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国家重点基础研究发展计划(2001CB309505)

作品数：2 被引量：2H指数：1
相关作者：施毅濮林王军转刘明郑有炓更多>>
相关机构：南京大学中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划江苏省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 1篇电子器件
  • 1篇电子输运
  • 1篇性质及应用
  • 1篇锗量子点
  • 1篇输运
  • 1篇量子点
  • 1篇纳电子器件
  • 1篇近藤效应
  • 1篇晶格
  • 1篇库仑阻塞
  • 1篇光学
  • 1篇光学特性
  • 1篇OSCILL...
  • 1篇PL谱
  • 1篇QDS
  • 1篇QUANTI...
  • 1篇RAMAN谱
  • 1篇STRONG
  • 1篇CONFIN...
  • 1篇DO

机构

  • 2篇南京大学
  • 1篇中国科学院微...

作者

  • 2篇濮林
  • 2篇施毅
  • 1篇陈杰智
  • 1篇张荣
  • 1篇鄢波
  • 1篇杨铮
  • 1篇郑有炓
  • 1篇刘明
  • 1篇王军转

传媒

  • 1篇南京大学学报...
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 3篇2006
  • 1篇2005
共 2 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
锗量子点超晶格的光学特性被引量：1
2005年
对自组装生长的Ge量子点超晶格样品进行了光荧光谱 (PL谱 )和拉曼散射谱 (Raman谱 )实验测量研究 .对Si的TO发光峰和Ge的发光峰特征进行了深入讨论 ,通过对变温PL谱的拟合及分析提出了对Ge量子点尺寸和其电子有效质量一种新的测评方法 ;首次在非共振Raman模式下观测到低频声子模 ,研究了样品的结构组份、应变及声子限制效应间的关联性 .
施毅杨铮濮林鄢波王军转刘建林张荣郑有
关键词：PL谱RAMAN谱
Effects of Quantized Energy Levels of QDs Confined in Asymmetric Barriers within Silicon Nanowire Transistor
＜正＞Single-electron transistors with Silicon nanowire channel are successfully fabricated using TMAH anisotropi...
Jiezhi ChenYi ShiLin PuYoudou ZhengShibing LongMing Liu
文献传递
Coulomb Blockade Oscillations in Silicon Single-electron Transistor with a Strong Gate-dot Coupling
＜正＞A novel structure of Si single-electron transistor（SET） with strong gate-dot coupling is developed,where th...
Jiezhi ChenYi ShiLin PuYoudou ZhengShibing LongMing Liu
文献传递
纳电子器件的少电子输运性质及应用被引量：1
2006年
在介绍纳电子器件基本输运理论基础上,着重分析量子点结构器件模型,讨论了量子点上能级分立和电子填充的各种情况,以及电子自旋的影响,特别强调了纳米限制系统中局域态电子和非局域态电子相互作用特征。综述了目前纳电子器件的研究进展及其应用。
陈杰智施毅濮林刘明郑有炓
关键词：纳电子器件库仑阻塞近藤效应
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