安徽省自然科学基金(2006KJ012A)
- 作品数：2 被引量：5H指数：1
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- 相关机构：安徽大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金安徽省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 复合多晶硅栅LDMOS的设计被引量：1
- 2006年
- 提出了一种应用于射频领域的复合多晶硅栅LDMOS结构,并提出了具体的工艺实现方法。此结构采用栅工程的概念,设计的栅由S-gate和D-gate两块并列组成,S-gate用高功函数P型多晶硅材料,D-gate用低功函数N型多晶硅材料。MEDICI模拟结果表明,该结构能够降低沟道末端和漏极附近的最高电场强度,提高器件的跨导和截止频率;同时,还能够提高器件的击穿电压,并减小器件的热载流子效应。
- 刘琦柯导明陈军宁高珊刘磊
- 关键词：跨导截止频率功函数LDMOS热载流子效应
- 高压LDMOS场极板的分析与设计被引量：4
- 2006年
- 场板是高压LDMOS中普遍使用的一种结终端技术,对单阶梯LDMOS场板的长度、其下方氧化层厚度以及场氧侵蚀厚度等参数进行了模拟和分析,在此基础上设计了一种新型体硅双阶梯场板LDMOS,并对其具体参数进行了细致的模拟和分析。模拟结果表明,双阶梯场板LDMOS的击穿电压比单阶梯场板LDMOS提高了15.3%,导通电阻降低了17.1%,电流驱动能力也提高了8.5%。
- 刘磊高珊陈军宁柯导明刘琦周蚌艳
- 关键词：横向扩散金属氧化物半导体击穿电压
