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国家高技术研究发展计划(2007AA032310)

作品数：2 被引量：3H指数：1
相关作者：于广华滕蛟李建伟赵崇军更多>>
相关机构：北京科技大学更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 1篇低频噪声
  • 1篇信噪比
  • 1篇退火
  • 1篇子层

机构

  • 2篇北京科技大学

作者

  • 2篇李建伟
  • 2篇滕蛟
  • 2篇于广华
  • 1篇赵崇军

传媒

  • 1篇功能材料
  • 1篇磁性材料及器...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
利用NiFeCr种子层提高AMR薄膜信噪比研究
2013年
NiFeCr种子层可以明显降低NiFe薄膜的低频噪声,提高信噪比。制备态下NiFeCr为种子层的NiFe薄膜的低频噪声比以Ta打底的NiFe薄膜的低频噪声下降10倍,250℃下保温2h退火后以Ta打底的NiFe薄膜的低频噪声因扩散而明显上升,而NiFeCr为种子层的NiFe薄膜的低频噪声则有小幅下降。电镜分析表明NiFeCr种子层与NiFe层形成良好的晶格匹配关系,可以基本实现NiFe完全外延式的生长。
李建伟赵崇军滕蛟于广华
关键词：低频噪声退火信噪比
磁电阻薄膜材料噪声研究进展被引量：3
2012年
磁电阻薄膜材料中的噪声表现出1/f特征,1/f噪声深刻地反映着介观系统内部的输运机制和磁序转变过程。系统总结了磁电阻薄膜中的1/f噪声理论,指出1/f噪声可分为磁1/f噪声和电1/f噪声,前者是1/f噪声的主要部分。1/f噪声与磁电阻薄膜的制备方式、内部缺陷、磁畴分布、体系结构和界面因素都有密切关系。改善界面结构和提高磁畴的稳定性可以改善1/f噪声。1/f噪声在检测器件稳定性和表征磁化转变过程方面有着非常重要的实际应用。
李建伟于广华滕蛟
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