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铟镓氮薄膜的光电特性被引量：5: 2002年; 用金属有机物气相外延设备 ,在氮化镓 /蓝宝石复合衬底上快速外延生长铟镓氮薄膜 ,并对其进行了 X射线三晶衍射、光致发光、反射光谱及霍尔测量等实验测试 .确定该薄膜为单晶 ,其中 In组分可以从 0增加到 0 .2 6 ;在光致激发下发光光谱为单峰 ,且峰值波长在 36 0～ 5 5 5 nm范围内可调 ;其发光机理被证实为膜内载流子经带隙跃迁而直接复合 ;并具有很高的电子浓度 .但 In Ga N薄膜的结晶质量却随着; 韩培德刘祥林王晓晖袁海荣陈振李昱峰陆沅汪度陆大成王占国; 关键词：MOVPE 光电特性

三甲基镓流量对GaN外延层和GaN缓冲层生长的影响(英文): 2001年; 采用金属有机物气相外延法在蓝宝石衬底上生长了以GaN为缓冲层的GaN薄膜。研究了不同三甲基镓流量下所生长缓冲层对GaN外延层质量的影响。对样品采用X线双晶衍射法测试其结晶质量 ,光致发光法测试其光学特性。实验结果显示高三甲基镓流量下生长的缓冲层可以提高GaN外延层的质量。对缓冲层进行的原子力显微镜测试分析表明 :不同三甲基镓流量会显著地影响缓冲层的生长模式。根据试验结果构造了一个GaN缓冲层的生长模型。; 陈振袁海荣陆大成王晓晖刘祥林韩培德汪度王占国; 关键词：GAN 缓冲层 MOVPE

氮化镓/蓝宝石异质结构中极性的研究: 2001年; 用低压金属有机气相外延方法设备在蓝宝石衬底两个相反取向的C面上同时生长六方相氮化镓薄膜,对此进行了扫描电子显微镜、透射电子显微镜的分析和研究.发现当衬底表面是向籽晶面时,生长的六方相氮化镓薄膜为(0001)取向,而当衬底表面是背籽晶面时,生长的氮化镓薄膜则为(0001)取向.; 关键词：MOVPE

在蓝宝石衬底两个相反c面同时生长氮化镓薄膜的差异被引量：5: 2001年; 运用金属有机气相外延设备 ,在蓝宝石衬底两个相反取向的 c面上同时生长六方相氮化镓薄膜 .对此进行了扫描电子显微镜、俄歇电子能谱、透射电子显微镜的分析和研究 .; 韩培德段晓峰孙家龙张泽王占国; 关键词：蓝宝石衬底氮化镓微观结构

R面、C面蓝宝石上生长的InGaN多层量子点的发光性质研究被引量：1: 2002年; 采用表面钝化和MOCVD低温生长在蓝宝石 (0 0 0 1)面 (即C面 )和蓝宝石 (110 2 )面 (即R面 )上形成了InGaN量子点 ,并构成了该量子点的多层结构。原子力显微镜测试的结果表明单层InGaN量子点平均宽约 40nm ,高约15nm ;而多层量子点上层的量子点则比单层的InGaN量子点大。R面蓝宝石衬底上生长的InGaN量子点和C面蓝宝石衬底上生长的InGaN量子点相比 ,其PL谱不仅强度高 ,而且没有多峰结构。这是由于在C面蓝宝石衬底上生长的InGaN/GaN多层量子点沿生长方向 [0 0 0 1]存在较强的内建电场 ,而在R面蓝宝石衬底上得到的多层量子点沿着生长方向 [112 0 ]没有内建电场。InGaN量子点变温光致发光 (PL)谱研究发现量子点相关的峰有快速红移现象 ,这是量子点系统所特有的PL谱特征。用在R面蓝宝石上生长的InGaN量子点作有源层有望避免内建电场的影响 ,得到高量子效率且发光波长稳定的发光器件。; 李昱峰陈振韩培德王占国; 关键词：蓝宝石 INGAN 发光性质 MOCVD

