国防科技重点实验室基金(914C24KF0901)
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 相关作者：赵全亮王大伟崔岩袁杰路冉更多>>
- 相关机构：北京理工大学北方工业大学中央民族大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国防科技重点实验室基金更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术电气工程更多>>
- 高性能PZT压电厚膜及MEMS微驱动器技术研究
- 2011年
- 运用混合溶胶-凝胶法制备了具有钛酸铅(PT)种子层的PZT基压电复合厚膜,包括(100)取向PZT压电厚膜,PZT纳米颗粒增强PZT压电复合厚膜((0-3)PZT)和氧化锌晶须增强PZT复合厚膜(ZnOw-PZT)。通过结构表征,研究了工艺条件和膜厚对PZT基厚膜的生长、结晶、取向和微结构的影响,给出最佳工艺条件。并介绍了无阀型压电MEMS微泵、V型阀式压电MEMS微泵、压电悬臂梁和三压电悬臂驱动的悬浮膜片式MEMS微镜等微器件的性能。
- 曹茂盛路冉赵全亮刘红梅邱成军袁杰
- 关键词：PZT厚膜溶胶-凝胶法MEMS
- Sn含量对PbSnO3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3三元系压电陶瓷相结构和电性能的影响被引量：1
- 2014年
- 采用两步钶铁矿前驱体工艺制备了PbSnO3-Pb（Mg1/3Nb2/3）O3-PbTiO3（PSn-PMN-PT） 三元系压电陶瓷, 研究了Sn含量的变化对PSn-PMN-PT 三元系压电陶瓷结构和性能的影响。XRD结果表明, 所选成分均处于三方相和四方相共存的准同型相界上, 当Sn含量减少时, PSn-PMN-PT的XRD图谱基本没有发生变化, 而当Sn含量增加时, 在XRD图谱中逐渐出现烧绿石相。电性能研究表明, 缺失少量Sn可以提高PSn-PMN-PT的压电、介电和铁电性能, 减小损耗; 而添加过量Sn明显损害其压电和铁电性能, 增加损耗。缺失0.2mol%Sn的PSn-PMN-PT具有最佳的压电和铁电性能, d33： -530 pC/N, kp： -56.4%, Qm： -570, εr： -3070, tanδ： -0.32%, Pr： -28.9 μC/cm2, EC： -8 kV/cm。
- 王大伟赵全亮曹茂盛崔岩ZHANG Shu-Jun
- 关键词：压电性能准同型相界
