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国家自然科学基金(50502038)

作品数:3 被引量:11H指数:3
相关作者:高相东李效民邱继军于伟东甘小燕更多>>
相关机构:中国科学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金上海市自然科学基金“上海-应用材料研究与发展”基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇电池
  • 1篇电化学
  • 1篇电化学性能
  • 1篇电特性
  • 1篇多孔
  • 1篇液相
  • 1篇液相沉积
  • 1篇室温
  • 1篇太阳电池
  • 1篇染料敏化
  • 1篇染料敏化太阳...
  • 1篇离子
  • 1篇离子吸附
  • 1篇敏化
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米多孔
  • 1篇化学性能
  • 1篇光电
  • 1篇光电材料
  • 1篇光电化学

机构

  • 3篇中国科学院

作者

  • 3篇李效民
  • 3篇高相东
  • 2篇甘小燕
  • 2篇于伟东
  • 2篇邱继军
  • 1篇黄宇迪
  • 1篇张树德
  • 1篇李浩然

传媒

  • 2篇无机材料学报
  • 1篇物理化学学报

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2008
  • 1篇2007
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
CuSCN薄膜的室温液相沉积及其光学性能被引量:4
2008年
采用连续离子层吸附与反应(SILAR)方法,在室温液相条件下(20~25℃)制备了沉积于玻璃衬底上的CuSCN半导体薄膜,以X射线衍射、扫描电镜、光学透过谱考察了所得薄膜的晶体结构、微观表面断面形貌和光学性能,探讨了影响CuSCN薄膜沉积的关键因素.结果表明,所得薄膜具有明显结晶性及沿c轴择优生长趋势,表面致密、均匀,分别由50~100nm的较大颗粒和20~30nm的小颗粒紧密堆聚而成;薄膜在400~800nm波段的透过率为50%~70%,光学禁带宽度为3.94eV.CuSCN薄膜的沉积过程受铜前驱液中S_2O_3^(2-)与Cu^(2+)的摩尔比、衬底漂洗方式和生长温度等因素影响显著,高络离子浓度、多次沉积反应后再进行衬底漂洗、以及室温生长条件有利于得到高质量的CuSCN薄膜.
高相东李效民于伟东邱继军甘小燕
关键词:CUSCN光学性能
PbO-PbI_2复合物膜转化的CH_3NH_3PbI_3钙钛矿薄膜及其光电特性(英文)被引量:4
2015年
有机-无机卤化物钙钛矿是一类优异的光电材料.在过去四年内,基于有机-无机卤化物钙钛矿的光电器件实现了超过15%的光电转换效率.而有机-无机卤化物钙钛矿材料的可控制备是保证其在光电器件中应用的基础.本文采用新的沉积方法在玻璃衬底表面制备了一种典型的有机-无机卤化物钙钛矿CH3NH3Pb I3薄膜.其制备过程是:采用超声辅助的连续离子吸附与反应法在玻璃衬底表面沉积Pb O-Pb I2复合物膜,之后与CH3NH3I蒸汽在110°C环境下反应,将Pb O-Pb I2复合物膜转化成CH3NH3Pb I3钙钛矿薄膜.对CH3NH3Pb I3薄膜的微观结构,结晶性及其光电性能等进行了表征.结果表明,CH3NH3Pb I3薄膜呈晶态,具有典型的钙钛矿晶体结构.薄膜表面形貌均匀,晶粒尺寸超过400 nm.在可见光范围,CH3NH3Pb I3薄膜透过率低于10%,能带宽度为1.58e V.电学性能研究表明CH3NH3Pb I3薄膜表面电阻率高达1000 MΩ.高表面电阻率表明CH3NH3Pb I3薄膜具有一定的介电性能,其介电常数(εr)在100 Hz时达到155.本研究提出了一种制备高质量CH3NH3Pb I3钙钛矿薄膜的新方法,所得CH3NH3Pb I3薄膜可望在光、电及光电器件中得到应用.
丁绪坤李效民高相东张树德黄宇迪李浩然
关键词:光电材料
纳米多孔TiO_2厚膜的制备及其汞溴红敏化光电化学性能被引量:3
2007年
采用"粉末刮涂"与"化学分散"相结合的方法制备了用于染料敏化太阳电池光阳极的纳米多孔TiO_2厚膜,解决了传统工艺中TiO_2浆料难于制备和保存等问题,同时可对膜层微结构进行精确调控.采用X射线衍射、扫描电镜、透射电镜等表征所得膜层的晶体结构、表面和断面形貌;采用透过光谱考察了涂覆次数、退火温度、汞溴红敏化对TiO_2膜光学性质的影响,并以汞溴红敏化TiO_2膜为光阳极制作了染料敏化太阳电池原型器件.结果表明,采用以稀硝酸为分散剂、低分子量聚乙二醇为结构调控剂的化学分散技术可以制得满足染料电池要求的TiO_2厚膜.所得膜层致密均匀,无孔洞、缺陷以及分层现象,在纳米尺度表现出典型的纳米多孔结构特征.浆料涂覆次数、退火温度、汞溴红吸附对纳米多孔膜层的光学透过率影响显著.采用汞溴红敏化TiO_2光阳极制作的染料电池原型器件具有较强的光电响应,经12~15次涂覆、500℃退火工艺制得的膜层显示出较优的电池性能(V_(oc)~430mV,I_(sc)~150~215μA).
高相东李效民于伟东邱继军甘小燕
关键词:TIO2纳米多孔厚膜染料敏化太阳电池
共1页<1>
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