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不同硅源对水热合成Zn_2SiO_4:Mn荧光材料形貌及性能的影响: 2011年; 分别以晶态和非晶态SiO2为硅源,在高压釜中采用水热法合成Zn2SiO4:Mn荧光粉,并对其晶体结构、形貌、光吸收及光致发光性能进行表征.结果表明,在220℃下反应6d,以晶态SiO2合成的Zn2SiO4:Mn纳米颗粒呈六棱柱状,具有单晶结构,颗粒长约5～8μm,平均直径约1μm;以非晶SiO2合成的Zn2SiO4:Mn纳米颗粒呈多晶结构,平均长约500nm,平均直径约100nm.2种硅源所制样品在250nm以下的紫外光区具有强吸收,且非晶SiO2所制样品在250～350nm具有良好的紫外光吸收能力.以不同硅源低温制备的Zn2SiO4:Mn样品在波长215和250nm的紫外光激发下均能产生520nm的绿色荧光,且在相同反应时间下非晶硅源制备的样品发光较强.; 许海艇徐光青郑治祥吴玉程; 关键词：水热合成光致发光

Ce掺杂Sr2MgSi2O7的溶胶-凝胶法制备及性能研究: 2009年; 采用溶胶－凝胶（sol-gel）法制备稀土离子Ce掺杂的Sr2MgSi2O7硅酸盐基发光材料，通过X射线衍射仪（XRD）、透射电子显微镜（TEM）、荧光分光光度计（PL）对样品的晶体结构、形貌及光学性能进行测试。XRD测试结果表明，在较低的热处理温度下可获得Sr2MgSi2O7相，但样品中也存在少量的其它杂质相。荧光光谱测试结果表明，经1000℃氢气处理1％Ce离子掺杂Sr2MgSi2O7样品中存在两套不同的光致发光带，一个为321nm光激发产生的371nm紫外发光，另一个为350nm激发产生的400—450hm的宽带可见发光，通过分析表明两个发光带分别起源于不同基体中的Ce^3＋离子。; 葛道文徐光青汤文明; 关键词：溶胶-凝胶法 SR2MGSI2O7 光致发光 CE掺杂

Zn_2SiO_4:Mn^(2+)发光材料的低温合成及其发光性能被引量：1: 2011年; 采用水热合成工艺低温制备了Mn2+掺杂的Zn2SiO4发光材料,采用X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)、扫描电子显微镜(Scanning electron microscope,SEM)对样品的结构和形貌进行观察,并以此分析了水热过程中Zn2SiO4的形成机制。采用吸收光谱、荧光光谱对其光吸收及光致发光性能进行分析。测试结果表明:水热220℃反应6 d基本可获得完全的Zn2SiO4,产物为短棒状,宽度约为0.25μm,长度约为1μm。吸收光谱显示产物在380,250,220 nm处存在光吸收,并且在253 nm紫外光激发下产生强烈的522 nm绿色发光。; 徐光青刘家琴郑治祥吴玉程; 关键词：光致发光水热合成

Ce^(3+)掺杂片状Sr_2MgSi_2O_7的合成及发光性能(英文)被引量：2: 2010年; 采用水热合成技术在不锈钢反应釜中制备铈离子掺杂硅酸盐基发光材料。通过X射线衍射、扫描电子显微镜表征产物的晶体结构、形貌及尺寸,并讨论硅酸镁锶晶体水热反应过程。结果表明:经220℃水热反应48h可形成硅酸镁锶相,水热反应产物经800℃保温2h和6h的热处理可明显提高产物中硅酸镁锶相含量。采用荧光光谱仪测试不同温度处理铈离子掺杂硅酸镁锶的光致发光性能,光源为氙灯,经氢气处理后样品中存在唯一波长位于371nm的紫外发光,该发光带激发光谱由3个发光峰组成,波长分别为262、287nm和317nm,该紫外发光强度随热处理温度上升而提高。; 徐光青朱仁萍郑治祥吴玉程; 关键词：光致发光水热合成

