上海市科委重大科技攻关项目(03DZ11006)
- 作品数：2 被引量：4H指数：1
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- 低压布里奇曼法CdZnTe晶体生长及其热应力模拟被引量：4
- 2007年
- 采用有限元方法,对晶体结晶结束位置处的晶体内部热应力分布进行了数值模拟,结果表明:晶体在石英安瓿内壁附近,变径处以及头部尖端处的热应力较大,应力值约在108N/m2数量级,晶体中部热应力分布较小且比较均匀,约为107N/m2。为了防止晶体在生长过程中头部尖端处以及变径处的位错延伸至晶体内部,提出了在不同生长阶段采用不同下降速度,并且在晶体下降至变径处采用“回熔”操作的新工艺。实验结果表明:利用新工艺生长的晶体位错密度明显降低,约为2×102cm-2,同时显著地提高了晶体的利用率。
- 刘洪涛桑文斌袁铮闵嘉华詹峰
- 关键词：探测器
- Cd在Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体中的有效扩散系数与扩散激活能
- 2006年
- 为了计算Cd在Cd0.9Zn0.1Te(CZT)晶体中的有效扩散系数DCd与扩散激活能QCd,利用Cd在CZT晶体中的扩散特性,设计了在不同Cd压下对CZT的退火实验,推导出了晶体电阻率与Cd有效扩散系数之间的函数关系,经过计算,首次获得了在1073K,973K和873K温度时Cd原子在CZT晶体中的有效扩散系数DCd,分别为1.464×10-10cm2/s,1.085×10-11cm2/s和4.167×10-13cm2/s。将扩散数据经过拟合后得到了Cd原子在CZT晶片中有效扩散系数的表达式:2.33×exp(–2.38eV/kT)(873K^1073K),其中扩散激活能QCd为2.38eV。
- 刘洪涛桑文斌李万万张斌闵嘉华詹峰曹泽淳
