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H、He离子辐照对国产ZIRLO合金氧化膜的影响被引量：1: 2018年; 针对国产ZIRLO合金开展了H、He离子辐照对其腐蚀性能影响的研究。对国产ZIRLO合金样品分别进行高温(300℃)H、He离子辐照试验,辐照峰值剂量为1dpa,之后进行模拟一回路腐蚀试验。通过腐蚀增重方法得到腐蚀动力学曲线。利用慢正电子湮没多普勒展宽谱对未辐照样品和辐照样品进行微观结构表征,用透射电子显微镜对腐蚀125d的样品进行微观结构表征。结果表明,H、He离子辐照并未改变ZIRLO合金的腐蚀机理。He离子辐照产生的空位团可促进腐蚀过程中裂纹形核,增加了氧扩散通道,减少氧扩散激活能,导致腐蚀初期有明显的加速效应。H离子辐照对腐蚀的加速现象不如He离子辐照明显,原因是H离子辐照产生H-空位复合缺陷对氧扩散激活能减少作用较小。; 白若玉王珂白亚奎孙晨卢二阳李可范平张乔丽马海亮孔淑妍曹兴忠夏海鸿袁大庆朱升云; 关键词：氧化膜离子辐照

用正电子湮没技术研究新锆合金包壳的离子辐照效应: 2018年; 国产Zr-Sn-Nb系新锆合金SZA-4和SZA-6是CAP1400大型先进压水堆包壳材料的主要候选材料,对其辐照性能的研究可为制备工艺改进提供科学依据。在中国原子能科学研究院HI-13串列加速器辐照终端,在300℃温度下,用100MeV的Fe束流对两种新锆合金包壳管材进行5dpa剂量辐照。辐照前后的正电子湮没寿命测量表明:两种样品辐照前湮没寿命为Zr中单空位寿命,表明管材制备过程中最后的退火温度和时间尚未完全消除加工引入的缺陷;两种样品辐照后的正电子湮没寿命减小,分析表明这是由于辐照导致Fe在锆合金中重新分布,主要分布在bcc结构的β-Nb沉淀相颗粒与hcp结构的α-Zr基体之间具有开空间的相界,正电子被相界捕获,与周围Fe原子电子湮没,造成湮没寿命减小。; 焦学胜范平张乔丽白若玉温阿丽马海亮孔淑妍夏海鸿袁大庆朱升云; 关键词：锆合金辐照效应重离子辐照

Ni离子辐照国产ZIRLO合金的辐照性能研究: 2017年; 国产ZIRLO合金是CAP1400重要的燃料包壳管候选材料之一,因此需要在使用前对该材料进行辐照性能考验。研究了国产ZIRLO合金的辐照性能随辐照温度和损伤剂量的变化。辐照实验在中国原子能科学研究院HI-13串列加速器上,采用80 Me V的Ni离子进行,辐照产生的损伤采用透射电子显微镜、能量色散谱和纳米压痕法等方法表征。国产ZIRLO合金在300℃经10 dpa损伤剂量辐照后观察到均匀分布的析出颗粒,同样剂量在700℃辐照析出颗粒数目减少,析出相的主要成分为Nb。辐照后出现硬化现象,辐照损伤剂量越大,硬化程度越高;随着辐照温度升高,辐照硬化呈减小趋势。; 白若玉范平夏海鸿袁大庆孔淑妍张乔丽马海亮左翼温阿利朱升云; 关键词：重离子辐照纳米压痕

Fe掺杂SnO_2稀磁半导体超精细场的第一性原理计算被引量：4: 2014年; 采用基于密度泛函理论线性缀加平面波方法的WIEN2k程序,计算Fe掺杂SnO2稀磁半导体的电子结构和磁性,计算中性电荷态Fe0和电荷受主态Fe1-或Fe2-。结果表明,Fe掺杂SnO2的基态都是铁磁态,O空位更容易出现在Fe原子周围。中性电荷态Fe0磁矩较小,Fe1-或Fe2-态磁矩变大,并且计算的磁超精细场和磁矩与穆斯堡尔谱测量结果相符合。电子结构分析表明,掺杂Fe-3d轨道与氧八面体O-2p轨道相互作用,造成3d轨道能级分裂。不同电荷态下,能级分裂的程度不同,从而影响电子填充3d轨道的模式。3d轨道中未成对电子数增加,处于高自旋态的Fe原子是产生巨磁矩的原因。; 张乔丽袁大庆范平左翼郑永男马小强梁珺成朱升云; 关键词：超精细相互作用第一性原理 SNO2 稀磁半导体

新扰动角关联探针核^(62)Zn在HOPG中的应用研究: 2013年; 在中国原子能科学研究院(CIAE)HI-13串列加速器上建立了一台同位素在线分离器(ISOL),产生30keV的62Zn放射性核束,用于扰动角关联(PAC)和正电子湮没谱学(PAS)的研究。将62Zn放射性核束作为PAC探针核和正电子源,采用扰动角关联和正电子湮没多普勒展宽两种方法研究了B掺杂在高定向热解石墨(HOPG)中产生的缺陷。在未掺杂样品中未观察到扰动,这说明探针核可能位于基面之间的间隙内。在掺杂样品中观察到较强的扰动,实验测量的电四极相互作用的频率ω0=157Mrad/s,意味着62Zn探针核B掺杂产生的位错环捕获。正电子湮没多普勒展宽测量得到的掺B的HOPG的多普勒展宽S明显增大,表明掺B的HOPG中掺杂产生了缺陷。扰动角关联和正电子湮没测量均表明在掺B的HOPG中掺杂引入了缺陷。; 左走翼郑永男徐永军崔保群李立强马英俊范平; 关键词：放射性核束扰动角关联

正电子湮没研究Al、Nb共掺CaCu3Ti4O12陶瓷高介电常数机理被引量：1: 2019年; 关于CaCu3Ti4O12陶瓷的高介电常数机理,目前广泛接受的是非本征的内阻挡层电容模型。该模型认为在多晶中元素变价、缺陷和非化学计量比等导致的半导化晶粒被绝缘晶界层,即内阻挡层所包围。其中内阻挡层的厚度对材料的介电性能影响较大,而扫描电子显微镜(SEM)测试表明样品晶界呈稀烂的果酱状,SEM难以测量晶界区域绝缘内阻挡层厚度。本文采用正电子湮没技术表征其厚度,通过对CaCu3Ti4O12陶瓷共掺不同浓度的Al、Nb(CaCu3Ti4-xAl0.5xNb0.5xO12,x=0.2%、0.5%、5.0%)改变其晶粒和晶界的微观结构,研究CaCu3Ti4O12陶瓷高介电常数机理。正电子湮没结果显示,掺杂样品符合多普勒展宽谱S参数的变化趋势与平均寿命的变化趋势一致。x=0.5%掺杂样品的介电常数最高,其平均寿命、S参数和湮没长寿命成分均最小,阻挡层最薄。实验结果验证了描述CaCu3Ti4O12陶瓷高介电常数机理的内阻挡层电容模型的预测。; 温阿利朱基亮范平马海亮张乔丽袁大庆; 关键词：高介电常数正电子湮没

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国家科技重大专项(2012ZX06004-005-005)