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广东省粤港关键领域重点突破项目(207A01501008)
作品数:
1
被引量:1
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相关作者:
邢海英
张国义
杨学林
范广涵
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北京大学
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2010
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金属有机化学气相淀积技术制备GaMnN薄膜材料光学性质研究
被引量:1
2010年
研究由MOCVD技术制备的GaMnN外延薄膜光吸收谱.实验发现Mn掺杂后较未掺杂GaN吸收系数在近紫外区增加,在吸收谱低能区1.44eV附近观察到吸收峰,吸收系数随Mn浓度的增加而增大.实验结果与基于密度泛函理论的第一性原理计算结果一致,结合理论计算分析认为1.44eV附近的吸收峰源于Mn3+离子e态与t2态间的带内跃迁5T2→5E.
邢海英
范广涵
杨学林
张国义
关键词:
GAMNN
MOCVD
密度泛函理论
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