国家高技术研究发展计划(2001AA30304)
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- Mg:Er:LiNbO3晶体波导基片抗光损伤的研究
- 2004年
- 以Czochralski技术生长Mg(2mol%):Er(1mol%):LN,Mg(4mol%):Er(1mol%):LN,Mg(6mol%):Er(1mol%):LN,Mg(8mol%):Er(1mol%):LN和Er(1mol%):LN晶体.测试了Mg:Er:LiNbO3晶体的红外光谱,Mg(2mol%):Er:LN,Mg(4mol%):Er:LN OH-吸收峰在3486cm-1附近,Mg(6mol%):Er:LN和Mg(8mol%):Er:LN晶体OH-吸收峰移动到3535cm-1附近,对Mg:Er:LN晶体OH-吸收峰移动机理进行研究.采用m线法测试Mg:Er:LN晶体光损伤阈值.Mg(6mol%):Er(1mol%):LN和Mg(8mol%):Er:LN晶体光损伤阈值比Er:LN晶体提高两个数量级以上.Mg(2mol%):Er:LN和Mg(4mol%):Er:LN晶体比Er(1mol%):LN晶体提高一个数量级.
- 夏宗仁徐朝鹏郑威徐玉恒
- 关键词：光损伤
- 高掺镁LiNbO3晶体抗光折变性能研究
- 2004年
- 在LiNbO3中掺进MgO以提拉法生长Mg(1mol%):LN,Mg(3mol%):LN,Mg(5mol%):LN,Mg(7mol%):LN,和Mg(9mol%):LN晶体.改进晶体生长工艺条件,解决了在生长中出现的脱溶,散射颗粒,生长条纹等缺陷.生长出高质量高掺镁LiNbO3晶体.测试Mg:LiNbO3晶体的红外光谱,当Mg2+的浓度达到或超过阈值浓度的Mg:LiNbO3晶体,OH-吸收峰移到3535cm-1,晶体抗光损伤能力比LiNbO3晶体提高两个数量级以上.测试Mg:LiNbO3晶体的倍频性能(相位匹配温度,倍频转换效率)Mg:LiNbO3晶体的相位匹配温度随Mg2+浓度的增加而改变,Mg(5mol%):LN,晶体的相位匹配温度达到116℃,Mg(9mol%):LN晶体在室温附近.
- 夏宗仁吴剑波郑威徐玉恒
- 关键词：LINBO3晶体红外光谱
- 高掺镁LiNbO3晶体抗光折变性能研究
- 在LiNbO3中掺进MgO以提拉法生长Mg(1mol%):LN, Mg(3mol%):LN,Mg(5mol%):LN,Mg(7mol%):LN,和Mg(9mol%):LN晶体.改进晶体生长工艺条件,解决了在生长中出现的脱...
- 夏宗仁吴剑波郑威徐玉恒
- 关键词：LINBO3晶体红外光谱
- 文献传递
- Mg:Er:LiNbO3晶体波导基片抗光损伤的研究
- 以Czochralski技术生长Mg(2mol%):Er(1mol%):LN,Mg(4mol%):Er(1mol%):LN,Mg(6mol%):Er(1mol%):LN,Mg(8mol%):Er(1mol%):LN和Er...
- 夏宗仁徐朝鹏郑威徐玉恒
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