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天津市自然科学基金(043800711)

作品数：2 被引量：2H指数：1
相关作者：杜希文孙景符杨李浩李静静更多>>
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相关领域：机械工程理学更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 1篇氮流失
  • 1篇导体
  • 1篇退火
  • 1篇退火过程
  • 1篇溅射
  • 1篇光度
  • 1篇光谱
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇光致发光谱
  • 1篇硅纳米晶
  • 1篇发光
  • 1篇分光
  • 1篇分光光度计
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体薄膜
  • 1篇SI
  • 1篇SIO
  • 1篇XN

机构

  • 2篇天津大学

作者

  • 2篇孙景
  • 2篇杜希文
  • 1篇符杨
  • 1篇李静静
  • 1篇李浩

传媒

  • 1篇实验室研究与...
  • 1篇实验技术与管...

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2006
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
半导体薄膜发光谱的修正被引量：2
2006年
讨论了半导体发光薄膜的光致发光谱修正要点。光致发光结果受到氙灯的光强、温度及薄膜表面的平整度等因素的限制,使得结果可比性差。采用了标准偏差的方法修正了数据,使其具有可比性。
杜希文符杨孙景
关键词：分光光度计光致发光谱溅射
SiO_xN_y薄膜退火过程中N元素的流失对于Si结晶的影响
2007年
通过不同的溅射工艺制得了3组SiOxNy薄膜样品,并进行了不同的退火工艺。在退火后的样品分析结果中发现了薄膜中的N流失现象,并且对N流失促进了Si结晶的这种特点进行了分析和讨论,为今后利用N流失现象进行S i纳米量子点的制备提供了实验和理论依据。
李浩杜希文孙景李静静
关键词：氮流失硅纳米晶退火
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共1页<1>
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