北京市科委基金(Z08080302110801)
- 作品数：4 被引量：13H指数：3
- 相关作者：刘金刚杨士勇尹志华杨海霞赵晓娟更多>>
- 相关机构：中国科学院北京波米科技有限公司东京工业大学更多>>
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- 相关领域：电子电信化学工程更多>>
- 正性光敏聚酰亚胺研究与应用进展(一)被引量：4
- 2008年
- 正性光敏聚酰亚胺(p-PSPI)是一类重要的集成电路(IC)封装材料,广泛用于IC器件的应力缓冲、表面钝化以及层间绝缘。与传统的负性光敏聚酰亚胺(n-PSPI)相比,p-PSPI无论在光刻精度还是环境友好性方面均表现出了更为优良的品质。文章综述了国内外p-PSPI电子封装材料的最新研究与应用进展状况。系统阐述了p-PSPI的光化学机理。对目前商业化p-PSPI产品的特性、在微电子以及光电子领域的应用和未来发展趋势进行了介绍。最后对国内高性能p-PSPI电子材料的研发工作提出了建议。
- 刘金刚袁向文尹志华左立辉杨士勇
- 关键词：光刻微电子封装光电器件
- h-线敏感光致产碱剂PNCDP的合成与表征被引量：1
- 2009年
- 设计并合成了一种对高压汞灯发射光谱中的h-线(405 nm)敏感的新型光致产碱剂(PBG)——N-{[(5-哌啶-2-硝基苄基)氧]-羰基}-2,6-二甲基哌啶(PNCDP).通过红外(IR)、核磁(NMR)以及元素分析对PNCDP的结构进行了表征.紫外-可见光谱(UV-Vis)测试结果表明,与传统的i-线(365 nm)敏感PBG——N-{[(4,5-二甲氧基-2-硝基苄基)氧]-羰基}-2,6-二甲基哌啶(DNCDP)相比,PNCDP的最大紫外吸收波长为395.5 nm,较DNCDP红移了52.5 nm.初步光刻实验表明,PNCDP对h-线具有较好的敏感度.
- 刘金刚Mitsuru Ueda
- 关键词：聚酰亚胺光致抗蚀剂
- 有机可溶性含氟不对称聚酰胺酰亚胺的合成与性能被引量：5
- 2008年
- 采用不对称联苯二酐单体2,3,3′,4′-联苯四甲酸二酐(a-BPDA)与3-氨基-2,4,5-三氟苯甲酸(3FAB)反应制备了一种新型不对称二酸化合物2,3,3′,4′-联苯四甲酸-N,N′-双(3-羧基-2,5,6-三氟苯基)二酰亚胺(a-BPFDI)。以此两种酸为原料、N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)为溶剂、亚磷酸三苯酯(TPP)与吡啶为缩合剂、氯化钙为催化剂,通过Yamazaki-Higashi反应,直接与3种芳香族二胺单体反应制得一系列聚酰胺酰亚胺(PAI)。研究表明:PAI材料在极性非质子性溶剂中具有优良的溶解性能,其薄膜的玻璃化转变温度超过250℃,氮气中起始热分解温度超过410℃。此外,PAI薄膜还具有良好的力学性能以及介电性能。厚度为10μm左右的PAI薄膜在可见光区(400～700 nm)的透光率达到或超过80%。
- 刘金刚赵晓娟杨海霞杨士勇
- 关键词：聚酰胺酰亚胺溶解性透明性氟
- 正性光敏聚酰亚胺研究与应用进展(二)被引量：6
- 2009年
- 正性光敏聚酰亚胺(p-PSPI)是一类重要的集成电路(IC)封装材料,广泛用于IC器件的应力缓冲、表面钝化以及层间绝缘。与传统的负性光敏聚酰亚胺(n-PSPI)相比,p-PSPI无论在光刻精度还是环境友好性方面均表现出了更为优良的品质。文章综述了国内外p-PSPI电子封装材料的最新研究与应用进展状况。系统阐述了p-PSPI的光化学机理。对目前商业化p-PSPI产品的特性、在微电子以及光电子领域的应用和未来发展趋势进行了介绍。最后对国内高性能p-PSPI电子材料的研发工作提出了建议。
- 刘金刚袁向文尹志华左立辉杨士勇
- 关键词：光刻微电子封装光电器件
