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国家自然科学基金(F040402)

作品数：1 被引量：2H指数：1
相关作者：张金凤郝跃魏巍冯倩张进城更多>>
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电子迁移率
  • 1篇迁移率
  • 1篇晶体管
  • 1篇击穿电压
  • 1篇高电子迁移率
  • 1篇高电子迁移率...
  • 1篇ALGAN/...
  • 1篇场板
  • 1篇场板结构
  • 1篇尺寸

机构

  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 1篇张进城
  • 1篇冯倩
  • 1篇魏巍
  • 1篇郝跃
  • 1篇张金凤

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
AlGaN／GaN场板结构高电子迁移率晶体管的场板尺寸优化分析被引量：2
2008年
对不同场板尺寸的AlGaN/GaN场板结构高电子迁移率晶体管进行了研究,建立简化模型分析场板长度对沟道电场分布的影响.结果表明,调整钝化层厚度和场板长度都可以调制沟道电场的分布形状,当场板长度较小时,随着长度的增大器件击穿电压随之增加,而当长度增大到一定程度后器件击穿电压不再增加.通过优化场板长度,器件击穿电压提高了64%,且实验结果与模拟结果相符.
魏巍郝跃冯倩张进城张金凤
关键词：ALGAN/GAN击穿电压
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