溶胶-凝胶法制备Eu掺杂Sr_2MgSi_2O_7光致发光性能被引量：6: 2010年; 采用溶胶-凝胶(sol-gel)法制备稀土离子Eu掺杂的Sr2MgSi2O7硅酸盐基发光材料,通过X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、荧光分光光度计(PL)对样品的晶体结构、形貌及光学性能进行测试。XRD测试结果表明,在较低的处理温度下可获得Sr2MgSi2O7,但样品中也存在其它的杂质相。荧光光谱测试结果表明,经空气中处理的Eu3+在395 nm光激发下产生590 nm、610 nm的发射峰,通过氢气还原处理后得到的Eu2+离子的发光从250到400 nm的紫外区可以激发峰值为460 nm左右的宽谱带,且随氢气还原温度的升高和Eu离子掺杂浓度的提高发光强度也增强。; 徐光青刘家琴郑治祥吴玉程; 关键词：溶胶-凝胶法 SR2MGSI2O7 光致发光 EU掺杂

Ce^(3+)及B^(3+)共掺杂纳米SiO_2的光致发光性能被引量：1: 2010年; 采用溶胶-凝胶法并结合后续700～1000℃热处理制备Ce3+、B3+共掺纳米SiO2材料。用X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)、透射电子显微镜(transmission electron microscope,TEM)、X射线光电子能谱、紫外-可见吸收光谱仪(ultraviolet-visible spectrophotometry,UV-Vis)及荧光光谱仪表征材料的结构、形貌、成分、光吸收及光致发光性能。XRD及TEM分析结果表明:该纳米材料具有非晶态结构,一次颗粒尺寸为10nm左右。UV-Vis吸收光谱显示:共掺样品在紫外区有吸收峰,其主吸收峰位于225nm和260nm。荧光光谱分析显示,经过H2气氛处理的样品中存在两套光致发光谱:一套为258nm激发产生的363nm紫外发光;另一套为317nm激发产生的407nm的宽带发光。对比分析经过不同温度处理以及不同B3+掺量样品的发光光谱,初步探讨两发光峰的起源。; 徐光青汤文明郑治祥吴玉程; 关键词：光致发光溶胶-凝胶法

Al^3＋ -Ce^3＋共掺杂纳米SiO2的发光性能: 2009年; 采用溶胶-凝胶技术制备了Al^(3+)-Ce^(3+)共掺杂的纳米SiO_2,并对其进行H_2气氛中700～800℃的热处理。采用透射电子显微镜(transmission electron microscope,TEM)、Fourier红外光谱仪(Fourier transform infrared spectroscopy,FTIR)、紫外-可见分光光度计(ultraviolet-visible spectrophotometry, UV-Vis)及荧光光谱仪观察并测试掺杂改性纳米SiO_2的形貌及光学性能。结果表明,掺杂纳米SiO_2中存在两个起源不同的383nm发光带:一个为由245nm激发产生的383nm和402nm双峰结构的发光带,该发光起源于纳米SiO_2的本征缺陷中心;另一个为由314nm激发产生的383nm宽带发光,该发光带起源于掺杂的Ce^(3+);并且研究了该发光带强度与Al^(3+)的掺杂浓度以及热处理温度的关系。; 周匣郑治祥徐光青吕珺; 关键词：光致发光溶胶-凝胶法

纳米Zn2SiO4∶Mn包覆SiO2颗粒的制备及表征: 2010年; 采用水热合成方法添加KOH在SiO2颗粒表面包覆Mn^2＋掺杂纳米Zn2SiO4,通过X射线衍射（XRD）仪、扫描电子显微镜（SEM）、能谱、光致发光（PL）光谱仪对产物的晶体结构、形貌及光学性能进行表征,并对Zn2SiO4晶体在水热反应过程中的反应机制进行了讨论。XRD测试结果表明：220℃水热条件下,添加少量KOH,反应不同时间后,可在石英砂表面生成一层Zn2SiO4;SEM照片显示所生成的Zn2SiO4为六棱柱形,并且不同反应条件下Zn2SiO4的包覆程度不同。反应产物经光致发光性能研究表明：Mn^2＋掺杂纳米Zn2SiO4包覆SiO2样品中显示两套光致发光谱,一套为250nm左右激发产生的522nm绿色发光带,另一套为340～410nm宽带激发的440nm蓝色发光带,前者为典型的Mn^2＋离子发光,后者440nm发光带则有可能来源于基体SiO2的氧空位缺陷。; 王雷燕徐光青郑治祥; 关键词：水热合成 SIO2 光致发光

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