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国家自然科学基金(90207022)

作品数：19 被引量：119H指数：7
相关作者：杨银堂娄利飞李跃进张军琴汪家友更多>>
相关机构：西安电子科技大学西北大学中国人民解放军西安通信学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金武器装备预研基金国家部委预研基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学更多>>

文献类型

  • 19篇中文期刊文章

领域

  • 17篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 7篇微传感器
  • 7篇感器
  • 7篇传感
  • 7篇传感器
  • 6篇压电薄膜
  • 5篇有限元
  • 4篇钛酸铅
  • 4篇锆钛酸铅
  • 3篇多孔硅
  • 3篇有限元分析
  • 3篇运算放大器
  • 3篇放大器
  • 3篇PZT
  • 3篇CMOS
  • 3篇超低压
  • 2篇微开关
  • 2篇牺牲层
  • 2篇开关
  • 2篇刻蚀
  • 2篇硅基

机构

  • 19篇西安电子科技...
  • 1篇西北大学
  • 1篇中国人民解放...

作者

  • 19篇杨银堂
  • 13篇娄利飞
  • 10篇李跃进
  • 5篇张军琴
  • 5篇汪家友
  • 4篇朱樟明
  • 2篇任乐宁
  • 2篇尹韬
  • 1篇郭磊
  • 1篇刘莉
  • 1篇杨冰
  • 1篇桂智彬
  • 1篇付俊兴
  • 1篇江建明
  • 1篇柴常春
  • 1篇樊永祥
  • 1篇肖斌
  • 1篇贺庆丽
  • 1篇曹寒梅
  • 1篇张萍

传媒

  • 5篇压电与声光
  • 2篇传感器技术
  • 2篇机械设计与研...
  • 2篇西安电子科技...
  • 1篇Journa...
  • 1篇振动与冲击
  • 1篇计算物理
  • 1篇机械科学与技...
  • 1篇电子器件
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇微电子学
  • 1篇现代显示

