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中国人民解放军总装备部预研基金(06DZ02)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：李伟廖乃镘吴志明匡跃军李世彬更多>>
相关机构：电子科技大学更多>>
发文基金：中国人民解放军总装备部预研基金国家杰出青年科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇等离子体增强
  • 1篇等离子体增强...
  • 1篇散射
  • 1篇氢化非晶硅
  • 1篇氢化非晶硅薄...
  • 1篇椭偏测量
  • 1篇喇曼
  • 1篇喇曼散射
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇非晶
  • 1篇非晶硅
  • 1篇非晶硅薄膜

机构

  • 1篇电子科技大学

作者

  • 1篇蒋亚东
  • 1篇祁康成
  • 1篇李世彬
  • 1篇匡跃军
  • 1篇吴志明
  • 1篇廖乃镘
  • 1篇李伟

传媒

  • 1篇中国科学（E...

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
氢化非晶硅薄膜喇曼及椭偏表征被引量：1
2008年
用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜,利用喇曼散射谱、椭偏透射谱和暗电导测试,通过改变辉光放电前SiH4气体温度,研究了气体温度对薄膜非晶网络结构和光电性能的影响.结果表明,随着辉光放电前SiH4气体温度从室温提高到433K,a-Si:H薄膜的短程有序和中程有序程度提高,折射率和吸收系数增强,同时,暗电导提高2个数量级.a-Si:H薄膜非晶网络结构的变化是其暗电导提高的主要原因.
廖乃镘李伟蒋亚东吴志明匡跃军祁康成李世彬
关键词：氢化非晶硅等离子体增强化学气相沉积喇曼散射
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