国家自然科学基金(69766001)
- 作品数：12 被引量：23H指数：3
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- 相关机构：南昌大学北京师范大学复旦大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- MEVVA离子源(Si,Er)双注入热氧化SiO_2/Si薄膜近红外光致发光的研究被引量：1
- 2000年
- 利用金属蒸发真空弧(MEVVA)离子源将Si和Er离子双注入到不同厚度热氧化SiO_2/Si薄膜,获得高浓度Er掺杂硅基发光薄膜。RBS分析表明,稀土元素Er离子掺杂到热氧化SiO_2/Si薄膜中的Er原子浓度百分比达到～10at.％,即Er原子体浓度为～10^(21)/cm^3。这是高能离子注入所不能达到的,它为稀土Er离子高掺杂硅基发光薄膜的制备提供了一个新途径。XPS研究发现,热氧化SiO_2膜厚,溅射保留量多;Er以固溶态存在。在77K下,我们获得了近红外区1540 nm处较强的光致发光。氧离子对Er掺杂热氧化SiO_2/Si薄膜近红外光致发光起了很大作用,发光强度提高了3～5倍。
- 徐飞程国安肖志松朱景环王水凤张通和
- 关键词：热氧化双注入光致发光
- 小束流稀土Nd3+注入硅基薄膜材料结构及光致发光的研究
- 稀土元素掺杂的硅基薄膜材料是一种较有前景的新型发光材料。由于稀土元素的价电子排布在未饱和的4f内壳层,受到5p、6s壳层电子的有效屏蔽,从而使稀土元素与晶格之间的电子—声子耦合较弱。因此,这类材料受温度、晶体场和基质材料...
- 曾宇昕王水凤程国安肖志松元美玲
- 关键词：离子注入光致发光
- 文献传递
- 稀土Ce,Nd注入硅基薄膜光致发光特征
- 硅基发光材料有可能实现硅光电子集成,近年来,对其发光特性的研究受到极大重视和广泛关注。但由于它是间接带隙半导体,发光效率低而难以涉足新兴的光信息传输、存储与处理等前沿光电子领域。为了获得高效可见发光材料,人们进行了多方面...
- 元美玲曾宇昕王水风
- 文献传递
- MEVVA源离子注入合成钕硅化物的研究被引量：1
- 2002年
- 用MEVVA离子源将稀土Nd离子注入到硅基片中 ,可以合成出性能良好的钕硅化合物。用电子显微镜和X射线衍射对样品进行了观测 ,随着退火温度的升高 ,注入层的薄层方块电阻R□ 显著下降 ,注入层形成Nd5Si4 和NdSi两种硅化钕相 ,并逐渐向NdSi相转变。
- 王水凤曾宇昕程国安徐飞
- 关键词：离子注入集成电路导电性
- (Si,Er)双注入热氧化SiO_2/Si薄膜的表面结构及1.54μm光发射
- 2001年
- 利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将 Si和 Er离子双注入到不同厚度热氧化 Si O2 / Si薄膜中获得 Er掺杂硅基发光薄膜 .掺杂到热氧化 Si O2 / Si薄膜表面的 Er原子浓度可达到～ 10 % ,即体浓度～ 10 2 1 cm- 3 .热氧化 Si O2膜越厚 ,溅射后 Si O2 保留量越多 ;再结晶硅颗粒结晶程度提高 ,逐渐纳米化 ;未见有大量的 Er偏析或铒硅化物形成 ,Er大部分以固溶形式存在 .在 77K下获得了较强 1.5 4μm光致发光信号 。
- 徐飞肖志松程国安易仲珍曾宇昕张通和顾岚岚
- 关键词：双注入掺铒硅光致发光
- 稀土La、Nd掺杂硅基薄膜光致发光特性被引量：2
- 2000年
- 测量了La、Nd稀土离子注入Si基晶片 ,在不同退火条件下的室温光致发光(PL)谱 ,结果表明它们均具有蓝、紫发光峰 ,且发光稳定。在一定范围内发光效率随掺杂浓度的增加而增大、随退火条件的不同而改变。并对样品的发光机理作了初步探讨。
- 王水凤曾宇昕元美玲徐飞程国安
- 关键词：稀土掺杂离子注入硅基薄膜光致发光
- La、O^+双注入硅基薄膜室温可见光致发光研究
- 2000年
- 测量了用离子注入方法将La、O+双注入硅基样品在室温下的光致发光 (PL)谱 ,实验结果表明它们均具有蓝、紫发光峰 ,且发光稳定。在一定范围内发光效率随退火温度和注入顺序的不同而变化。用原子力显微镜观察了不同条件下制备的样品的表面形貌 ,并对样品的发光机理作了初步探讨。
- 元美玲曾宇昕徐飞王水凤程国安
- 关键词：光致发光硅基薄膜表面形貌
- 铒掺杂富硅热氧化SiO_2/Si发光薄膜的显微结构被引量：3
- 2001年
- 利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将稀土元素Er离子掺杂到富硅热氧化SiO2 /Si薄膜中。卢瑟福背散射 (RBS)和X 射线电子能谱仪 (XPS)分析表明 ,Er浓度可达原子百分数 (x)～ 10 ,即Er的原子体浓度为～ 10 2 1·cm-3 。XPS研究发现 ,随着Si注量增大 ,退火态样品表面硅含量增多 ,热氧化硅含量减少。反射式高能电子衍射 (RHEED)和原子灵敏度因子法 (AFM)研究表明 ,样品表面没有大量Er析出或铒硅化物形成 ,退火后表层中Si外延再生长、有针状微晶硅颗粒形成。在 77K及室温下 ,研究了Er掺杂富硅热氧化SiO2 /Si薄膜的近红外区 1 5
- 徐飞肖志松程国安易仲珍曾宇昕张通和顾岚岚
- 关键词：半导体薄膜铒显微结构富硅氧化硅
- 掺杂硅基氧化薄膜光致发光特性研究被引量：2
- 1999年
- 测量了用离子注入方法Ｓｉ＋ →ＳｉＯ２ ，Ｃ＋ →ＳｉＯ２ ，ＳｉＯ２ ：Ｌａ 和ＳｉＯ２ ：Ｅｒ 样品室温下的光致发光（ＰＬ） 谱和相应的光致发光激发（ＰＬＥ） 谱，结果表明它们均具有蓝、紫发光峰，且发光稳定。在一定范围内发光效率随掺杂浓度的增加而增大。对样品的发光机理作了初步探讨。
- 王水凤王平曾宇昕徐飞
- 关键词：离子注入光致发光稀土掺杂
- 低束流钕离子注入外延硅薄层的结构研究
- 2003年
- 采用金属蒸气真空弧(MEVVA)离子源以低束流方式将Nd离子注入到外延硅片中,经高温快速退火处理,制备了结晶良好的钕硅掺杂层。用扫描电子显微镜(SEM)、反射式高能电子衍射(RHEED)和X射线衍射(XRD)分析了在不同退火条件下样品注入层相结构的变化。研究结果表明,经高温热处理,注入层形成结晶良好的钕硅化合物,出现由Nd5Si4相向NdSi相转变的趋势。并对其转变过程进行了初步探讨。
- 曾宇昕程国安王水凤肖志松
- 关键词：离子注入
