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国家自然科学基金(60866001)

作品数：23 被引量：39H指数：5
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相关机构：贵州大学贵州师范大学贵州财经大学更多>>
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相关领域：理学电子电信自然科学总论更多>>

文献类型

  • 23篇中文期刊文章

领域

  • 20篇理学
  • 14篇电子电信
  • 2篇自然科学总论

主题

  • 9篇STM
  • 8篇RHEED
  • 8篇GAAS(0...
  • 6篇MBE
  • 5篇分子束
  • 5篇分子束外延
  • 5篇INAS
  • 5篇INGAAS
  • 4篇扫描隧道显微...
  • 4篇表面形貌
  • 3篇分子束外延生...
  • 3篇MBE生长
  • 2篇衍射
  • 2篇实时监控
  • 2篇相变
  • 2篇反射高能电子...
  • 2篇AS
  • 1篇动力学分析
  • 1篇动量表象
  • 1篇形貌

机构

  • 20篇贵州大学
  • 15篇贵州师范大学
  • 15篇贵州财经大学
  • 2篇贵州省微纳电...

作者

  • 20篇丁召
  • 18篇罗子江
  • 17篇郭祥
  • 17篇周勋
  • 13篇王继红
  • 6篇刘珂
  • 6篇周清
  • 5篇张毕禅
  • 5篇王一
  • 4篇贺业全
  • 4篇何浩
  • 3篇邓朝勇
  • 2篇黄梦雅
  • 2篇尚林涛
  • 2篇杨再荣
  • 1篇韦俊
  • 1篇赵振
  • 1篇胡明哲

传媒

  • 7篇功能材料
  • 5篇材料导报
  • 3篇物理学报
  • 3篇Chines...
  • 3篇真空科学与技...
  • 1篇贵州大学学报...
  • 1篇大学物理

