凝固技术国家重点实验室开放课题(SKLSP201302)
- 作品数：6 被引量：3H指数：1
- 相关作者：徐义库张军刘林宋绪丁郝建民更多>>
- 相关机构：长安大学西北工业大学德累斯顿工业大学更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金凝固技术国家重点实验室开放课题国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺一般工业技术理学更多>>
- 稀土硅化物Nd_2PdSi_3晶体生长及磁性能研究
- 2014年
- 采用高射频感应加热法以及光辐射加热悬浮区熔法分别制备了Nd2PdSi3多晶和单晶样品,并对比研究了它们的磁性能。研究得出多晶样品和单晶样品的磁性能完全不同。多晶样品居里温度为15.9 K,单晶样品居里温度为15.1 K;而[001]方向为Nd2PdSi3单晶的易磁化轴,单晶各向异性在0～150 K范围内明显。
- 徐义库刘林张军
- 关键词：晶体生长居里温度磁化强度
- 含有易挥发元素的Eu2PdSi3光辐射悬浮区熔法晶体生长
- 2016年
- 新型磁盘存储材料Eu_2PdSi_3单晶制备由于Eu的挥发问题一直是一个难点。本文采用光辐射加热悬浮区熔法尝试制备了Eu_2PdSi_3单晶。采用标准化学成分配比制备给料棒,制备出的Eu_2PdSi_3晶体为胞状晶,分析是由于熔区成分发生变化,发生成分过冷导致胞状组织;采用给料棒成分调整法成功生长出大块Eu_2PdSi_3晶体。研究发现,采用3 MPa循环Ar气并不能完全抑制Eu在高温下的挥发,继续增大保护气体的压强配合给料棒成分调整,有利于解决Eu元素的挥发问题。
- 徐义库王丹丹宋绪丁于金丽肖君霞郝建民刘林张军LOSER Wolfgang
- 关键词：单晶生长稀土化合物
- 悬浮区熔法生长Tb_5Si_3晶体完整性研究
- 2014年
- 通过采用光辐射加热悬浮区熔法制备了Tb5Si3单晶。得出的结论为:3 mm/h的生长速度,0.1 MPa的循环氩气比较适合Tb5Si3单晶体的生长;Tb5Si3单晶基体内容易产生定向Tb5Si4脱溶沉淀相。调整材料成分可明显减少Tb5Si3相沉淀的尺寸和数量,提高制备晶体的完整性。
- 徐义库刘林张军
- 关键词：晶体生长
- 移动溶液浮区法Nd_2Fe_(14)B单晶生长
- 2014年
- 由于Nd2Fe14B为异成分熔融化合物,同时Nd极易和氧发生反应使得其单晶制备异常困难。通过研究伪二元相图,针对Nd2Fe14B的自身特点,采用移动溶液浮区法制备了Nd2Fe14B单晶。对单晶制备过程中熔区的温度进行了研究,并对所制备单晶的淬硬熔区以及晶体生长的完整性同样进行了分析。
- 徐义库刘林张军
- 关键词：初生相晶体生长
- 铝合金复合阳极氧化的研究现状及进展被引量：2
- 2018年
- 综述了电沉积、化学沉积、浸渗法等几种复合膜制备工艺以及特点。介绍了Si C复合膜、稀土铈复合膜、PTFE复合膜的制备机理,归纳了第二相添加浓度、温度、电流密度及添加剂等不同工艺参数与膜层微观形貌、硬度、耐磨耐蚀性的相关性,并对比了不同复合阳极氧化的优化工艺参数范围。同时还介绍了其他添加材料的复合氧化膜的研究现状。
- 徐义库爨洛菲王旭阳李俊桥宋绪丁杨晶晶陈永楠郝建民
- 关键词：膜层性能
- 光辐射悬浮区熔法Tb_2PdSi_3单晶生长及磁性能被引量：1
- 2014年
- 采用光辐射加热悬浮区熔法以3 mm/h的生长速度成功制备了Tb2PdSi3单晶。通过分析得知,该化合物为同成分熔融化合物,熔点约为1700℃。和其它R2PdSi3型化合物(R为稀土元素)不同,在单晶基体中没有发现TbSi沉淀,分析原因可能是因为晶体中Tb含量略高于化学计量比。采用X射线Laue背散射实验对晶体的晶格结构和高完整性进行了验证,并对定向单晶的a和c方向磁化率-温度曲线进行了测定。
- 徐义库刘林张军LSER WolfgangFRONTZEK Matthias
- 关键词：单晶生长稀土化合物磁性能
