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国家自然科学基金(50902014)

作品数：1 被引量：0H指数：0
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文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇导体
  • 1篇第一性原理
  • 1篇电子结构
  • 1篇氧空位
  • 1篇子结构
  • 1篇稀磁半导体
  • 1篇半导体
  • 1篇BORATE
  • 1篇DOPED
  • 1篇DOPING
  • 1篇MATERI...
  • 1篇磁性半导体
  • 1篇EU
  • 1篇LUMINE...

机构

  • 1篇大连交通大学

作者

  • 1篇黄国亮
  • 1篇张志华
  • 1篇陶华龙

传媒

  • 1篇大连交通大学...

年份

  • 2篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
氧空位对钴掺杂氧化锌稀磁半导体电子结构的影响
2012年
通过第一性原理计算对Co掺杂ZnO稀磁半导体的磁学性质和电子结构进行了研究.对氧空位出现在不同位置时体系总能进行计算,证实氧空位更容易在Co原子附近生成.电子结构计算表明Co-3d自旋电子在费米能级附近产生了自旋极化现象,提供局域磁矩;通过研究两个Co原子掺杂ZnO体系的电子结构,证实铁磁性的产生是两个Co原子耦合的结果,氧原子起到了一定的调制作用.
陶华龙张志华黄国亮
关键词：磁性半导体电子结构第一性原理
Luminescence properties of Eu doped SmBa3B9O18
Eu3+ doped SmBa3B9O18 luminescence materials were synthesized by high temperature solid state reaction.The str...
He Minga
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共1页<1>
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