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国家高技术研究发展计划(2002AA305510)

作品数:3 被引量:4H指数:1
相关作者:张伟儒李伶山玉波张晓霞殷盼盼更多>>
相关机构:山东工业陶瓷研究设计院有限公司沈阳建筑大学东北大学更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划辽宁省教育科学规划课题辽宁省自然科学基金更多>>
相关领域:化学工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇化学工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇氮化
  • 2篇氮化硅
  • 2篇陶瓷
  • 2篇气孔率
  • 1篇氮化硅陶瓷
  • 1篇多孔
  • 1篇多孔氮化硅
  • 1篇多孔氮化硅陶...
  • 1篇烧结温度
  • 1篇烧结助剂
  • 1篇陶瓷材料
  • 1篇气孔
  • 1篇热稳定
  • 1篇热稳定性
  • 1篇微观结构
  • 1篇高强
  • 1篇SI
  • 1篇DTA

机构

  • 3篇山东工业陶瓷...
  • 2篇沈阳建筑大学
  • 1篇东北大学
  • 1篇济南大学

作者

  • 3篇李伶
  • 3篇张伟儒
  • 2篇张晓霞
  • 2篇山玉波
  • 1篇殷盼盼
  • 1篇张训虎
  • 1篇程之强
  • 1篇何兆晶
  • 1篇高芳
  • 1篇田柯
  • 1篇侯竟伟

传媒

  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇现代技术陶瓷
  • 1篇沈阳建筑大学...

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2006
  • 1篇2005
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
磷酸锆基陶瓷材料的制备与性能研究被引量:1
2005年
利用共沉淀法制备了磷酸锆,用差热分析法(DTA)研究了Zr2P2O7的热稳定性情况,并进一步研究了烧结助剂的量、烧结温度等对其性能的影响。
李伶张伟儒田柯程之强何兆晶高芳
关键词:DTA热稳定性烧结助剂烧结温度
不同制备工艺对多孔氮化硅陶瓷微观结构的影响被引量:1
2006年
目的制备高气孔率、高强度的氮化硅陶瓷,分析复合助剂A、Al2O3、碳粉、烧结温度等因素对高气孔率、高强度的氮化硅陶瓷材料微观结构的影响.方法采用部分烧结工艺和添加造孔剂工艺制备实验材料.利用阿基米德法、三点弯曲法测试了材料的密度、显气孔率及弯曲强度;借助扫描电子显微镜(SEM)进行微观结构分析.结果成功制备出结构比较均匀并且有高气孔率和较高强度的氮化硅陶瓷,当气孔率高达51.14%时,强度仍具有172 MPa.结论均匀气孔获得主要是由长柱状β-Si3N4晶粒在三维空间搭接构成的,烧结温度提高有助于长柱状β-Si3N4的转变与发育;柱状晶强度高、缺陷少是获得高强度的主要原因.在一定范围内,碳粉含量增加有助于气孔率的提高.
张晓霞山玉波张伟儒李伶侯竟伟张训虎
关键词:氮化硅微观结构气孔率
高气孔、高强Si_3N_4陶瓷材料的研究被引量:2
2008年
采用部分烧结工艺,利用复合助剂A作为烧结助剂,成功的制备出了材质比较均匀且有较高强度、高气孔氮化硅陶瓷。借助XRD、SEM等仪器对其物相组成和微观结构进行了研究。实验结果表明:在适当的工艺下可以制得弯曲强度大于160 MPa,气孔率>50%的多孔氮化硅陶瓷。气孔主要是由长柱状β-Si_3N_4晶粒搭接而成的,均匀的气孔分布和高的长径比结构是获得高强度的主要原因。
张晓霞山玉波张伟儒李伶殷盼盼
关键词:气孔率氮化硅
共1页<1>
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