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 6篇2014
  • 8篇2013
  • 4篇2012
  • 3篇2011
共 23 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
RHEED衍射花样与晶体表面形貌的关联性研究被引量：2
2013年
采用带有RHEED的MBE技术,在GaAs(001)单晶衬底上生长不同厚度(0 ML,4 ML,15 ML)的In0.53Ga0.47As外延层,实时监测RHEED衍射图像的演变过程,生长结束后采用STM对其形貌进行扫描分析。研究分析结果表明,随着In0.53Ga0.47As外延层的不断加厚,RHEED衍射图像从最初的清晰明锐、重构可辨逐渐演变到背景模糊、条纹断裂,最后进入完全的网格状斑点状态;与此同时,对应的表面形貌也从原子级的有序平坦表面逐渐过渡到部分3D岛形成、粗糙度提高,最后表面完全由3D岛构成,表面进入粗糙状态。
王继红罗子江周勋郭祥周清刘珂丁召
关键词：RHEEDSTM
GaAs(001)-(2×6)重构下的表面形貌及其重构原胞被引量：1
2016年
采用RHEED与STM技术对GaAs(001)-(2×6)表面重构下的表面形貌进行研究,研究发现GaAs(001)-(2×6)重构表面是GaAs(001)-β2(2×4)重构表面经530℃,1.33μPa As BEP退火获得,在(2×6)重构下的GaAs(001)表面形貌已经进入表面存在系列单层岛和坑覆盖的无序平坦状态。为了进一步确定(2×6)重构的原胞结构,采用球棍模型对其原胞结构进行模拟,提出新的As表面覆盖率计算方法、结合STM图片分析对球棍模型进行验证和筛选,首次在实验上证实(2×6)重构原胞中存在2个As Dimers和2个Ga Dimers,并以此重构原胞结构构建理论下的(2×6)重构表面,获得结果与STM图片高度吻合。
周勋罗子江王继红郭祥丁召
关键词：表面形貌
RHEED实时监控下MBE生长不同In组分的InGaAs薄膜被引量：5
2011年
利用分子束外延技术,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,固定Ga源温度、改变In源温度在GaAs(001)基片上外延生长了不同In组分(39%、29%、19%)的InGaAs薄膜。比较RHEED强度振荡以及RHEED衍射图像,发现随着In组分的增加In-GaAs的生长将很快进入三维粗糙表面生长模式,并指出In0.19Ga0.81As和In0.29Ga0.71As薄膜处于(2×3)表面重构相。In0.19Ga0.81As样品进行退火处理后完成STM扫描分析,证实样品为表面原子级平整的In-GaAs薄膜。
罗子江周勋贺业全何浩郭祥张毕禅邓朝勇丁召
关键词：MBERHEEDSTM
GaAs(001)薄膜表面形貌相变过程被引量：2
2014年
采用STM以及RHEED技术对于GaAs(001)的表面形貌相变过程(有序平坦→无序平坦→粗糙)进行了深入研究。通过GaAs(001)在不同As BEP、不同温度的表面形貌相变过程的研究发现,As BEP和温度的变化是促使表面形貌相变发生的主要原因,高温引起原子重组致使表面重构的演变是GaAs(001)薄膜发生表面形貌相变的主要内在机制。单一表面重构或某一重构占绝对优势的表面形貌处于有序平坦状态;多种重构的非等量混合表面是无序平坦状态的主要表面形式;当表面重构难以辨别时,表面形貌也将进入岛上高岛、坑中深坑的粗糙状态。研究还观察到,当As BEP和温度足够高时,GaAs(001)表面形貌相变将不会出现无序平坦状态,表面将直接从平坦转变为粗糙状态。
罗子江周勋王继红郭祥王一魏文喆丁召
关键词：STM
MBE生长InGaAs/GaAs(001)多层矩阵式量子点被引量：1
2013年
用分子束外延(MBE)设备以Stranski-Krastanov(S-K)生长模式,通过间歇式源中断方式外延生长了多个周期垂直堆垛的InGaAs量子点,首次获得大小及密度可调的In0.43Ga0.57As/GaAs(001)矩阵式量子点DWELL结构。样品外延结构大致为500nm的GaAs、多个周期循环堆垛InGaAs量子点和60ML的GaAs隔离层等。生长过程中用反射式高能电子衍射仪(RHEED)实时监控,样品经退火后使用扫描隧道显微镜(STM)进行表面形貌的表征。
周清刘珂罗子江郭祥周勋丁召
关键词：分子束外延
GaAs(001)表面预粗糙化过程中的临界减慢被引量：1
2014年
通过对于GaAs表面形貌在特定As BEP(1.33μPa)、不同温度(570,560,550,540和530℃)下相变过程研究,发现随着温度的降低GaAs预粗糙化过程发生了不同程度的迟滞,在温度降至530℃附近时,延迟现象尤其明显,并且当温度远低于530℃时(As BEP 1.33μPa)GaAs表面将不会发生预粗糙转变。采用二维艾辛模型建立方程结合实验数据对这一现象进行理论解释,理论计算出GaAs预粗糙化相变的临界转变温度为529℃,与实验中获得的数据吻合。采用理论上获得的临界转变温度,利用临界减慢理论对实验现象进行了合理的理论解释,认为在特定条件下GaAs表面系统存在预粗糙化临界转变温度,当衬底温度接近这一温度时,临界减慢现象将会发生;当温度低于临界转变温度时,无论延长多少时间表面形貌相变过程将不会发生。
罗子江周勋王继红郭祥丁召
关键词：临界温度
恒力场下粒子一维运动问题的求解
2014年
利用动量表象与坐标表象的等价性,本文采用了动量表象和路径积分的方法计算了恒力场下一维运动粒子的传播函数,然后再将其转换为坐标表象下的传播函数.提出了一种路径积分的解法思路,展示了动量表象在解决恒力场下粒子一维运动问题的价值.
王一黄梦雅魏文喆丁召
关键词：动量表象路径积分
MBE生长GaAs(001)薄膜表面的Ostwald熟化过程研究被引量：7
2013年
采用带有RHEED的MBE技术,利用RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,通过RHEED强度振荡测算薄膜生长速率,在GaAs(001)基片上同质外延GaAs薄膜。利用STM对MBE生长的GaAs薄膜表面的熟化过程进行了深入研究。研究发现,随着退火时间的延长,刚完成生长的GaAs表面从具有大量岛和坑的粗糙表面逐渐熟化,在熟化过程中岛不断合并扩大并与平台结合,而坑却逐渐消失。指出当熟化过程完成后GaAs表面将进入原子级平坦状态,并详细解释了熟化过程GaAs表面各种形貌特征形成的内在原因。
王继红罗子江周勋郭祥周清刘珂丁召
关键词：MBERHEEDSTM熟化
InAs(001)表面脱氧动力学分析
2013年
利用反射式高能电子衍射(RHEED)实时监控对InAs衬底进行两步完全脱氧的过程,对比了有低(高)砷等效束流压强保护下采用两步法对InAs衬底缓慢长时间的高温脱氧过程.InAs衬底两步完全脱氧法的第一步为传统的缓慢升温脱氧方法,第二步为高温In束流辅助脱氧方法.衬底高温脱氧的RHEED衍射图样说明了高温In束流辅助脱氧最终完全清除传统的缓慢升温法无法去掉的残留氧化物,通过脱氧完成同质外延生长后的扫描隧道显微镜图像,说明高砷等效束流压强保护下的脱氧方法是可行的;分析了高温In束流能完全清除衬底表面残余In氧化物的原理.
魏文喆郭祥刘珂王一罗子江周清王继红丁召
关键词：热分解
InAs(001)表面金属化的转变
2012年
论述了利用分子束外延方法在InAs(001)基片上生长InAs时,样品表面由富As的(2×4)向富In的(4×2)转变的现象。通过控制生长参数生长出了较好的富As(2×4)表面。在As压不足的情况下,轻微的提升样品衬底温度,样品表面逐渐转向富In表面的(4×2)结构,呈现出(3×1)混合相。通过实验分析及软件模拟确定表面(4×2)结构区域已覆盖多达90%,表明样品表面大部分已金属化。
尚林涛周勋罗子江张毕禅郭祥丁召
关键词：RHEEDMBESTM
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