中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目(B2-1)
- 作品数：3 被引量：8H指数：2
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- 相关机构：中国科学院中国科学院研究生院更多>>
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- 相关领域：电子电信更多>>
- InGaAs探测器制备的ICP刻蚀方法研究
- 2009年
- 采用Cl2/BCl3/Ar感应耦合等离子体对InP/In0.55Ga0.45As/InP进行了刻蚀。讨论了不同的气体组分、ICP功率、直流自偏压下对刻蚀速率、表面粗糙度的影响。初步得到了一种稳定、刻蚀表面清洁光滑、图形轮廓良好、均匀性好和刻蚀速率较高的工艺。利用此工艺制作的8元InP/In0.55Ga0.45As/InP(PIN)探测器,峰值探测率为1.04×1012cmHz1/2W-1。
- 宁锦华唐恒敬张可锋李淘李永富李雪龚海梅
- 关键词：感应耦合等离子体INGAASPIN探测器
- 平面型2．6μmInGaAs红外探测器变温特性研究被引量：5
- 2009年
- 通过闭管扩散方式,在NIN型InP/In0.82Ga0.18As/InP材料上制备了单元及八元平面型红外探测器件,研究了器件的光谱响应特性、变温电流-电压特性以及器件探测率的温度响应特性。研究表明,不同温度下,在较低的偏压下,器件的正向暗电流的主要成分为源于材料缺陷的产生-复合电流,随着电压增大,器件的电流将会受到串联电阻的限制而趋于饱和。在近室温(>250 K)下,器件的反向电流主要以扩散电流和产生-复合电流为主,随着温度降低(<158 K),与偏压成正比的隧穿电流将占优势。温度>158 K时,器件的R0A值主要受产生-复合机制影响,温度<158 K时,R0A值则受缺陷辅助遂穿机制限制。随着温度的降低,器件的峰值探测率在210 K达到峰值,单元器件约1.7×109cmHz1/2/W,八元器件约9.4×109cmHz1/2/W。
- 李永富唐恒敬张可峰李淘宁锦华李雪龚海梅
- 关键词：隧穿电流暗电流
- InGaAs探测器性能与结面积和周长的关系研究被引量：3
- 2009年
- 对不同结面积和周长的正照射台面型InGaAs光伏探测器(λc=2.4μm)的性能进行了对比分析,得到了探测器的暗电流、噪声、响应信号以及优值因子(RoA)等性能参数与器件的台面面积、光敏感区面积、周长以及形状等设计参数的关系,其中台面面积的大小是影响台面型InGaAs光伏探测器p+-n--n+结结区特性的主要因素之一。
- 张可锋唐恒敬李淘李永富宁锦华李雪龚海梅
- 关键词：INGAAS探测器暗电流噪声
