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上海市科委科研计划项目(0652nm047)
作品数:
1
被引量:1
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相关作者:
朱兴文
马季
李英伟
李勇强
夏义本
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马季
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朱兴文
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压电与声光
年份
1篇
2008
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LP同质过渡层对ZnO薄膜结构性能的影响
被引量:1
2008年
采用磁控溅射法低功率在玻璃衬底上制备低功率(LP)过渡层,再在其上高功率生长ZnO薄膜,研究了LP过渡层对薄膜结构性能的影响。XRD和SEM结果表明,引入LP过渡层后,高射频(RF)功率溅射的ZnO薄膜(002)定向性显著改善。随溅射功率的提高,薄膜(002)定向性有所下降,但致密性明显好转。与无过渡层薄膜相比,在溅射功率分别为30 W和50 W过渡层上生长的薄膜晶粒变大。研究表明,在30 W的LP过渡层上用200 W功率制备的薄膜性能最佳。
李勇强
朱兴文
李英伟
马季
夏义本
关键词:
ZNO薄膜
磁控溅射法
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