国际科技合作与交流专项项目(G[2012]7004)
- 作品数：3 被引量：10H指数：2
- 相关作者：谢泉肖清泉陈茜余宏张晋敏更多>>
- 相关机构：贵州大学贵州师范大学更多>>
- 发文基金：国际科技合作与交流专项项目国家自然科学基金贵州省科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺理学一般工业技术更多>>
- Si衬底上低真空热处理制备单一相Mg_2Si半导体薄膜被引量：4
- 2013年
- 采用磁控溅射沉积方法制备Mg2Si半导体薄膜。首先在Si衬底上沉积Mg膜,随后低真空热处理。采用X射线衍射、扫描电镜、拉曼光谱对Mg2Si薄膜的结构进行表征。研究了在低真空(10-1～10-2Pa)条件下热处理温度(350～550℃)和热处理时间(3～7h)对Mg2Si薄膜形成的影响。结果表明,低真空热处理条件下制备了单一相Mg2Si半导体薄膜,400～550℃热处理4～5h是最佳的热处理条件。在拉曼谱中256和690cm-1处观察到两个散射峰,这与Mg2Si的拉曼特征峰峰位一致。
- 肖清泉谢泉沈向前张晋敏陈茜
- 关键词：半导体薄膜MG2SI磁控溅射
- Mg_2Si半导体薄膜的热蒸发制备被引量：10
- 2013年
- 采用电阻式热蒸发方法和退火工艺制备出了Mg2Si半导体薄膜。研究了退火时间对Mg2Si薄膜的形成和结构的影响。首先在Si(111)衬底上沉积380nm Mg膜,然后在退火炉低真空10-1～10-2Pa氛围400℃退火,退火时间分别为3、4、5、6和7h。通过X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)和拉曼光谱仪对薄膜的结构、形貌和光学性质进行了表征。结果表明,采用电阻式热蒸发方法成功地制备了半导体Mg2Si薄膜,Mg2Si薄膜具有Mg2Si(220)的择优生长特性。最强衍射峰出现在40.12°位置,随着退火时间的延长,Mg2Si(220)衍射峰强度先逐渐变强后变弱,退火4h时该峰强度最强。在256和690cm-1附近有两个Mg2Si拉曼特征峰,退火时间为4和7h时,256cm-1附近Mg2Si拉曼特征峰较强。
- 余宏谢泉肖清泉陈茜
- 关键词：热蒸发退火时间
- Mg2Si/Si异质结的制备及I-V特性研究
- 2016年
- 采用磁控溅射和热处理系统制备Mg_2Si/Si异质结。首先在n-Si(111)衬底上沉积Mg膜,经热处理后得到Mg_2Si/Si异质结。利用XRD、SEM、表面轮廓仪、伏安特性测试仪和霍尔效应测试仪,研究了Mg_2Si/Si异质结的晶体结构、表面形貌、Mg_2Si薄膜厚度、I-V特性及导电类型。结果表明,成功制备了Mg_2Si/Si异质结,并得到其平均载流子浓度(-9.30×1012 cm-3)、导通电压(0.31V)、导通电流(0.6mA)、工作电压(0.53V)等,测得该异质结为n-n型。
- 王善兰廖杨芳吴宏仙梁枫杨云良肖清泉谢泉
- 关键词：磁控溅射I-V特性
