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国家科技重大专项(2009ZX02023005)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：刘紫玉刘明霍宗亮杨建红刘璟更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所兰州大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家科技重大专项更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 1篇隧穿
  • 1篇阻挡层
  • 1篇高K材料
  • 1篇AL2O3
  • 1篇CTM

机构

  • 1篇兰州大学
  • 1篇中国科学院微...

作者

  • 1篇白杰
  • 1篇张满红
  • 1篇刘璟
  • 1篇杨建红
  • 1篇霍宗亮
  • 1篇刘明
  • 1篇刘紫玉

传媒

  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
电荷俘获存储器阻挡层研究进展
2012年
随着非挥发性存储器(NVM)存储单元的特征尺寸进入20 nm节点,使用单层SiO2作为阻挡层的传统电荷俘获存储器结构性能上逐渐受到限制。基于阻挡层在存储器栅堆栈中的作用与基本要求,首先,指出单层SiO2作为阻挡层存在的主要问题,然后对高介电常数材料作为阻挡层时,其禁带宽度、介电常数、内部的缺陷密度以及退火工艺等方面对存储特性的影响进行了分析,同时对近年来研究较多的阻挡层能带工程进行了详细介绍,如SiO2和Al2O3的复合阻挡层结构、多层高介电常数材料的阻挡层结构等。最后,对目前研究进展中存在的问题以及未来的研究方向和趋势进行了总结和展望。
白杰霍宗亮刘璟刘紫玉张满红杨建红刘明
关键词：阻挡层高K材料隧穿AL2O3
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