国家高技术研究发展计划(2002AA332020)
- 作品数：4 被引量：31H指数：4
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- 相关领域：化学工程更多>>
- 晶界相对半透明氮化铝陶瓷透过率的影响被引量：5
- 2006年
- 分别添加质量分数为3%的CaF2和Y2O3为烧结助剂,在相同烧结工艺制度下采用放电等离子烧结(sparkplasmasintering,SPS),制备了两种半透明AlN陶瓷。两种样品有相近的密实度和晶粒尺寸,但是它们的透过率却相差很大。用扫描电镜,X射线衍射分析和透射电镜结合能量散射型X射线光谱分析仪对样品微观结构进行分析。结果表明:晶界相的存在及分布方式对样品透过率有重要影响。添加CaF2的样品表现出很高的纯度,晶界及三角晶界处观察不到第二相。添加Y2O3的样品中,由于生成的晶界相Y3Al5O12沿AlN晶界分布,阻隔AlN晶粒之间的连接,在晶界处造成光散射,导致样品透过率下降。
- 熊焰傅正义王皓
- 关键词：晶界相透过率
- 放电等离子烧结氮化铝透明陶瓷被引量：4
- 2004年
- 利用放电等离子烧结(spark plasma sintering,SPS)技术开展对氮化铝透明陶瓷的研究。分析了原料粉的特性, 烧结工艺对烧结体的影响以及所制备的氮化铝透明陶瓷的显微结构。
- 全峰傅正义王玉成熊焰
- 关键词：透明陶瓷氮化铝放电等离子烧结烧结体SPS
- 放电等离子烧结技术制备透明AlN陶瓷被引量：11
- 2005年
- 采用放电等离子烧结(sparkplasmasintering,SPS)技术,以CaF2为烧结助剂,在1850℃烧结15min,成功制备了透明AlN陶瓷。随着CaF2含量的增加,样品的密实度和透过率都随之提高。在CaF2含量为2.5%(质量分数)的AlN陶瓷样品的透光率最高(56.3%)。继续提高CaF2含量,样品密实度和透过率反而有所下降。SPS制备的纯AlN陶瓷样品中出现了颜色不均匀现象。与传统烧结方法比较,SPS制备的样品具有很高的致密度、纯度和良好的晶体结构。CaF2的加入降低了烧结温度,烧结时间短,提高了AlN陶瓷的透过率,是制备透明AlN陶瓷的有效烧结助剂。
- 熊焰傅正义王玉成
- 关键词：放电等离子烧结透过率
- CaF_2助剂放电等离子烧结透明AlN陶瓷的微观结构和光学性能被引量：12
- 2005年
- 采用放电等离子烧结技术,添加质量分数为3%的CaF2作为烧结助剂,制备了透明氮化铝(AlN)陶瓷。样品在烧结温度1 800℃,30 MPa压力下保温15 min,达到了99.5%的相对密度和52.7%的最大透过率。SEM、XRD、TEM和EDX结果表明,烧结体具有很高的致密度、纯度,良好的晶粒形貌和微观晶体结构,晶界和三角晶界处观察不到第二相的存在。CaF2的添加引入液相烧结,促进AlN晶粒的生长和烧结体的致密化,并且与AlN颗粒反应生成的氟化物和Ca-Al-O化合物能够从烧结体中逸出,进一步净化烧结体,是制备透明AlN陶瓷的有效助剂。放电等离子烧结技术具有烧结快速、烧结体致密度高的特点,是制备透明AlN陶瓷的有效方法。
- 熊焰傅正义王皓
- 关键词：放电等离子烧结透过率微观结构