表面应力诱导InGaN量子点的生长及其性质被引量：5: 2003年; 为了得到高性能的 Ga N基发光器件 ,有源层采用 MOCVD技术和表面应力的不均匀性诱导方法生长了 In-Ga N量子点 ,并通过原子力显微镜 (AFM)、透射电子显微镜 (TEM)和光致发光 (PL )谱对其微观形貌和光学性质进行了观察和研究 .AFM和 TEM观察结果表明 :In Ga N/ Ga N为平均直径约 30 nm,高度约 2 5 nm的圆锥 ;In Ga N量子点主要集中在圆锥形的顶部 ,其密度达到 5 .6× 10 1 0 cm- 2 .室温下 ,In Ga N量子点材料 PL谱强度大大超出相同生长时间的 In Ga N薄膜材料 ,这说明 In Ga N量子点有望作为高性能有源层材料应用于 Ga N基发光器件 .; 李昱峰韩培德陈振黎大兵王占国; 关键词：表面应力 INGAN 量子点 MOCVD

InGaN量子点的诱导生长和发光特性研究被引量：2: 2003年; 降低InGaN的维数是提高GaN基发光器件发光效率的一种非常有效的方法,本文的工作主要集中在高密度InGaN量子点的生长和分析上。在MOCVD设备上,经过钝化和低温两个特殊工艺条件,在高温GaN表面生长了一层低温岛状GaN,形成表面形貌的起伏,进而导致表面应力的不均匀分布。在这一层低温岛状GaN的诱导性作用下生长并形成InGaN量子点。通过原子力显微镜、透射电子显微镜和光致发光谱对其微观形貌和光学性质进行了观察和研究。从原子力显微镜以及透射电子显微镜观察得到的结果表明:InGaN量子点为平均直径约30nm、高度约25nm、分布较均匀的圆锥,其密度约1011cm-2。室温下,InGaN量子点材料的PL谱强度大大超出相同条件生长的InGaN薄膜材料。这些现象表明,用InGaN量子点代替普通InGaN薄膜,有望获得发光效率更高的GaN基发光器件。; 李昱峰韩培德陈振黎大兵王占国刘祥林陆大成王晓晖汪度; 关键词：INGAN 发光特性微观形貌

三甲基镓流量对GaN外延层和GaN缓冲层生长的影响(英文)被引量：1: 2001年; 采用金属有机物气相外延法在蓝宝石衬底上生长了以GaN为缓冲层的GaN薄膜。研究了不同三甲基镓流量下所生长缓冲层对GaN外延层质量的影响。对样品采用X线双晶衍射法测试其结晶质量 ,光致发光法测试其光学特性。实验结果显示高三甲基镓流量下生长的缓冲层可以提高GaN外延层的质量。对缓冲层进行的原子力显微镜测试分析表明 :不同三甲基镓流量会显著地影响缓冲层的生长模式。根据试验结果构造了一个GaN缓冲层的生长模型。; 陈振袁海荣陆大成王晓晖刘祥林韩培德汪度王占国; 关键词：GAN 缓冲层 MOVPE

氮化镓/蓝宝石异质结构中极性的研究(英文)被引量：1: 2001年; 用低压金属有机气相外延方法设备在蓝宝石衬底两个相反取向的C面上同时生长六方相氮化镓薄膜 ,对此进行了扫描电子显微镜、透射电子显微镜的分析和研究。发现当衬底表面是向籽晶面时 ,生长的六方相氮化镓薄膜为 ( 0 0 0 1 )取向 ,而当衬底表面是背籽晶面时 ,生长的氮化镓薄膜则为 ( 0 0 0 1 )取向。; 韩培德刘祥林王晓晖汪度陆大成王占国; 关键词：MOVPE

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国家自然科学基金(60086001)