生长固液界面曲率分析法,模拟了垂直布里奇曼法生长Cd0.9Zn0.1Te(CZT)晶体。研究了固液界面处曲率变化对于溶质径向偏析的影响,揭示了界面曲率与溶质偏析的内在关联性,并计算了数值。分析了3种晶体生长方式:(1)坩埚匀速生长;(2)两阶段坩埚变速生长;(3)坩埚回熔生长分别对于溶质偏析的影响。采用扫描电子显微镜SEM中的能谱仪EDX测量3种工艺的Zn组分分布:(1)模拟值比对实验结果发现可以运用固液界面的曲率平均值来推算溶质径向组分偏差的大小;(2)模拟推算的溶质径向偏差值更加接近于实验所得的溶质组分偏差最大值;(3)坩埚回熔生长法生长晶体的固液界面的波动性小,界面稳定性最好,溶质径向组分偏差也最小。
王焱闵嘉华梁小燕张继军
关键词:材料科学基础学科数值模拟曲率
Au-CZT与Au/Cr-CZT接触性能比较
2010年
本文通过附着力测试,应力模拟和IV特性及多道能谱分析对Au-CZT与Au/Cr-CZT接触进行研究。结果表明采用Au/Cr复合电极可提高电极附着强度和热稳定性。在老化实验中,Au-CZT界面附着力下降了61.98%,而Au/Cr-CZT仅降低28%。Au/Cr电极器件的漏电流较低,241Am射线下能谱响应更佳。分析其原因可能是Au与CZT间的Cr层降低了接触层内的热应力,合金化过程促进了金-半界面的互扩散,使Au和CZT更易形成欧姆接触,综合考虑Au/Cr复合电极能获得比Au电极更理想的接触性能。
梁小燕闵嘉华赵岳王长君桑文斌秦凯丰胡冬妮周晨莹
关键词:复合电极CZT探测器
Simulation of the anode structure for capacitive Frisch grid CdZnTe detectors被引量:2
2009年
CdZnTe(CZT)capacitive Frisch grid detectors can achieve a higher detecting resolution.The anode structure might have an important role in improving the weighting potential distribution of the detectors.In this paper, four anode structures of capacitive Frisch grid structures have been analyzed with FE simulation,based on a 3-dimensional weighting potential analysis.The weighting potential distributions in modified anode devices(Model B, C and D)are optimized compared with a square device(Model A).In model C and D,the abrupt weighting potential can be well modified.However,with increased radius of the circular electrode in Model C the weighting potential platform away from the anode becomes higher and higher and in Model D,the weighting potential does not vary too much.
MIN JiahuaSHI ZhubinQIAN YongbiaoSANG WenbinZHAO HengyuTENG JianyongLIU Jishan
关键词:重离子原子核核电子学
以有限元分析法对CdZnTe晶体的垂直布里奇曼法生长的组分过冷模拟计算被引量:1
2011年
本文采用有限元分析法,应用软件COMSOL,对Cd0.9Zn0.1Te(CZT)晶体垂直布里奇曼生长法进行模拟计算。为了研究固液界面过冷度的影响,通过改进传统的晶体生长模型只考虑热传导和热对流,加上了固液界面前沿过冷度的计算模型,组分过冷临界边界条件约束模型,研究分析了不同温度梯度和生长速率生长CZT晶体的曲率过冷度,组分过冷度,固液界面前沿的过冷度和热应力值。
王焱闵嘉华梁小燕张继军
关键词:材料科学基础学科数值模拟热应力
Au/CdZnTe电极接触的热处理优化工艺(英文)被引量:1
2009年
系统研究在空气气氛下热处理温度对真空蒸发法制备Au/CdZnTe电极接触特性的影响。结果表明,在353-373K温度范围内进行热处理可以获得更优化的电极接触性能,测试得到电极与CdznTe接触势垒较低,接触电阻较小,欧姆系数最佳,并且不会破坏CdZnTe体材料本身的性能。而当热处理温度高于400K时,Au电极沉积表面形貌明显变差,CdZnTe样品的漏电流大幅增加。这可能是由于随着热处理温度的增加,CdZnTe体材料表面的Cd升华加剧,产生大量的Cd空位引起的。
梁小燕闵嘉华王长君桑文斌顾莹赵岳周晨莹
关键词:CDZNTE电学性能
高阻In掺杂CdZnTe晶体缺陷能级的研究被引量:1
2008年
利用低压垂直布里奇曼法制备了不同In掺杂量的CdZnTe晶体样品,采用低温光致发光谱(PL)、深能级瞬态谱(DLTS)以及霍尔测试等手段研究了In掺杂CdZnTe晶体中的主要缺陷能级及其可能存在的补偿机制.PL测试结果表明,在In掺杂样品中,In原子占据了晶体中原有的Cd空位,形成了能级位于E_c-18meV的替代浅施主缺陷[In_(Cd)^+],同时[In_(Cd)^+]还与[V_(Cd)^(2-)]形成了能级位于E_v+163meV的复合缺陷[(In_(Cd)^+-V_(Cd)^(2-))^-].DLTS分析表明,掺In样品中存在导带以下约0.74eV的深能级电子陷阱能级,这个能级很可能是Te反位[Te_(Cd)]施主缺陷造成的.由此,In掺杂CdZnTe晶体的电学性质是In掺杂施主缺陷、Te反位深能级施主缺陷与本征受主缺陷Cd空位和残余受主杂质缺陷补偿的综合结果.
李刚桑文斌闵嘉华钱永彪施朱斌戴灵恩赵岳
关键词:碲锌镉深能级瞬态谱
坩埚中自由空间量对Bridgman法生长的CdZnTe晶体缺陷的影响被引量:1
2012年
采用Bridgman法生长CdZnTe晶体.分别采用红外透过显微镜和正电子湮灭寿命谱仪研究了CdZnTe晶体中的Te夹杂相、Cd空位等缺陷与坩埚中的自由空间量大小的关系.结果表明:随着坩埚自由空间量的减小,晶体中Te夹杂相密度从6.67×104/cm2降低到2.36×103/cm2,且Te夹杂相尺寸减小;晶体的正电子平均寿命值随着坩埚自由空间量的减小从325.4 ps降低到323.4 ps,表明晶体的Cd空位浓度及微结构缺陷减少;晶体的红外透过率和电阻率则随着坩埚自由空间量的减小大幅提高,进一步表明坩埚中自由空间量的减小能够有效地降低晶体中的缺陷浓度.
李辉闵嘉华王林军夏义本张继军叶邦角
关键词:CDZNTE正电子寿命
共1页<1>
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