您的位置： 专家智库
>
资助详情>
青年科技基金(jx0838)
青年科技基金(jx0838)
- 作品数：3 被引量：18H指数：3
- 相关作者：亢喆黎威志袁凯蒋亚东更多>>
- 相关机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：青年科技基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 低应力PECVD氮化硅薄膜的制备被引量：4
- 2009年
- 研究了等离子增强化学气相淀积(PECVD)工艺中射频条件(功率和频率)对氮化硅薄膜应力的影响。对于不同射频条件下薄膜的测试结果表明:低频(LF)时氮化硅薄膜处于压应力,高频(HF)时处于张应力,且相同功率时低频的沉积速率和应力分别为高频时的两倍左右;在此基础上采用不同高低频时间比的混频工艺实现了对氮化硅薄膜应力的调控,且在高低频时间比为5∶1时获得了应力仅为10MPa的极低应力氮化硅薄膜。
- 亢喆黎威志袁凯蒋亚东
- 关键词：PECVD射频混频氮化硅应力
- 流量及温度对低频PECVD氮化硅薄膜性能的影响被引量：3
- 2010年
- 研究了低频等离子增强化学气相沉积(LF-PECVD)工艺中气体流量比和衬底温度对氮化硅薄膜折射率、密度及应力的影响规律,同时测试了薄膜的红外光谱以分析不同条件对薄膜成分的影响。结果表明,低频氮化硅薄膜折射率主要受薄膜内硅氮元素比的影响,其次是薄膜密度的影响。前者主要由硅烷/氨气反应气体流量比决定,而后者主要由衬底温度决定;低频氮化硅薄膜应力大致与密度成正比关系。此外,PECVD工艺所制备氮化硅薄膜都含有相当数量的氢元素,而衬底温度是薄膜内氢含量的决定因素。
- 黎威志陶毅亢喆许华胜余欢
- 关键词：氮化硅红外光谱
- PECVD淀积SiO_2薄膜工艺研究被引量：11
- 2010年
- 研究了等离子增强化学气相淀积(PECVD)制备非晶SiO2薄膜的工艺。系统地研究了反应气体流量比、射频功率、淀积腔内压强、淀积时间等工艺条件对SiO2薄膜质量的影响,采用椭偏仪测量了不同工艺条件下淀积的SiO2薄膜的厚度和折射率。根据以上测试结果分析了各工艺参数对SiO2薄膜淀积速率、折射率以及均匀性的影响规律,并定性讨论了其机理。找到了比较合适的制备高均匀性和典型折射率SiO2薄膜的工艺参数。
- 亢喆黎威志袁凯蒋亚东
- 关键词：氧化硅淀积速率折射率