年份

  • 2篇2008
  • 3篇2007
  • 2篇2006
  • 9篇2005
  • 2篇2004
  • 1篇2003
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
有机发光二极管显示驱动技术被引量：9
2004年
基于有机发光二极管(OLED)的器件结构和发光机理的分析,讨论了OLED的无源和有源驱动技术,并对各自的特点进行分析比较。比较分析了OLED的直流驱动和交流驱动技术,得出了交流驱动优于直流驱动的结论。最后,通过一个例子,分析了有源矩阵OLED驱动电路的整体结构。
任乐宁朱樟明杨银堂
关键词：OLED有机发光二极管交流驱动有源驱动有源矩阵
硅基PZT压电驱动微开关的设计和优化被引量：2
2005年
采用压电多层微悬臂梁理论分析模型,研究了一种新型PZT压电复合多层膜微悬臂梁驱动微开关的机械性能,提出了一种新的硅基PZT压电复合多层薄膜微悬臂梁驱动微开关的制作方法。利用有限元分析软件AN SY S7.0对微悬臂梁结构进行了模态分析,探讨了结构参数与微悬臂梁运动特性的关系及影响压电薄膜微开关性能的因素,进一步模拟了0.3 V工作电压下微开关的位移。结果表明,经优化后的压电薄膜微开关可进一步应用到集成化芯片系统中。
娄利飞杨银堂李跃进张军琴
关键词：压电薄膜有限元分析微开关
单片集成MEMS技术被引量：10
2005年
介绍了单片集成MEMS技术相对传统混合(hybrid)方法的优势;分析了单片集成MEMS技术实现的难点,同时,给出了目前与CMOS工艺兼容的多种单片集成MEMS的技术特点、工艺流程;详细阐述了目前各种post CMOS技术。最后,给出单片集成MEMS技术的未来发展趋势。
江建明娄利飞汪家友杨银堂
关键词：微机电系统单片集成CMOS兼容
用于微传感器中PZT压电薄膜的制备和图形化被引量：3
2008年
采用溶胶-凝胶法在Si/Si3N4/Poly-Si/Ti/Pt基片上制备PZT压电薄膜,为了选择更适合微电子机械系统(MEMS)器件的压电薄膜,采用一般热处理和快速热处理对锆钛酸铅(PZT)压电薄膜进行干燥和结晶。首先,采用V(H2O):V(HCL):V(HF)=280 mL:120 mL:4drops(4滴HF溶液)配比的腐蚀液在室温下对未结晶的PZT压电薄膜进行了湿法腐蚀微细加工;然后,对图形化好的压电薄膜进行再结晶的热处理,实验结果表明这种方法可用于压电薄膜微器件的制备。
娄利飞杨银堂李跃进
关键词：压电薄膜微传感器湿法化学刻蚀
PZT铁电薄膜材料的ECR等离子体刻蚀研究被引量：3
2005年
以SF6和SF6+Ar为刻蚀气体,采用电子回旋共振等离子体刻蚀工艺成功地对溶胶-凝胶工艺制备的锆钛酸铅铁电薄膜进行了有效的刻蚀去除.研究了不同气体总流量、混合比、微波功率等因素对刻蚀速率的影响,指出当气体混合比约为20%时,刻蚀速率达到最大值.锆钛酸铅铁电薄膜表面组份XPS能谱分析曲线表明,在SF6和SF6+Ar气体中,被刻蚀后样品的Pb含量大大减少,TiO2的刻蚀是限制锆钛酸铅铁电薄膜刻蚀速率的主要因素.
娄利飞肖斌汪家友杨银堂李跃进
关键词：电子回旋共振等离子体刻蚀锆钛酸铅
一种基于衬底驱动MOS技术的超低压运算放大器被引量：7
2004年
设计了一种工作于 0 .8V电源电压下与标准 CMOS工艺兼容的超低压运算放大器 ,对其电路结构和原理进行了分析。该放大器基于衬底驱动技术 ,采用衬底驱动 PMOS差分对作为输入级实现了 74d B的直流开环增益 ,66°的相位裕度 ,940μV的失调电压和 1 1 0～ 798m
尹韬杨银堂汪家友朱樟明
关键词：超低压衬底驱动运算放大器CMOS
基于准浮栅技术的超低压运算放大器被引量：2
2005年
分析了准浮栅晶体管的工作原理、电气特性及其等效电路,基于准浮栅PMOS晶体管,设计了超低压低功耗运算放大器.基于台积电的0.25μmCMOS工艺,利用Hspice对所设计的运放进行了模拟仿真.仿真结果显示,在0.8V的单源电压下,运算放大器的最大开环增益为76.5dB,相位裕度为62,°单位增益带宽为2.98MHz,功耗仅为9.45μW.
杨银堂任乐宁付俊兴
关键词：准浮栅超低压运算放大器CMOS
双槽电化学腐蚀法制备多孔硅的研究被引量：1
2007年
论述了多孔硅的特点和制备方法,简单介绍双槽电化学腐蚀法的特点,并采用双槽电化学腐蚀法成功制备了多孔硅。多孔硅的扫描电镜(SEM)照片表明,孔径尺寸小,均匀性好,腐蚀结构规则。实验结果表明,衬底导电类型影响着多孔硅的制备条件。
张萍娄利飞柴常春杨银堂
关键词：牺牲层多孔硅
硅基PZT压电薄膜微开关的设计和制作被引量：1
2007年
对硅基锆钛酸铅(PZT)压电薄膜微开关进行了结构和版图设计,根据MEMS加工工艺和标准硅基IC工艺的特点,获得了硅基PZT压电薄膜微悬臂梁结构系统工艺流程中的关键工艺技术和典型工艺条件,对多孔硅的选择性生长进行了较为详细的实验研究,最后成功的制备出硅基PZT压电薄膜做开关样品,这对集成化芯片系统的进一步发展打下了必要的良好的实验基础。
娄利飞杨银堂李跃进
关键词：压电薄膜微开关多孔硅
PZT压电薄膜在微传感器中的应用被引量：17
2003年
锆钛酸铅压电材料(PZT)因具有优良的压电性能、热释电性能、铁电性能和介电性能而被广泛地应用在微电子机械系统(MEMS)中。基于微传感器,介绍了PZT薄膜,重点介绍了PZT薄膜在微传感器中的应用,并介绍了PZT薄膜微传感器的发展状况。
杨冰杨银堂李跃进
关键词：微传感器锆钛酸铅微电子机械系统
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