国家高技术研究发展计划(2002AA305306)
- 作品数：3 被引量：25H指数：2
- 相关作者：成来飞张立同华云峰陈照峰杨文彬更多>>
- 相关机构：西北工业大学南京航空航天大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺化学工程更多>>
- MOCVD法制备多层Ir涂层的显微结构被引量：13
- 2006年
- 以三乙酰丙酮铱为先驱体,采用金属有机物化学气相沉积法,通过变温多次沉积在石英基片和热解碳层上制备出多层Ir涂层。XRD研究表明,Ir涂层呈多晶态。试样冲击断裂后,SEM观察横截面显示,涂层与基片以及涂层之间结合良好,无层间开裂发生。内层涂层虽然有孔隙缺陷,但经多次沉积,后继制备的涂层能很好地将其封填。
- 杨文彬张立同成来飞华云峰徐永东
- 关键词：金属有机物化学气相沉积多层结构
- MOCVD Ir薄膜的制备与沉积效果分析被引量：16
- 2005年
- 在不通入活性气体的条件下,采用三乙酰丙酮铱金属有机物化学气相沉积方法制备铱薄膜。结果表明:低于190℃长时间加热使先驱体分子结构改变,其C-H和C-O键断裂活性升高,导致沉积薄膜中含有显著数量的碳杂质;高于220℃加热先驱体和550℃沉积,可获得致密连续、无杂质碳并且呈亮银白色的铱薄膜。
- 华云峰陈照峰张立同成来飞
- 关键词：铱金属有机物化学气相沉积先驱体基片
- CVD Al_2O_3-SiO_2涂层的莫来石化行为
- 2005年
- 采用CVD工艺,以A lC l3-S iC l4-H2-CO2为先驱体气相体系,在石墨纸上于550℃制备出A l2O3-S iO2复合氧化物涂层,通过DTA和XRD分析了该涂层的莫来石化过程。该涂层由-γA l2O3和非晶S iO2组成,其DTA曲线有四个典型峰,793℃弱的放热峰为开始莫来石化峰;984℃尖锐的放热峰为-γA l2O3向-δA l2O3转化峰;1240℃弱的吸热峰为-δA l2O3向α-A l2O3转化峰,该过程比较缓慢;1337℃强的放热峰为莫来石形成峰,发生在-δA l2O3与S iO2之间。结果表明,该CVD过程不具氧化性,对C不腐蚀,制备的A l2O3-S iO2涂层经1350℃热处理2h可转化为莫来石结合-αA l2O3。
- 陈照峰成来飞张立同严波李聪
- 关键词：化学气相沉积AL2O3-SIO2涂层莫来石化
