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上海-AM基金(08700741300)

作品数：1 被引量：5H指数：1
相关作者：田亮周进赖宗声黄爱波陈磊更多>>
相关机构：华东师范大学更多>>
发文基金：上海市科学技术委员会资助项目上海市教育委员会重点学科基金上海-AM基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电路
  • 1篇射频
  • 1篇射频开关
  • 1篇开关
  • 1篇开关电路
  • 1篇隔离度
  • 1篇高隔离
  • 1篇高隔离度
  • 1篇SOI
  • 1篇CMOS
  • 1篇插入损耗

机构

  • 1篇华东师范大学

作者

  • 1篇陈磊
  • 1篇黄爱波
  • 1篇赖宗声
  • 1篇周进
  • 1篇田亮

传媒

  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
低插入损耗高隔离度SOI射频开关电路的研究被引量：5
2009年
基于0.18μm RF SOI CMOS工艺,提出了一种可广泛应用于无线通信系统中的低插入损耗高隔离度SOI射频开关电路。该电路利用SOI器件的特殊结构(隐埋氧化层BOX,高阻衬底)和特殊SOI器件(FB,BC,BT等),使电路采用的器件较之体硅CMOS器件具有更优的隔离性能,实现了降低插入损耗和增加隔离度的目的。该电路经过模拟仿真,在频率为2.4GHz时,插入损耗和隔离度分别为-1dB和40dB。
田亮陈磊周进黄爱波赖宗声
关键词：SOI射频开关CMOS高隔离度
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